禁制帯の英語

本発明の半導体レーザは、半導体層の組成より、活性層１０６よりバッファ層１０５、１０７の禁制帯幅が大きく、またクラッド層１０４、１０８の禁制帯幅は、それぞれに接するバッファ層１０５、１０７の禁制帯幅より大きくなるように構成する。例文帳に追加

The semiconductor laser is constituted, in such a way that due to the composition of a semiconductor layer, forbidden band gap widths of buffer layers 105 and 107 are larger than those of an active layer 106, and the forbidden gap widths of clad layers 104 and 108 are larger than those of buffer layers 105 and 107 that contact each of them. - 特許庁

２波長励起フォトルミネッセンスによる禁制帯内準位の測定方法及びその装置例文帳に追加

METHOD FOR MEASURING LEVEL IN FORBIDDEN BAND BY TWO- WAVELENGTH EXCITATION PHOTO-LUMINESCENCE AND DEVICE THEREFOR - 特許庁

広禁制帯幅半導体基板１からなる電子放出層を備える第１放電電極である。例文帳に追加

The first discharge electrode is equipped with an electron emission layer made of a wide forbidden band-width semiconductor substrate 1. - 特許庁

広禁制帯幅半導体層１ａの表面には、コンタクト膜２３ａ，２４ａが形成されている。例文帳に追加

Contact films 23a, 24a are formed on the surface of the wide forbidden band semiconductor layers 1a. - 特許庁

熱励起を加えたフォトルミネッセンスによる禁制帯内準位の測定方法およびその測定装置例文帳に追加

METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING LEVEL IN FORBIDDEN BAND BY PHOTOLUMINESCENCE WITH ADDED THERMAL EXCITATION - 特許庁

本発明の光触媒は、二酸化チタンと、該二酸化チタンの禁制帯幅よりも狭い禁制帯幅を有する第２の半導体材料とを含有し、該二酸化チタンと該第２の半導体材料とが接触していることを特徴とする。例文帳に追加

The photocatalyst contains titanium dioxide and a second semiconductor material having a forbidden band width narrower than that of the titanium dioxide, and in the photocatalyst, the titanium dioxide and the second semiconductor material are brought into contact with each other. - 特許庁

窒化物半導体層７は、ゲート電極３と活性層５との間に設けられており、第１の禁制帯幅より大きな第２の禁制帯幅を有するIII族窒化物半導体からなる。例文帳に追加

A nitride semiconductor layer 7 is provided between a gate electrode 3 and the active layer 5, and is composed of a III group nitride semiconductor with a second forbidden band width which is larger than the first forbidden band width. - 特許庁

ｎ型半導体層とｐ型半導体層との間に、両者のエネルギバンドがフラットになるフラットバンド電圧を印加した状態で、ｎ型半導体層の禁制帯とｐ型半導体層の禁制帯とが部分的に重なる。例文帳に追加

While a flat band voltage for flattening both energy bands is applied between the n-type semiconductor layer and p-type semiconductor, the forbidden band of the n-type semiconductor layer and forbidden band of the p-type semiconductor layer are partially overlapped. - 特許庁