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有機亜鉛化合物の英語
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英訳・英語 organozinc compound
「有機亜鉛化合物」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 166件
有機亜鉛化合物の処理装置例文帳に追加
APPARATUS FOR TREATING ORGANIC ZINC COMPOUND - 特許庁
有機亜鉛化合物の部分加水分解生成物を含む酸化亜鉛薄膜製造用組成物。例文帳に追加
The composition for the production of zinc oxide thin films contains the partial hydrolysis product of an organozinc compound. - 特許庁
本発明に係る亜鉛の化成処理方法は、有機フッ素化合物処理液により亜鉛又は亜鉛めっき基材の表面に皮膜を形成させる。例文帳に追加
In the zinc chemical conversion method, a film is deposited on a surface of zinc or a galvanized base material with an organic fluorine compound treatment liquid. - 特許庁
有機亜鉛化合物と3B族元素化合物との溶液に水を添加して、有機亜鉛化合物を部分的に加水分解して得られる生成物を含み、3B族元素化合物は、有機亜鉛化合物に対するモル比が0.005〜0.3である、ドープ酸化亜鉛薄膜製造用組成物。例文帳に追加
The composition for producing a doped zinc oxide thin film contains a product which is obtained by partially hydrolyzing an organic zinc compound by adding water to a solution of the organic zinc compound and a group 3B element compound, wherein the molar ratio of the group 3B element compound to the organic zinc compound is within the range of 0.005-0.3. - 特許庁
有機亜鉛化合物と3B族元素化合物との溶液に水を添加して、有機亜鉛化合物の部分加水分解物を含み、3B族元素化合物は、有機亜鉛化合物に対するモル比が0.005〜0.3であるドープ酸化亜鉛薄膜製造用組成物。例文帳に追加
There is provided a composition for the production of doped zinc oxide thin films, which contains the partial hydrolysis product of an organozinc compound obtained by adding water to the solution of the organozinc compound and a group 3B element compound, wherein the molar ratio of the group 3B element compound to the organozinc compound is 0.005-0.3. - 特許庁
活性水素に対する保護を必要としない有機亜鉛化合物を提供する。例文帳に追加
To obtain an organozinc compound without requiring protection against active hydrogen. - 特許庁
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有機亜鉛化合物
「有機亜鉛化合物」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 166件
有機亜鉛化合物溶液に水を添加して、有機亜鉛化合物を部分的に加水分解した後、3B族元素化合物を有機亜鉛化合物に対するモル比が0.005〜0.3の割合になるよう添加して得られる生成物を含む、ドープ酸化亜鉛薄膜製造用組成物。例文帳に追加
The composition for producing a doped zinc oxide thin film contains a product which is obtained by partially hydrolyzing an organic zinc compound by adding water to a solution of the organic zinc compound and then adding a group 3B element compound so that the molar ratio of the group 3B element compound to the organic zinc compound is within the range of 0.005-0.3. - 特許庁
有機亜鉛化合物の部分加水分解物に3B族元素化合物を有機亜鉛化合物に対するモル比が0.005〜0.3の割合になるよう添加して得られる生成物を含む、ドープ酸化亜鉛薄膜製造用組成物。例文帳に追加
There is further provided a composition for the production of doped zinc oxide thin films, which contains a product obtained by adding a group 3B element compound to a partial hydrolysis product of an organozinc compound so as to make a molar ratio to the organozinc compound 0.005-0.3. - 特許庁
有機亜鉛化合物または有機亜鉛化合物を水で少なくとも部分加水分解して得られる部分加水分解物を電子供与性有機溶媒と電子供与性有機溶媒とは異なる種類の有機溶媒との混合溶媒に溶解した溶液である酸化亜鉛薄膜製造用組成物。例文帳に追加
The composition for the production of zinc oxide thin films is a solution prepared by dissolving an organozinc compound or a partial hydrolysis product obtained by at least partially hydrolyzing the organozinc compound with water in a mixed solvent comprising an electron-donating organic solvent and an organic solvent different in kind from the electron-donating organic solvent. - 特許庁
PVC加工の熱安定剤としての有機チオ化合物と亜鉛メルカプトエステルとの組合せ例文帳に追加
ORGANIC THIO COMPOUND/ZINC MERCAPTO ESTER COMBINATION AS HEAT STABILIZER FOR PVC PROCESSING - 特許庁
水の添加量が有機亜鉛化合物に対するモル比で0.05以上〜0.4未満である。例文帳に追加
The amount of water added is 0.05 to <0.4 in terms of a molar ratio to the organozinc compound. - 特許庁
水の添加量が、有機亜鉛化合物に対するモル比で0.05以上〜0.4未満である。例文帳に追加
The amount of water added is 0.05 to <0.4 in terms of a molar ratio to the organozinc compound. - 特許庁
下記一般式(1)で表される有機亜鉛化合物を沸点が110℃以上である電子供与性有機溶媒に溶解した溶液に水を添加して、有機亜鉛化合物を部分的に加水分解して得られる生成物を含む組成物。例文帳に追加
The composition includes a product obtained by adding water to a solution prepared by dissolving an organic zinc compound represented by general formula (1) into an electron-donating organic solvent having a boiling point of ≥110°C, and then partially hydrolyzing the organic zinc compound. - 特許庁
そして、酸化亜鉛バッファ層上には、亜鉛と酸素を含む有機金属化合物のガスと酸素ガスとの両方を用いて酸化亜鉛結晶膜が育成される。例文帳に追加
The zinc oxide crystalline film is grown by using the both of the gas of the organic metallic compound containing zinc and oxygen and the gaseous oxygen on the zinc oxide buffer layer. - 特許庁
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