���f�B�A

�u�V�X�e���E���������œK���iSTCO�j�v�̎����Z�p�i��ҁj�F���c���̃f�o�C�X�ʐM�i327�j imec�����3nm�ȍ~��CMOS�Z�p�i30�j�i1/2 �y�[�W�j

�{�V���[�Y�̍ŏI��ƂȂ鍡��́A�O��ɑ����u�V�X�e���E���������œK���iSTCO�j�v���������B

» 2021�N10��11�� 11��30�� ���J
[���c���CEE Times Japan]

�@�i�����Ӂj������O���̑����ł��B�܂��O�҂�ǂ܂�邱�Ƃ𐄏����܂��B



��H�u���b�N�̏���d�͂Ɠ�����g����f�������ς��肽��

�@�O���ł́A7nm����ȍ~�̋Z�p�m�[�h�ł́u�݌v�E���������œK���iDTCO�FDesign Technology Co-Optimization�j�v�Z�p�����ł́u����d�͂Ɛ��\�A�V���R���ʐρiPPA�FPower�APerformance�AArea�j�v�̍œK�������X�ɓ���Ȃ邱�Ƃ��q�ׂ��BDTCO��CMOS���W�b�N�̃g�����W�X�^���{�Z���i�X�^���_�[�h�Z���j�Ȃǂ̍œK���ɖ𗧂B

�@7nm����ȍ~�ł́A��H�u���b�N��T�u�V�X�e���Ȃǂł��œK���̏��������炩���ߌ��ς����Ă������Ƃ��]�܂����B������3nm����ł́A��H�u���b�N�����炩���ߍœK�����邱�Ƃ��K�{�ɂȂ�B���̎�i�Ƃ��čl�Ă���Ă���̂��A��H�u���b�N��T�u�V�X�e���Ȃǂ��œK�������@�u�V�X�e���E���������œK���iSTCO�FSystem Technology Co-Optimization�j�v�ł���B�Z���Ԃ������x�ʼn�H�u���b�N�̏���d�͂Ɛ��\�i������g���j�𐄒�ł���悤�ɂȂ�B

�@�O�҂ŏq�ׂ��悤�ɁA��H�u���b�N�̏���d�͂Ɛ��\�i������g���j�����炩���ߌ��ς���]����@�͑�ʂ����2�‚���B1�‚͍����x�������Ԃ��������@�A���Ȃ킿��H�u���b�N�̃}�X�N���C�A�E�g�݌v�i�z�u�z���iPnR�j�݌v�j�����������Ă���A��H�u���b�N�̏���d�͂Ɛ��\�𐄒肷���@���B����1�‚́A���Ԃ͂�����Ȃ����̂̐��x���Ⴂ��@�A���Ȃ킿�����O���U��iRO�j�����j�^�[��H�Ƃ����H�V�~�����[�V���������H�u���b�N�̏���d�͂Ɛ��\�𐄒肷���@�ł���B

��H�u���b�N�̉e�����l�����������O���U������f����

�@��L�̉ۑ�ɑ΂���imec�́A�u�R���|�W�b�g�����O���U��iComposite RO�j�v�ƌĂԓ���ȃ����O���U������j�^�[��H�ɗ��p���邱�ƂŁA�v�����������x�ʼn�H�u���b�N�̏���d�͂Ɠ�����g���𐄒肷�邱�Ƃ����݂��B1�‚̃����O���U���19�i�̃C���o�[�^�‰�H�ō\������B�e�i�ł́A6�w�̋����z����2�΃l�b�g���[�N��ɐڑ�����RC���H�̕��׃��f�����C���o�[�^�̒���ɐڑ����Ă���B

�u�R���|�W�b�g�����O���U��iComposite RO�j�v�̍\���B1�i�isingle-stage�j��������}�����Ă���i���j�B6�w�����z���iM1�`M6�j�̕��ׂ�2�΃l�b�g���[�N��RC���H�Ń��f���������i�E�j�B����ɁA�t�@���A�E�g�iFO�j�̕��ׂ�g�ݍ���ł���m�N���b�N�Ŋg��n �o���Fimec�i2021�N4���ɊJ�Â��ꂽ���ۊw��u2021 Electron Device Technology and Manufacturing Conference�iEDTM�j��imec�����\�����_���uDisruptive Technology Elements, and Rapid and Accurate Block-Level Performance Evaluation for 3nm and Beyond�v�j

�@�R���|�W�b�g�����O���U������f���Ƃ���V�~�����[�V�����ɂ���ē�����g���Ə���d�͂𐄒肵�A�z�u�z���iPnR�j�݌v������̃V�~�����[�V�������ʁi��l�j����сA�ʏ�̃����O���U��i�����z���̕��וt���j�����f���Ƃ���V�~�����[�V�������ʂƔ�r�����BCMOS���W�b�N���\������v�f�Z�p�ɂ�2nm����̃t�H�[�N�V�[�g�iFS�j�\���A2nm����̃i�m�V�[�g�iNS�j�\���A2nm����̃G�A�M���b�v�≏�ƒ�U�d���iLow K�j�≏�A3nm����̃f���A���_�}�V���iDD�j�A2nm����̃Z�~�_�}�V���iSD�j��I�сA�v�f�Z�p�̈Ⴂ�ɂ�铮����g���Ə���d�͂̕ω��𐄒肵���B

�@�z�u�z���iPnR�j�݌v������̃V�~�����[�V�������ʂ���l�i1.00�j�Ƃ���ƁA�ʏ�̃����O���U��i�����z���̕��וt���j�����f���Ƃ���V�~�����[�V�������ʂɔ�ׁA�R���|�W�b�g�����O���U������f���Ƃ���V�~�����[�V�������ʂ͊�l�ɂ��Ȃ�߂��������B

�v�f�Z�p�̈Ⴂ�ɂ�铮����g���Ə���d�͂̕ω��i�V�~�����[�V�����ɂ�鐄��j�B���ڂ͍�����A2nm����̃t�H�[�N�V�[�g�iFS�j�\���ɂ�����d���i���x�j�D��݌v�iFS Ieff�j�Ɨe�ʁi�����d�́j�D��݌v�iFS Ceff�j�̔�r�A2nm����̃t�H�[�N�V�[�g�iFS�j�\���i�d���D��݌v�j�ƃi�m�V�[�g�i�\���j�̔�r�A2nm����̃Z�~�_�}�V���z���ɂ�����G�A�M���b�v�≏�ƒ�U�d���iLow K�j�≏�̔�r�A2nm����̃Z�~�_�}�V���z����3nm����̃f���A���_�}�V���z���̔�r�A�ł���B���l�̐Ԏ��́A��l�ł���z�u�z���iPnR�j��̃V�~�����[�V�������ʂƂ̃Y����������g����1.05�ȏ�A����d�͂�1.10�ȏ�ɒB�����ꍇ�i���ق��傫���ꍇ�j�m�N���b�N�Ŋg��n �o���Fimec�i2021�N4���ɊJ�Â��ꂽ���ۊw��u2021 Electron Device Technology and Manufacturing Conference�iEDTM�j��imec�����\�����_���uDisruptive Technology Elements, and Rapid and Accurate Block-Level Performance Evaluation for 3nm and Beyond�v����j
imec��5nm�����3nm����ŃV���R���ʐςƓ�����g���̕ω��𐄒肵�����ʁB�Šۂ͔z�u�z���iPnR�j��A���ۂ̓R���|�W�b�g�����O���U��iComposite RO�j�̃��f���A�Ԋۂ͒ʏ�̃����O���U��i�����z���̕��וt���j�̃��f���m�N���b�N�Ŋg��n �o���Fimec�iIEDM2020�̃`���[�g���A���u���uInnovative technology elements to enable CMOS scaling in 3nm and beyond - device architectures, parasitics and materials�v�̔z�z�����j
�@�@�@�@�@�@ 1|2 ���̃y�[�W��

Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.

'; } else { return false; } recoBox.innerHTML = html; return recoBox; }; // �֘A�L�����擾���č�����g������i�����L���j var setRecomend = function(type) { // �L�[���[�h�����Ƃ�html ���擾 var wp = setRecomendItem(); if(!wp){ cx_count(test_id + '_default_imp','impression'); console.log(test_id + '_default_imp','impression'); return false; } // ���X�g��n����html���쐬 var recoBox = wplistHtml(wp,type); // target ���擾 var target; if(d.getElementById('endlinkConnection')){ console.log('�֘A�L��'); target = d.getElementsByClassName('endlink')[0]; } else { console.log('indexlink'); target = d.getElementById('colBoxIndexlink'); } // target �Ƀ��R�����h������ target.parentNode.insertBefore(recoBox, target); cx_count(test_id + '_' + wp.group + '_imp','impression'); console.log(test_id + '_' + wp.group + '_imp','impression'); // a �^�O���擾���� var atags = recoBox.getElementsByTagName('a'); for (var j=0; j 0) { var box_list = d.getElementsByClassName('cmsBodyBox'); for (var i=0; i
'; footer = '
'; html = header + html + footer; document.write(html); } })();

RSS�t�B�[�h

����SNS

EE Times �C�O�l�b�g���[�N

�C�O��g�T�C�g

All material on this site Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
This site contains articles under license from AspenCore LLC.