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一酸化ケイ素の英語
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英訳・英語 Silicon monoxide
「一酸化ケイ素」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 21件
一酸化ケイ素の焼結体およびその製造方法例文帳に追加
SINTERED COMPACT OF SILICON MONOXIDE AND PRODUCTION METHOD THEREOF - 特許庁
炭化ケイ素焼結体の製造方法は、不活性雰囲気下において、エチルシリケートとフェノール樹脂とを含む混合物を焼成し、炭化ケイ素粉体を生成する過程で生成され、ケイ素単体と一酸化ケイ素とを含むケイ素源の粉体を抽出する工程と、炭化ケイ素焼結体の表面に前記ケイ素源を蒸着させる蒸着工程を有する。例文帳に追加
The method for producing the silicon carbide sintered compact includes: a process of firing a mixture containing ethyl silicate and phenol resin under an inert atmosphere to extract powder of a silicon source that contains a silicon simple substance generated during the generation of a silicon carbide powder body; and a vapor deposition process of depositing the silicon source to a surface of the silicon carbide sintered compact. - 特許庁
ケイ素粉末、一酸化ケイ素粉末、二酸化ケイ素粉末のうち、1又は2以上の粉末からなるSiOx成形体のショアー硬さを10HS以上100HS以下、酸素原子とケイ素原子の元素比(O/Si比)を1.03以上1.30以下にする。例文帳に追加
An SiOx molded body made of one or two or more powders of a silicon powder, a silicon monoxide powder and a silicon dioxide powder has shore hardness of 10 to 100 HS and an elemental ratio (O/Si ratio) of oxygen atoms to silicon atoms of 1.03 to 1.30. - 特許庁
窒素気流中で、一酸化ケイ素粉末を高温に加熱することにより、単結晶のα型窒化珪素ナノリボンを製造する。例文帳に追加
The single-crystal α-silicon nitride nano-ribbon is manufactured by heating a silicon monoxide powder to an elevated temperature under a nitrogen gas stream. - 特許庁
黒鉛坩堝表面を窒素雰囲気中で一酸化ケイ素蒸気と反応させて坩堝を製造する方法。例文帳に追加
A method of manufacturing the crucible by making the graphite crucible surface react to silicon monoxide steam in a nitrogen atmosphere, is also provided. - 特許庁
活性炭素繊維と一酸化ケイ素ガスを、減圧下もしくは不活性ガス雰囲気下で1200〜2000℃の温度条件下で反応させて得る。例文帳に追加
The fiber is obtained by reaction of an activated carbon fiber and silicon monoxide gas at 1,200-2,000°C in a decreased pressure or an inert gas atmosphere. - 特許庁
比表面積20m^2/g以上の一酸化ケイ素超微粉と遷移アルミナ粉末とを含有してなることを特徴とする混合粉末。例文帳に追加
The mixed powder having 20 m2/g specific surface area contains silicon monoxide super fine powder and transition alumina powder. - 特許庁
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「一酸化ケイ素」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 21件
一酸化ケイ素粉末をアンモニア気流中で、1350〜1450℃に、3.2〜3.7時間加熱することにより、結晶性のα型窒化珪素ナノベルトを製造する。例文帳に追加
The method for manufacturing a nanobelt of a crystalline α-type silicon nitride comprises heating a silicon monoxide powder at 1,350-1,450°C for 3.2-3.7 hours in an ammonia gas stream. - 特許庁
この被膜は、一酸化ケイ素(SiO)粉末を真空中にて気化させ、ダイヤモンド砥粒の表面に反応被覆させる。例文帳に追加
The coat is reactively formed on the surface of the diamond abrasive grain by vaporizing silicon monoxide (SiO) powder in the vacuum. - 特許庁
昇華性ではない、すなわち溶融した後に蒸発する金属ケイ素と二酸化ケイ素と一酸化ケイ素とを添加した蒸着材料であって、蒸発速度が上昇し、スプラッシュが抑制され、バリア性の良好なバリアフィルムを製造できる蒸着材料を提供する。例文帳に追加
To provide a vapor deposition material formed by adding metal silicon, silicon dioxide and silicon monoxide which are non-sublime, in other words, vaporized after they are melted, and capable of raising the evaporation rate, suppressing any splash, and manufacturing a barrier film with excellent barrier property. - 特許庁
セレン化亜鉛粉末と一酸化ケイ素粉末を不活性気体中で、二段階の温度で加熱することにより、珪素ナノワイヤーとセレン化亜鉛ナノワイヤーが接合した珪素−セレン化亜鉛複合ナノワイヤーを製造する。例文帳に追加
The silicon and zinc selenide compound nanowire with the silicon nanowire and the zinc selenide nanowire jointed is manufactured by heating zinc selenide powder and silicon monoxide powder in inert gas at two-stage temperature. - 特許庁
一酸化ケイ素粉末、グラファイト粉末及び窒化ガリウム粉末の混合物を不活性ガス気流中で、所定温度で所定時間加熱し、炭化珪素ナノワイヤーを合成する。例文帳に追加
The silicon carbide nanowire is synthesized by heating a mixture of silicon monoxide powder, graphite powder and gallium nitride powder in an inert gas stream at a given temperature for a given period of time. - 特許庁
光散乱誘発物質として、アダマンタン誘導体、アルキル構造を有する炭化水素化合物、又は一酸化ケイ素を用い、共蒸着により光散乱層を形成する。例文帳に追加
As the light scattering induction substance, an adamantane dielectric, a hydrocarbon compound with an alkyl structure, or a silicon monoxide is used for forming the light-scattering layer. - 特許庁
一酸化ケイ素超微粉の比表面積が30〜200m^2/gであり、それを1〜40%含有してなり、残部が実質的に遷移アルミナ粉末であることが好ましい。例文帳に追加
The mixed powder preferably contains 1-40% silicon monoxide super fine powder having 30-200 m2/g specific surface area and the balance the transition alumina powder. - 特許庁
ここで用いられるケイ素含有炭素繊維は、例えば、直径が0.1〜20μm、平均繊維長が50〜3,000μmおよび熱伝導率が100〜1,500W/mKの、2,000〜3,000℃で熱処理されたピッチ系異方性炭素繊維を一酸化ケイ素ガスを用いて処理することにより形成されている。例文帳に追加
The silicon-contg. carbon fibers to be used here are formed by subjecting pitch series anisotropic carbon fibers, e.g. having 0.1 to 20 μm diameter, 50 to 3,000 μm average fibrous length and 100 to 1,500 W/mK thermal conductivity and heat-treated at 2,000 to 3,000°C to treatment by using gaseous silicon monoxide. - 特許庁
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