角鉛鉱の英語

分子線エピタキシー法により閃亜鉛鉱型結晶基板上に窒化物結晶を成長させる方法であって、前記閃亜鉛鉱型結晶基板の［１１１］Ａ方向から０〜４５度の角度をなす方向から、窒素原料を前記閃亜鉛鉱型結晶基板上ないし該基板上に形成された層の上に供給する工程を含むことを特徴とする窒化物結晶の成長方法。例文帳に追加

This method for growing the nitride crystal is characterized in that the method is to grow the nitride crystal on a zincblende type crystal substrate according to a molecular beam epitaxial method and comprises a step of feeding a nitrogen raw material from the direction at 0-45° from the [111] A direction of the zincblende type crystal substrate onto the zincblende type crystal substrate or a layer formed on the substrate. - 特許庁

六方晶の場合は従来の閃亜鉛鉱とは異なる結晶方位を有しており、従来のように、リングに対して４５°の角度とした場合には、等厚干渉縞は観察できない。例文帳に追加

To solve a problem that a hexagonal system has a crystal orientation different from that of zinc blend and fringes of equal thickness can not be observed when it is set at an angle of 45° with respect to a ring. - 特許庁