井戸系の英語

量子井戸構造を有するＳｉ系半導体デバイスおよびその製造方法例文帳に追加

Si BASED SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING QUANTUM WELL STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁

Ｓｉ系半導体を用いて量子井戸構造を形成できる技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technique which enables formation of quantum well structure using an Si based semiconductor. - 特許庁

ＩｎＧａＮ系材料の量子井戸層を有する発光素子において、発光効率を高めることにある。例文帳に追加

To increase a luminous efficiency in a light emitting element having a quantum well layer of an InGaN material. - 特許庁

量子井戸構造は、第１のＩＩＩ族窒化物系バリア層と、第１のバリア層上のＩＩＩ族窒化物系量子井戸層と、第２のＩＩＩ族窒化物系バリア層とを含む。例文帳に追加

The quantum well structure comprises: a first group III nitride based barrier layer; a group III nitride based quantum well layer on the first barrier layer; and a second group III nitride based barrier layer. - 特許庁

井戸層の膜厚方向に関するインジウム組成の不均一を改善可能であると共に井戸層内の欠陥密度を低減可能な、窒化物系半導体光素子を作製する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing nitride-based semiconductor optical element for improving the ununiformity of an indium composition in the film thickness direction of a well layer and also reducing the density of defects within the well layer. - 特許庁

その後、熱処理を行うことによって、ＳｉＯ_2 層３１０，３２０を障壁層とし、Ｓｉ系半導体層２１０を井戸層とする量子井戸構造を形成する。例文帳に追加

After that, heat treatment is performed, thereby the quantum well structure where an SiO_2 layers 310, 320 are made as barrier layers and where the Si based semiconductor layer 210 is made as a well layer is formed. - 特許庁

本発明の目的は、Inの偏析を主要因とするGaInNAs、およびGaInAs量子井戸層の品質が低下の問題を解決し、高品質な量子井戸活性層を形成し、高性能なGaInNAs系半導体レーザを提供することにある。例文帳に追加

To solve such a problem that GaInNAs and GaInAs quantum well layers are degraded due to the segregation of In, and to provide a GaInNAs semiconductor laser with high performance by forming a high-quality quantum well active layer. - 特許庁

窒化ガリウム系半導体光素子１１ａは、ＧａＮ支持体１３、ＧａＮ系半導体領域１５及び井戸層１９を備える。例文帳に追加

The gallium nitride-based semiconductor optical device 11a includes a GaN support base 13, a GaN-based semiconductor region 15, and well layers 19. - 特許庁