2奈米試產良率告捷 台積電明年如期量產

半導體供應鏈傳出，台積電二奈米試產良率超過六成，比預期為佳，明年將如期量產，並將從新竹寶山廠複製到高雄廠量產。（美聯社檔案照）

〔記者洪友芳／新竹報導〕半導體供應鏈傳出，台積電二奈米試產良率超過六成，比預期為佳，明年將如期量產，屆時將是全球最先進的製程技術，並將從新竹寶山廠複製到高雄廠量產。

台積電的二奈米首度採奈米片（Nanosheet）架構，比目前三奈米的鰭式場效電晶體（FinFET）製程技術門檻更高、更複雜；目前正在竹科寶山第一座廠展開風險性試產，待良率達量產水準，會將量產經驗複製到高雄首座廠量產。

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未來2奈米量產重心在高雄廠區

台積電不透露試產良率多少，但強調目前二奈米進展順利，將於二○二五年如期量產，屆時將會是業界最領先的技術。供應鏈並傳出，寶山二奈米廠傾向是試產的實驗生產線，未來二奈米量產重心將在高雄廠區。

台積電先前表示，全世界有九十九％的AI（人工智慧）相關晶片由台積電生產，台積電目前三奈米需求熱絡，二奈米製程更受AI相關客戶青睞。台積電董事長暨總裁魏哲家對於二奈米需求熱絡程度，更以「做夢也沒想到」形容，正積極準備產能，以滿足客戶需求。

同世代A16製程 預計2026年量產

他並說，台積電在二奈米之後，也將推出同世代的A16製程，並將結合超級電軌（Super Power Rail）架構與奈米片電晶體，預計二○二六年量產；業界預期大客戶蘋果將是台積電二奈米的首家客戶。

市場調查指出，三星從三奈米導入環繞閘極電晶體（GAAFET）的多橋通道場效電晶體（MBCFET）架構，但至今生產還沒放量，並努力改善MBCFET製程；英特爾18A（一．八奈米）將導入帶式場效電晶體（RibbonFET），三家半導體大廠並正式展開GAAFET架構競賽；業界多半認為，台積電在二奈米製程將繼續領先。

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