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浅準位の英語
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英訳・英語 shallow state
「浅準位」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 19件
シリコン単結晶中の浅い準位の測定方法及び装置例文帳に追加
METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING SHALLOW LEVEL IN SILICON SINGLE CRYSTAL - 特許庁
バンドギャップ中の浅いエネルギー準位を低減させた絶縁膜を得ることを可能にする。例文帳に追加
To obtain an insulating film for reducing a shallow energy level in a band gap. - 特許庁
そして、浅い不純物準位に形成される正孔がキャリアとなるため、高伝導性を有するものとなる。例文帳に追加
Furthermore, the conduction electron has high conductivity because the hole formed to the shallow impurity level becomes a carrier. - 特許庁
この界面の位置は、熱処理条件等により容易に制御されるので、容易に浅い位置に濃度ピークを有する標準試料を製造することができる。例文帳に追加
Since the position of the interface is easily controlled by annealing conditions, etc., the reference sample having the concentration peaks at a shallow position can be easily manufactured. - 特許庁
ツリー構造表示処理部23は、展開基準ノードの下位ノードのうち入力された展開基準ノード数の分だけ、展開基準ノードをルートとして階層の浅いノードから順次、自動的に展開表示する。例文帳に追加
A tree structure display processing part 23 automatically performs expansion display only for the number of expansion reference nodes inputted from low rank nodes of the expansion reference node sequentially from a shallow node of the hierarchy using the expansion reference node as a root. - 特許庁
キズ評価装置26は、基準キズにおける両キズ信号の位相角差と被検査体の未知の深さのキズにおける両キズ信号の位相角差とを比較して、被検査体のキズが基準キズより浅いか深いかを推定する。例文帳に追加
A flaw-evaluating device 26 is provided, which compares the phase angle difference between both flaw signals of the reference flaw, with a phase angle difference between both flaw signals of the flaw of the inspection object whose flaw depth is unknown, and estimates whether the flaw of the inspection object is shallow or deep, in comparison with the reference flaw. - 特許庁
なお、一般式(G1)における置換基(R^1、R^2、Ar^3及びα^3)としては、当該置換基の結合手を水素で置換した化合物のHOMO準位が深く、LUMO準位が浅い置換基をいずれも用いるものとする。例文帳に追加
Furthermore, as each of substituents (R^1, R^2, Ar^3, and α^3) in general formula (G1), a substituent from which a compound having a deep HOMO level and a shallow LUMO level is derived by substituting a bond thereof with hydrogen is used. - 特許庁
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「浅準位」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 19件
チャネル界面付近の浅いエネルギー準位に捕獲された電荷を予め除去し、データ保持特性の良好な不揮発性半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加
To provide a nonvolatile semiconductor memory device having an excellent data retention characteristic by previously removing charge captured at a shallow energy level in the vicinity of a channel interface. - 特許庁
表面に設けられた周溝と、該周溝に端縁をはめ込まれた表皮と、折り畳むためのヒンジ部と、該周溝と該ヒンジ部とが交差する位置近傍における該周溝に、該周溝の溝の標準深さよりも浅い浅溝部を設けることにより前記課題を解決した。例文帳に追加
The problem is solved by the peripheral groove formed in the surface, the skin with its edge fitted in the peripheral groove, and the hinge part for folding and by forming a shallow groove part whose depth is below the standard depth of the peripheral groove in the groove in the vicinity of the position where the peripheral groove and the hinge part intersect. - 特許庁
基準キズのキズ信号の位相角と被検査体のキズ信号の位相角を比較して、被検査体のキズが基準キズより浅いか深いかを推定する渦電流探傷装置において、リフトオフ、キズの形状や渦電流探傷プローブのコイルの形状の影響を低減することを目的とする。例文帳に追加
To reduce influences of a lift-off, the flaw shape and the coil shape of an eddy current flaw detection probe, in an eddy current flaw detector which compares a phase angle of a flaw signal of an inspection object with that of the flaw signal of a reference flaw, and estimates whether the flaw of the inspection object is shallow or deep, in comparison with the reference flaw. - 特許庁
不純物拡散層からなる正孔蓄積層を設けることなく界面準位に起因した暗電流を低減でき、これにより半導体基板の浅い位置にセンサを設けて電荷転送効率の向上が図られた固体撮像装置を提供する。例文帳に追加
To provide a solid-state imaging apparatus capable of reducing a dark current caused by an interface state without preparing a hole accumulation layer made of an impurity diffusion layer, and thereby capable of arranging a sensor on a shallow position of a semiconductor substrate and improving charge transfer efficiency. - 特許庁
播種を圃場表面を基準にして深い位置にすることによって苗立ちを強くして倒伏度合いを少なくし、しかも、覆土を浅くすることにより発芽、育苗を促進する効果を有する播種方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for seeding capable of strengthening an establishment and reducing a lodging degree by carrying out a sowing at a deep position on the basis of the surface of a field and having a promoting effect on germination and raising of seedlings by shallowly covering seeds with soil. - 特許庁
一方、動作電流モニタ信号SBが動作電流が所定の基準を満足しないと指示する場合、リークモニタ信号SA0の指示内容に関係なく、所定の基準を満足させる動作電流を得るため、ディスチャージスイッチ回路4PによってPMOS用基板電位VBPを浅くする制御が行われる。例文帳に追加
When the operating current monitor signal SB indicates, on the other hand, that the operating currents do not satisfy a prescribed reference, in order to obtain the operating currents satisfying the prescribed reference regardless of the indicated content of the leak monitor signal SA0, a discharge switch circuit 4P performs control to shallow the board potential VBP for PMOS. - 特許庁
図1(a)において、基準として使用する補正用実キズよりも飽和深さが浅くなる試験周波数により人工キズの被検査体を探傷して得られたキズ信号のキズの深さ・位相のデータ(グラフa)を取得する。例文帳に追加
In Figure 1(a), the data (graph a) on the depth and the phase of the flaw of the flaw signal is acquired, which is obtained by performing flaw detection of an object for inspection of the artificial flaw by a test frequency by which saturated depth becomes shallower than that of the actual flaw for correction to be used as a reference. - 特許庁
高温での熱処理プロセスを必要とする不純物拡散層からなるホール蓄積層を設けることなく界面準位に起因した暗電流を低減することが可能で、これにより半導体基板の浅い位置にセンサを設けて電荷転送効率の向上が図られた固体撮像装置を提供する。例文帳に追加
To provide a solid-state imaging device reducing dark current due to an interface state without forming a hole storing layer made of an impurity diffused layer which needs a heating process at high temperature and allowing sensor placement in a shallow part of a semiconductor substrate so as to improve charge transfer efficiency. - 特許庁
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