馬本隆綱

ミツミ電機は、電源バックアップ用のスーパーキャパシター充放電制御IC「MM4039」を発売した。停電など予期せぬ電源喪失時でも、外部メモリの適切なクローズ処理を行うことで、データの破壊を防ぐ事ができる。

STマイクロエレクトロニクスは、STM32対応ワイヤレスIoTモジュール「ST67W611M」を発表した。Qualcomm Technologiesとの協業による初めての製品となる。

ドイツの化学大手Merck（メルク）は、静岡事業所（静岡県掛川市）内に先端材料開発センター（AMDC）棟を建設する。2026年に運用を始める予定で、半導体パターニング材料の開発力を強化する。投資額は7000万ユーロ超（約100億円）だ。

電子情報技術産業協会（JEITA）は、電子情報産業の世界生産見通しを発表した。2024年は前年比9％増の3兆7032億米ドルを見込む。2025年は前年比8％増の3兆9909億米ドルとなり、2年連続で過去最高の世界生産額を更新する見通し。

富士キメラ総研は、半導体／実装関連部材および装置の世界市場を調査し、2030年までの予測を発表した。AIや電動車、データ高速処理などへの対応もあって需要の拡大が続く。予測によれば市場規模は2024年見込みの13兆323億円から、2030年には18兆4984億円にまで拡大する見通しだ。

ピーバンドットコムは、同社のWebサイト上で半導体や電子部品を直接購入できる新サービスを始めた。部品調達の見積回答にはこれまで、平均3営業日を要していたが、この期間を「ゼロ」にできるという。

デロイト トーマツは、高性能な有機EL材料探索時の精度を高めるため、量子コンピュータに実装する量子回路を圧縮して効率化する実証実験に成功した。今回の実証実験は、イスラエルの量子ソフトウェアスタートアップClassiqと三菱ケミカルの協力を得て行った。

筑波大学と産業技術総合研究所（産総研）らの研究グループは、インクジェットプリンターを用いて、「液滴レーザーディスプレイ」を作製することに成功した。今後、デバイス構成の改善やレーザー性能の向上を図ることで、レーザーディスプレイの早期実用化を目指す。

電子情報技術産業協会（JEITA）は、「車載半導体・電子部品市場の需要額見通し」を発表した。今回は、ソフトウェアで自動車の機能を定義するSDV（Software Defined Vehicle）への本格移行を踏まえ調査した。

東京都立大学や北海道大学、広島大学および、ローマ大学サピエンツァ校らの研究グループは、新たに合成した遷移金属ジルコナイドが、超伝導体であることを発見した。

東芝は、少ない実画像データしかない場合でも、独自の事前学習方法により迅速かつ高精度に解析できる「画像解析AI」を開発した。学習データが十分に得られない産業分野などでもAIの運用が可能となる。

KDDIと京セラは、5G／6G（第5／第6世代移動通信）で提供予定のミリ波（28GHz帯）による通信サービスのエリアを、効率的に拡張できる「無線中継技術」を開発した。フィールド試験により、ミリ波の道路カバー率を従来の33％から99％まで高めることができることも確認した。

東京大学は、室温で情報の読み書きが可能な、「交代磁性体」と呼ばれる新たな磁性体を発見した。超高密度かつ情報の読み書きが極めて速い次世代の情報媒体としての活用が期待される。

デンソーとオンセミは、自動運転や先進運転支援システムに向けた半導体分野で、連携を強化していくことに合意した。これを機にデンソーはオンセミの株式を一部取得する。

村田製作所は、IoT機器に向けたWi-Fi規格「Wi-Fi HaLow」対応の通信モジュール「Type 2HK」と「Type 2HL」を開発した。Wi-Fi HaLowは、900MHz帯の電波を用いることで、1km以上の通信距離で高速データ転送を可能にする。

東京大学の研究グループと日本電信電話（NTT）は、窒化アルミニウム（AlN）系半導体を用いたショットキーバリアダイオード（SBD）を作製し、その電流輸送機構を解明した。今後、AlN系半導体を用いた低損失パワー半導体デバイスの実現に取り組む。

大阪大学や立命館大学、京都大学らの研究グループは、従来とは異なる超小型の微小共振器デバイスを開発し、波長変換によって波長199nmの真空深紫外（VUV）光を発生させることに成功した。

ラティスセミコンダクターは、新たな小型FPGAプラットフォームとして「Lattice Nexus 2」を発表した。その第1弾として汎用FPGA「Lattice Certus-N2」のサンプル出荷を始めた。同時に、ミッドレンジFPGAプラットフォーム「Lattice Avant」の新製品として「Avant 30」と「Avant 50」なども発表した。

OKIサーキットテクノロジー（OTC）は、「凸型銅コイン埋め込み高多層PCB（プリント配線板）技術」を開発した。銅コインを用いない従来のPCBと比べ55倍の放熱性を実現した。空冷技術を利用できない小型装置や宇宙空間で活動する機械などに向ける。

日本電信電話（NTT）は、外乱の影響を受ける陸上フィールド環境での実験において、最大455Tbps（テラビット/秒）の空間多重長距離光伝送に成功した。この伝送容量は、現行システムの50倍以上となる。また、伝送距離が1000kmを超える場合でも、大容量伝送が可能なことを実証した。

キオクシアは、酸化物半導体（InGaZnO）トランジスタを用いて新たなDRAM技術を開発した。オフ電流が極めて少なく、従来のDRAMに比べ消費電力を低減できるという。

TOPPANは、次世代半導体パッケージの日米混合コンソーシアム「US-JOINT」に参画した。FC-BGA基板や次世代半導体パッケージ部材を、米国シリコンバレーに活動拠点を置くUS-JOINTへ提供するとともに、半導体の後工程材料やプロセス技術の研究開発を加速する。

大阪大学は、高耐熱性ポリイミドフィルムを活用した高周波伝送向け電子回路基板を、東洋紡と共同で開発した。6G（第6世代移動通信）用の電子回路基板に向ける。

アキレスは、次世代半導体の製造工程に向けて、低温・常圧プロセスで密着性の高いめっき膜をガラス基板に形成できる技術を開発した。

太陽誘電と東北大学は、高温エネルギー変換デバイス技術を共同で開発するための研究部門を2024年10月に開設した。設置期間は2024年10月1日から2027年9月30日までの3年間である。

富士フイルムは、熊本県菊陽町の生産拠点で、半導体表面を平たんにする研磨剤「CMPスラリー」の生産設備を増強したと発表した。増設ラインは2025年1月より稼働の予定。これにより、同拠点におけるCMPスラリーの生産能力は約3割増える。

ヒロセ電機は、2mmピッチの基板対ケーブル圧着コネクター「DF51」シリーズとして、新たに「複合分岐アダプター」を開発した。数多くのセンサーを搭載する産業機器などに用いれば、省配線化やコスト削減が可能となる。

信越化学工業は、電子機器を設計する技術者に向け、熱問題の解決を支援するためのプラットフォーム「Thermalvision」を開発し、同社Webサイト上に開設した。他社製も含め熱関連製品情報をワンストップで検索できる。また、Web上で簡易的な熱シミュレーションを行うこともできる。

産業技術総合研究所（産総研）と東京科学大学は、強誘電体メモリ（FRAM）に用いる新材料として「GaScN結晶」を開発した。金属添加物（Sc）の濃度を高めることで、杭電界を小さくした。これにより、従来の窒化物材料と比べメモリ動作に必要な電圧を60％も下げることができるという。

新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）は、ギガフォトンや早稲田大学と共同で、KrFエキシマレーザーと深紫外域回折光学素子（DOE）を組み合わせ、ガラス材料に効率よく微細貫通穴（TGV）を直接加工できる技術を開発した。高性能CPUやGPUに用いられるインターポーザの精密加工に適用していく。

SEMIは、2024年第3四半期の世界半導体製造装置（新品）販売額が303億8000万米ドルになったことを発表した。前年同期に比べ19％増、前期比では13％増と大きく伸びた。

ジャパンディスプレイ（JDI）は、台湾Innoluxおよび同子会社CarUX Technology（シンガポール）と、次世代OLED（有機EL）ディスプレイ「eLEAP」に関して戦略提携を行った。今回の提携に基づき、JDIとCarUXはまず「32型車載用eLEAPディスプレイ」について、共同で市場開拓に取り組む。

東京科学大学（Science Tokyo）は、プラズマ流動層反応装置を用い、約600℃の低温でCOから電気伝導性が高いカーボンブラックを連続かつ大量合成することに成功した。合成プロセスにプラズマで発生する熱などを有効利用できれば、CO2排出量を従来の10分の1に低減できる可能性もある。

電気通信大学は、40テスラという強磁場を発生させることができるポータブルな「パルス強磁場発生装置」の製作法を全て公開する。

産業技術総合研究所（産総研）と東京大学、九州大学、兵庫県立大学、名古屋工業大学らによる研究グループは、生体神経組織の動作を模倣できるMOSトランジスタの動作実証に成功した。従来のCMOSトランジスタに比べ100万倍以上もゆっくり動作し、消費電力は500pWと極めて小さい。

北海道大学の研究グループは、パワー半導体デバイスのパッケージング工程などに適した「銅系ナノ接合材料」を開発した。低温かつ短い焼結時間でも高い接合強度を実現できるという。

マクセルは、産業機器のバックアップ用電源に適した「全固体電池モジュール」を開発した。10年以上の寿命が期待されるため、現行の一次電池を新製品に置き換えれば、電池を定期的に交換する手間を省き、生産ラインの稼働率低下を抑えることが可能となる。

スピントロニクスデバイスの世界市場は、2025年予測の5990億円に対し、2045年は10兆6540億円規模に達する見通しである。矢野経済研究所が調査し発表した。

テキサス インスツルメンツ（TI）は、C2000マイコンの新シリーズとして、車載システムや産業機器に向けた2シリーズを発表した。ニューラルプロセッシングユニット（NPU）を搭載した「TMS320F28P55x」シリーズと、64ビットC29デジタル信号プロセッサコアを搭載した「F29H85x」シリーズである。

日本電波工業（NDK）は、156M〜625MHzの周波数範囲に対応し、高精度で低ジッタを実現した小型の「差動出力水晶発振器」を開発した。データセンターで用いられる光伝送モジュールの基準クロック源などに向ける。

東京理科大学と埼玉大学の共同研究グループは、導電性セラミック材料の「WSi2（二ケイ化タングステン）」が横型熱電効果を示す物質であることを実証し、そのメカニズムについても解明した。

東京理科大学は、光強度を変化させることで時定数を制御できる色素増感太陽電池（DSC）を用いた「自己給電型光電子シナプス素子」を開発した。この素子を物理リザバコンピューティング（PRC）に応用し、低消費電力で人の動きを高い精度で識別できることを実証した。

アプライド マテリアルズは、より大型のガラス基板を用いてOLED（有機EL）ディスプレイを製造できる「MAX OLEDソリューション」を発表した。第8世代（G8）以降の大型ガラス基板を用いてタブレットやPC、TV向けOLEDディスプレイの製造が可能となる。

ルネサス エレクトロニクスは、1チップで産業ロボットのモーターを最大9軸まで制御できるハイエンドMPU「RZ/T2H」を発表した。主要な産業イーサネット通信を始め、さまざまなネットワーク通信に1チップで対応できる。

村田製作所は、車載ネットワークに向けた水晶振動子「HCR/XRCGE_M_Fシリーズ」を開発、量産を始めた。−40〜125℃の広い使用温度範囲で周波数偏差±40ppmという高い精度を実現した。

SEMIは2024年第3四半期の世界半導体製造産業について、「2年ぶりに主要な業界指標の全てが前期比でプラス成長となった」と発表した。季節的要因とAIデータセンターへの投資が需要の増加を後押しした。この傾向は2024年第4四半期まで継続するとみている。

東芝と理化学研究所（理研）の共同研究グループは、超伝導量子コンピュータに向けて東芝が提案する素子「ダブルトランズモンカプラ」の特性を、実験により実証した。この結果、2量子ビットゲートの忠実度が99.90％とトップレベルにあることを確認した。

住友化学は、パワー半導体に向けた「6インチGaN on GaNウエハー」の量産技術を早期に確立していく。NEDO（新エネルギー・産業技術総合開発機構）が進める2024年度「脱炭素社会実現に向けた省エネルギー技術の研究開発・社会実装促進プログラム」において、「パワーエレクトロニクス用大口径GaN on GaNウエハーの開発」が採択された。

三井金属は2024年11月、レアメタル新溶液材料「iconos（イコノス）」を活用し、リチウムイオン電池に向けたニッケルマンガン酸リチウム正極材料（LiNi0.5Mn1.5O4／LiMn2O4）を開発した。

ADEKAとうるたまは、次世代二次電池向け正極材「SPAN」と樹脂箔で構成される正極を用いた二次電池「軽量Li-SPAN／樹脂箔パウチセル」の試作に成功した。軽量で安全性や実用性を兼ね備えた二次電池を実現できるため、ドローンやHAPS、eVTOLなどへの応用が期待される。