サファイア界面の英語

窒素原子を有する窒素源ガスと水素ガスとの混合ガス雰囲気下において、サファイア基板を１３５０℃以上１７５０℃以下の温度で加熱することにより、サファイア基板の表面に窒化アルミニウム単結晶層が形成された積層体を製造する方法であり、条件を調整すれば、サファイア基板と窒化アルミニウム単結晶層との界面に空隙を有する積層体を製造することができる。例文帳に追加

The method for producing laminate includes a process of heating the sapphire substrate at a temperature of 1,350 to 1,750°C in an atmosphere of a mixed gas of nitrogen-source gas having a nitrogen atom and hydrogen gas to form the aluminum nitride single crystal layer on the surface of the sapphire substrate, wherein, by adjusting conditions, the laminate having a gap on the interface between the sapphire substrate and the aluminum nitride single crystal layer can be produced. - 特許庁

サファイア基板１１上にＡｌＮ緩衝層１２とＧａＮ層１３をＭＯＶＰＥ法により順次成長させた後、サファイア基板１１と成長層との界面付近を中心としたイオン注入領域１４にＳｉのイオン注入を行う。例文帳に追加

After an AlN buffer layer 12 and a GaN layer 13 are grown sequentially on a sapphire substrate 11 by MOVPE, Si ions are implanted into an ion implantation region 14 centering the vicinity of interface between the sapphire substrate 11 and the growth layer. - 特許庁

少なくとも接合面がサファイアからなる第一の部材と、少なくとも接合面がサファイアまたは多結晶アルミナからなる第二の部材との接合体において、接合強度が高く、接合界面におけるクラックが防止された接合体を提供する。例文帳に追加

To provide a jointed body in which a joining strength is high and in which a crack at a joining interface is prevented, in the jointed body of a first member in which at least a joining surface is composed of sapphire and a second member in which at least a joining surface is composed of sapphire or polycrystalline alumina. - 特許庁

少なくとも接合面がサファイアからなる第一の部材と、少なくとも接合面がサファイアまたは多結晶アルミナからなる第二の部材との接合体において、接合強度を高くし、接合界面におけるクラックを防止できるようにすることである。例文帳に追加

To enhance the joining strength and prevent cracks in a joining interface of a joined body made up of a first component at least whose joining surface is made of sapphire and a second component at least whose joining surface is made of sapphire or polycrystalline alumina. - 特許庁

構造変化領域１０に入射することによりサファイア層２と空気との界面への光線Ｌの入射角度を臨界角度θ内とし、該界面を透過させる。例文帳に追加

Incidence of light upon the structural change regions 10 makes the angle of the light L incident on the interface between the sapphire layer 2 and air equal to or smaller than the critical angle θ and causes the light to transmit the interface. - 特許庁

ｎ型窒化物半導体層間に中間層を挿入し、サファイア基板とＧａＮとの界面で発生する貫通転位を減少させ、耐静電圧の向上等の特性を改善すること。例文帳に追加

To improve characteristics of an electrostatic voltage resistance etc., by inserting an intermediate layer between n-type nitride semiconductor layers and reducing threading dislocation generated on an interface between a sapphire substrate and GaN. - 特許庁

このようにして得られたタンタル酸リチウム基板とサファイア基板とを接合し、その界面に０．３ｎｍ以上２．５ｎｍ以下の厚みのアモルファスの接合領域を設けると、接合強度の高い基板が得られる。例文帳に追加

The tantalic acid lithium substrate and the sapphire substrate thus obtained are jointed, and the junction region of amorphous whose thickness is 0.3 nm or larger and 2.5 nm or smaller is provided at the interface, thus obtaining the substrate whose junction strength is high. - 特許庁

両層の界面の一部を成すアイランド部１３に対しては紫外線１４は照射されず、これによりＧａＮ成長層１０のサファイア基板１２に対する十分な接着性が維持される。例文帳に追加

The ultraviolet rays 14 are not irradiated to an island part 13 constituting one part of the boundary face of the both layers so that sufficient adhesiveness of the GaN growth layer 10 to the sapphire substrate 12 can be maintained. - 特許庁