核成長の英語

基体の外壁に白金の核を付着させる核付け工程と、付着した核を成長させる成長工程とを経て、基体の外壁に白金からなる検出電極を形成する際、核付け工程としてスパッタ法を用いる。例文帳に追加

A sputtering method is used as a nucleus sticking method when forming a detecting electrode composed of platinum on an outer wall of a base body via the nucleus sticking process for sticking a nucleus of platinum to the outer wall of the base body and a growth process for growing the stuck nucleus. - 特許庁

第１のスパッタリングを止めて第１の膜２６の三次元核成長を中断した後に、第２の膜２８の成長が二次元核成長から始まるように第２のスパッタリングを開始する。例文帳に追加

After interrupting three-dimensional nucleus growth of the first film 26 by stopping the first sputtering, second sputtering is started to start growth of the second film 28 from two-dimensional nucleus growth. - 特許庁

成長ホルモン受容体をコードする核酸分子を標的とする長さ8〜80核酸塩基の化合物であって、成長ホルモン受容体をコードする前記核酸分子と特異的にハイブリダイズし、そして成長ホルモン受容体の発現を阻害する、前記化合物。例文帳に追加

There is provided the compound targeting a nucleic acid molecule encoding the growth hormone receptor, having a length of 8-80 nucleic acid bases, and specifically hybridizing to the nucleic acid molecule encoding the growth hormone receptor to inhibit expression of the growth hormone receptor. - 特許庁

半導体ナノ粒子の核を形成する反応と、核を成長させる反応を段階的に行う半導体ナノ粒子の製造方法。例文帳に追加

The method for producing semiconductor nanoparticles comprises carrying out a reaction to form the nucleus of a semiconductor nanoparticle and a reaction to grow the nucleus stepwise. - 特許庁

初期核の形成後は、ＧａＣｌガス分圧とＮ2ガス分圧を高くした以外は初期核を形成した条件で結晶成長させる。例文帳に追加

After the formation of the initial nucleus, the crystal is grown under the conditions to form the initial nucleus except the elevation of the GaCl gas partial pressure and the N2 gas partial pressure. - 特許庁

このとき、無転位の結晶核１４を核としているため、成長結晶１６中に転位は発生しない。例文帳に追加

In this case, no dislocation occurs in the growth crystal 16 because the crystalline nucleus 14 of non-dislocation is used. - 特許庁

短干渉核酸（ｓｉＮＡ）を用いた血管内皮成長因子および血管内皮成長因子レセプター遺伝子発現のＲＮＡ干渉媒介阻害例文帳に追加

RNA INTERFERENCE-MEDIATED INHIBITION OF VASCULAR ENDOTHELIUM GROWTH FACTOR AND VASCULAR ENDOTHELIUM GROWTH FACTOR RECEPTOR GENE EXPRESSION USING SHORT INTERFERING NUCLEIC ACID(siNA) - 特許庁

導電粒子１１を成長核として無電解メッキ法により選択的に金属を成長させて導電パターン１６を形成する(ｃ)。例文帳に追加

Thereafter, a conductive pattern 16 is formed by selectively growing a metal by electroless plating by using the particles 11 as growing crystals (c). - 特許庁