Hoch Und Höchstfrequenz Halbleiterschaltungen - Prof - Thumm

Universitt Karlsruhe (TH) Institut fr Hchstfrequenztechnik und Elektronik

IHE

Skriptum zur Vorlesung

Hoch und Hchstfrequenz Halbleiterschaltungen

Prof. Dr. rer. nat. Dr. h. c. M. Thumm
15. Auflage WS 2008/2009 Skript berarbeitet von J. Flamm, A. Arnold, O. Braz, H.U. Nickel und T. Geist
Bevor es los geht. . .

. . . ein paar Anmerkungen.
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Inhaltsverzeichnis
Literaturverzeichnis 1 Streifenleitungen 1.1 1.2 1.3 Bauformen planarer Wellenleiter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Wellentypen und Feldverteilung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2.1 1.3.1 1.3.2 1.3.3 1.4 1.4.1 1.4.2 1.4.3 1.4.4 1.4.5 1.4.6 1.5 1.5.1 1.5.2 1.5.3 1.5.4 1.6 1.6.1 Wellentypen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Statische Nherung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Dynamische Analyse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Einuss der endlichen Leiterdicke auf ZL und r,e . . . . Wellenwiderstand und Permittivitt . . . . . . . . . . . . . . . . . 6 10 10 13 13 19 19 25 26 27 28 29 32 33 36 36 38 38 41 41 45 49 49
Dmpfung der Mikrostreifenleitung . . . . . . . . . . . . . . . . . Die Leiterdmpfung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Einuss der Haftschicht . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Einuss der Oberchenrauhigkeit
Dielektrische Dmpfung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Ableitungsverluste . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Abstrahlungsverluste . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Massekontaktierung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Der Innenleiterbergang . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Sonderformen von bergngen . . . . . . . . . . . . . . . . Messfassung fr Microstrip-Komponenten . . . . . . . . . . Der Leerlauf . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
bergnge und Testfassungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Bauelemente in Microstrip-Technik . . . . . . . . . . . . . . . . .
4 1.6.2 1.6.3 1.6.4 1.6.5 1.6.6 2 Verstrker 2.1
INHALTSVERZEICHNIS Kurzschlsse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Reexionsfreie Abschlsse . . . . . . . . . . . . . . . . . . Symmetrische Leiterbreitenstufe . . . . . . . . . . . . . . . Symmetrische Verzweigung . . . . . . . . . . . . . . . . . . Berechnung von Kopplern in Streifenleitungstechnik . . . . 50 53 54 55 57 60 61 62 66 69 82 88 95 Grundschaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Zweitorverstrker . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.1.1 2.1.2 2.1.3 2.1.4 2.1.5 2.1.6 2.1.7 Gegenkopplung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Stabilitt und Leistungsanpassung Verstrkerrauschen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Grosignaleigenschaften und nichtlineare Verzerrungen . . Anpassungsnetzwerke . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Breitbandverstrker . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104 Reexionsverstrker mit Tunneldiode . . . . . . . . . . . . 117 Reexionsverstrker mit Gunn-Elementen und Lawinenlaufzeitdioden . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 121 Parametrische (Reaktanz-) Verstrker . . . . . . . . . . . . 123 127
2.2
Eintorverstrker . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116 2.2.1 2.2.2 2.2.3
3 Oszillatoren 3.1 3.1.1 3.1.2 3.2 3.2.1 3.2.2 3.2.3 3.3 3.3.1 3.3.2 3.4
Niederfrequenzoszillatoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 127 Rechteckgeneratoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 127 Erzeugung von Sinusschwingungen . . . . . . . . . . . . . 129 Oszillatoren mit Tunneldioden . . . . . . . . . . . . . . . . 132 Oszillatoren mit Gunn-Element . . . . . . . . . . . . . . . 134 Oszillatoren mit IMPATT-Dioden . . . . . . . . . . . . . . 135 Instabile Zweitore . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 136 Maximale Instabilitt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 137
Eintor-Oszillatoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131
Zweitor-Oszillatoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 136
LC-Oszillatoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140
INHALTSVERZEICHNIS 3.5
Quarzoszillatoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 146 3.5.1 3.5.2 3.5.3 Quarztypen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 146 Elektrische Eigenschaften . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150 Oszillatorschaltungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 152 Einseitige Streifenleitungskopplung . . . . . . . . . . . . . 155 DR-Bandpass-Filter in Microstrip . . . . . . . . . . . . . . 156 Resonanzfrequenz und Verstimmung . . . . . . . . . . . . 157 Oszillatorschaltungen mit dielektrischen Resonatoren . . . 158 160 168 Unterscheidung der Mischer nach der Frequenzlage . . . . 169 Weitere Unterscheidungskriterien . . . . . . . . . . . . . . 170 Kombinationsfrequenzen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 171 Leistungsbeziehungen von Manley und Rowe . . . . . . . . 171 Leistungsbeziehungen von Page und Pantell . . . . . . . . 172
3.6
Oszillatoren mit dielektrischem Resonator . . . . . . . . . . . . . 154 3.6.1 3.6.2 3.6.3 3.6.4
4 Frequenzvervielfacher 5 Mischer 5.1 5.1.1 5.1.2 5.1.3 5.1.4 5.1.5 5.2 5.3 5.4
Allgemeines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 168
Mischer mit gesteuertem Wirkleitwert . . . . . . . . . . . . . . . . 173 Verallgemeinerte Konversionsmatrix . . . . . . . . . . . . . . . . . 176 Schaltungstechnik von Mischern . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 179 5.4.1 5.4.2 5.4.3 5.4.4 5.4.5 Eintaktmischer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 179 Gegentaktmischer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 180 Doppelgegentaktmischer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 183 Konstruktionsbeispiel eines mm-Wellen-Mischers . . . . . . 188 uere Beschaltung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 190
Literaturverzeichnis
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LITERATURVERZEICHNIS [13] Gonzalez, G.: Microwave Transistor Amplier - Analysis and Design. Prentice Hall Verlag, Englewood Cli, New Jersey, 1984.* [14] Golio, J. M.: Microwave MESFETs and HEMTs. Artech House Verlag, Boston und London, 1991.
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8 Speziell zum 5. Kapitel:
LITERATURVERZEICHNIS
[27] Maas, S. A.: Microwave Mixers. 2. Auflage, Artech House Verlag, Boston und London, 1993.* [28] Maas, S. A.: Nonlinear Microwave and RF Circuits. 2. Auflage, Artech House Verlag, Boston und London, 2003. [29] Archer, J. W.: Low-Noise Receiver Technology for Near-Millimeter Wavelengths. Infrared and Millimeter Waves, Vol. 15, edited by K. J. Button, Academic Press Verlag, Orlando, 1984, 186.* Empfohlene Literatur zur weiteren Vertiefung: [30] Besser, L., Gilmore, R.: Practical RF Cicuit Design for Modern Wireless Systems: Volume 1 Passive Cicuits and Systems. Artech House Verlag, Boston und London, 2003. [31] Gilmore, R., Besser, L.: Practical RF Cicuit Design for Modern Wireless Systems: Volume 2 Active Cicuits and Systems. Artech House Verlag, Boston und London, 2003. [32] Rogers, J. W. M., Plett, C.: Radio Frequency Integrated Circuit Design. Artech House Verlag, Boston und London, 2003. [33] Surez, A., Qur, R.: Stability Analysis of Nonlinear Microwave Circuits. Artech House Verlag, Boston und London, 2003. [34] Bahl, I.: Lumped Elements for RF and Microwave Circuits. Artech House Verlag, Boston und London, 2003. [35] Pedro, J. C., Carvalho, N. B.: Intermodulation Distortion in Microwave and Wireless Circuits. Artech House Verlag, Boston und London, 2003. [36] Vuolevi, J.: Distortion in RF Power Ampliers. Artech House Verlag, Boston und London, 2003. [37] Kenington, P. B.: High Linearity RF Amplier Design. Artech House Verlag, Boston und London, 2000. [38] Cripps, Steve C.: Advanced Techniques in RF Power Amplier Design. Artech House Verlag, Boston und London, 2002. [39] Swanson, D. G., Hoefer, W. J. R.: Microwave Circuit Modeling Using Electromagnetic Field Simulation. Artech House Verlag, Boston und London, 2003.
*
Nicht mehr in Druck.
Vorwort
Hochfrequenzschaltungen werden heute bis weit in den GHz-Bereich in planarer Technik auf Substraten aus Kunststoen oder keramischen Materialien aufgebaut. Die Schaltkreise sind dabei in gemischter Technik als Hybridschaltungen aufgebaut. Damit ist gemeint, dass passive Komponenten wie Widerstnde, Induktivitten, Kapazitten und insbesondere Leitungen einheitlich erstellt werden, aber aktive Halbleiterbauelemente anschlieend mit besonderen Einbautechniken eingefgt werden. Hochfrequenzschaltungen mit einheitlicher Technologie fr alle Komponenten in Gestalt monolithisch integrierter Schaltungen erreichen heute auf Silizium den unteren GHz-Bereich, und auf GaAs Frequenzen bis ber 40 GHz. Monolithisch integrierte Schaltungen auf SiGe erreichen Frequenzen bis ca. 75 GHz. Der Spitzenreiter unter den Halbleitertechnologien stellt InP dar mit Frequenzen bis ber 100 GHz. Die Technik der monolithisch integrierten Mikrowellenschaltungen (MMIC nach Monolithic Microwave Integrated Circuit) entwickelt sich besonders auf Mischhalbleitern (Heterostrukturen, zu noch hheren Frequenzen) sehr schnell, erfordert aber einen sehr hohen, nur bei groen Stckzahlen vertretbaren, Entwicklungs- und Herstellungsaufwand. Aus diesen Grnden ist heute oft noch die hybride Schaltungstechnik bei hohen Frequenzen vorherrschend. Auch auf diese Schaltungen wird meist der berbegri Integrierte Schaltungen angewendet, die verwendete Technik wird vielfach auch als MIC-Technik bezeichnet (nach Microwave Integrated Circuit). Neben wirtschaftlichen und fertigungstechnischen Grnden war magebend fr die Entwicklung von Hochfrequenzschaltungen in integrierter Technik eine Anpassung der Gre der passiven Schaltelemente an die Abmessungen von aktiven Halbleiterbauelementen. Wesentliche Vorteile bringt hier die Verwendung von Streifenleitungen, deren gnstige Eigenschaften zu Beginn der fnfziger Jahre erkannt wurden. Schaltungsaufbauten mit Hohlleitern sind hierfr nur sehr wenig geeignet und erfordern einen hohen Fertigungsaufwand. Sie werden nur dann verwendet, wenn sehr geringe Leitungsverluste gefordert werden oder aber hohe Leistungen bertragen werden mssen. Das erste Kapitel dieser Vorlesung beschftigt sich deshalb mit der Streifenleitungstechnik. Im Anschluss daran werden dann in den folgenden Kapiteln Verstrkerschaltungen, Oszillatoren, Frequenzvervielfacher und Mischer zur Frequenzumsetzung behandelt. 9
Kapitel 1 Streifenleitungen
1.1 Bauformen planarer Wellenleiter
Aus den Grundlagenvorlesungen sind insbesondere koaxiale Wellenleiter sowie verschiedene Typen von Hohlleitern bekannt. Neben diesen klassischen Wellenleiterformen, die sich speziell durch relativ einfache Berechnungsmglichkeiten fr die Feldgeometrie auszeichnen, existieren noch vielfltige andere Strukturen. Aufgrund der starken Nachfrage nach Hochfrequenz- und Mikrowellenkomponenten und Gerten entstand die Notwendigkeit, Leitertypen mit geringen Fertigungskosten und guter Wiederholbarkeit der Eigenschaften zu bevorzugen. Hierzu bieten sich die diversen Formen planarer Wellenleiter (Streifenleitungen) geradezu ideal an. Planare Wellenleiter sind Mikrowellenleitungen, die in Form von achen leitenden Streifen auf einem dielektrischen Substrat mit parallel gefhrter Gegenelektrode ausgefhrt sind. Je nach Anwendungsbereich bieten sich verschiedene Ausfhrungsformen gem Abb. 1.1 an: Hierbei stellt die Mikrostreifenleitung (Abb. 1.1a) aufgrund ihres einfachen Aufbaus und des relativ geringen technologischen Realisationsaufwands die am weitesten verbreitete Leitungsform dar (D. Grieg und H. Englemann, 1952). Die Suspended-Substrate-Leitung (Abb. 1.1c) besitzt grere Gte und aufgrund des geschirmten Aufbaus bessere Genauigkeit der elektrischen Eigenschaften. Die heute nur selten eingesetzte Dreiplatten-Leitung (Abb. 1.1b) wird auf Kunststosubstraten aufgebaut. Die technologischen Schwierigkeiten sind hierbei nicht unerheblich: Wird der Zentralleiter eingegossen, so sind nachfolgende Modikationen (z.B. Lngenkorrekturen bei Stichleitungen, Einbau von Komponenten) ausgeschlossen. Wird dagegen ein mehrlagiger Aufbau verfolgt (Sandwich), so besteht bei Temperaturdrift das Risiko des Werfens einer oder beider Substratseiten. Hierdurch kann unkontrolliert Luft als drittes Dielektrikum zwischen obere und 10
1.1. BAUFORMEN PLANARER WELLENLEITER

a Substrat r 1 Streifenleiter b 0 c 0 1
11
r
0
0 Masse d 1 2 0 e
0 f
Abb. 1.1: Hauptleitungs-Bauformen mit eigener Schaltkreistechnik: a) Mikrostreifenleitung (microstrip); b) Dreiplatten- (triplate) Leitung; c) Suspended-Substrate-Leitung; d) Flossenleitung (nline); e) dielektrische Bildleitung (dielectric image guide); f) Microguide.
untere Plattenhlfte dringen und so die Leitungsparameter wie Ausbreitungsgeschwindigkeit und Wellenwiderstand erheblich beeinussen. Ausschlielich fr Millimeterwellen (ca. 30300 GHz) geeignete Formen zeigen die Abb. 1.1df. Bei der dmpfungsarmen Finleitung (Abb. 1.1d) bendet sich ein mit geschlitzter Metallisierung versehenes Substrat in einem abschirmenden Hohlleiter. Ihren Namen hat diese Leitung von den ossenfrmigen Metallisierungen des Substrats in den bergngen zwischen Hohlleiter und Finleitungsstruktur. Sie ndet hauptschlich dort Einsatz, wo innerhalb eines Hohlleiters parallele Schaltungselemente (z.B. PIN-Dioden-Dmpfungsglied) eingebracht werden sollen. Aufgrund des erheblichen Aufwands (Bau spezieller Halterungsteile fr das Substrat, Probleme der Massekontaktierung, schwieriges Biasing) wird diese Leitung jedoch nur in Ausnahmefllen eingesetzt. Dielektrische Wellenleiter beruhen auf der Umkehrung des Hohlleiterprinzips, d.h. durch einen hohen Sprung der Dielektrizittskonstanten r an der Auenwand tritt eine fast vollstndige Reexion der Welle zurck in den Leiter auf; hierdurch kann gleichfalls Wellenausbreitung im Leiter stattnden. Als Beispiel zeigt Abb. 1.1e die dielektrische Bildleitung (Image-Line) wobei die Welle in einem ber einer Metallebene angebrachten dielektrischen Streifen gefhrt wird. Damit ergibt sich eine zustzliche Randbedingung. Als Abwandlung der Mikrostreifenleitung zeigt Abb. 1.1f den Microguide, der sich bei gegebener Frequenz von der Microstrip durch den wesentlich breiteren Streifen unterscheidet. Damit kann sich auf ihm die erste Oberwelle mit Querresonanz (Nullstelle des elektrischen Feldes in der Streifenleitermitte) ausbreiten. Im Gegensatz zu den bislang vorgestellten Leiterformen sind die in Abb. 1.2 dargestellten Typen nur fr Spezialanwendungen gedacht:
12
a b 1 1 0 0 0 c
KAPITEL 1. STREIFENLEITUNGEN
d 1 1 1 0 0 e
Abb. 1.2: Leitungs-Sonderformen: a) Invertierte Mikrostreifenleitung (inverted microstrip); b) Mikrostreifenleitung mit hochgesetztem Streifenleiter (elevated microstrip); c) High-QTriplateleitung; d) Kammerleitung; e) gefhrte invertierte Mikrostreifenleitung (trapped inverted microstrip).
Die sogenannte High-Q-Triplate (Abb. 1.2c) ist eine Bauform der SuspendedSubstrate-Leitung bei der aber zwei Streifenleiter parallel geschaltet sind, um so hhere Gte zu erreichen. Die gefhrte invertierte Microstrip (trapped inverted microstrip) aus Abb. 1.2e ermglicht wegen der Feldenergiekonzentration in dem mitlaufenden Massekanal eine strkere Entkopplung gegen benachbarte Leitungen als die einfache Microstrip. Bei der Kammerleitung (Abb. 1.2d) luft sogar eine vollstndige Schirmung mit dem Streifenleiter mit. Solche Leitungen werden fr Schlitzantennen in synthetischen Aperturradarsystemen eingesetzt. Zustzlich zu den vorgestellten Typen existieren noch diverse Hilfsleitungen der MIC-Technik (Abb. 1.3); das sind Formen, die z.B. im bergang zwischen unterschiedlichen Leitungstypen oder zur Erzeugung denierter Kopplungen bzw. hoher oder sehr kleiner Wellenwiderstnde eingesetzt werden. Bei der MMICTechnik jedoch ist die Koplanarleitung (Abb. 1.3a) die Hauptleitungs-Bauform mit eigener Schaltkreistechnik.
a 0 1 0 b 1 2 c 1 0 d 1 2 e 1 f 1
Abb. 1.3: Hilfsleitungen fr Mikrostreifenleitungsschaltungen: a) Koplanarleitung; b) koplanare Zweibandleitung; c) unsymmetrische Koplanarleitung; d) Schlitzleitung (slotline); e) Mikrostreifenleitung mit Masseschlitz; f) Bandleitung.
Im folgenden soll nur noch die Microstrip betrachtet werden, da sie die vielfltigsten Einsatzmglichkeiten aufweist.
1.2. WELLENTYPEN UND FELDVERTEILUNG
13
1.2
1.2.1
Wellentypen und Feldverteilung der Mikrostreifenleitung

Wellentypen
Fr ein einfaches Schaltungsdesign ist es wnschenswert, Leitungen mit einer TEM-Feldverteilung einzusetzen, da hier Wellenwiderstand und Phasengeschwindigkeit (Ausbreitungsgeschwindigkeit) frequenzunabhngige Gren darstellen; d.h. es herrscht keine Dispersion der sich ausbreitenden Welle. Im Gegensatz dazu ist die Grundwelle der Streifenleitung bereits eine Hybridwelle mit Ez - und Hz Komponenten (Koordinatensystem gem Abb. 1.4). Allgemein werden diese Felder als HEn -Wellen bezeichnet, wobei n die Anzahl der Vorzeichenwechsel der Stromdichte Jz in y-Richtung angibt. Grundwelle ist die HE0 -Welle, die fr niedrige Frequenzen, wo die Dielektrikumsdicke h klein gegen die Wellenlnge ist, in eine TEM-Form bergeht. Sie wird daher oft als Quasi-TEM-Welle bezeichnet.
x t w w: Breite des Streifenleiters h z 0 r y h: Dicke des Dielektrikums t: Dicke des Streifenleiters
Abb. 1.4: Mikrostreifenleitung (Microstrip).
Feldverteilung der Grundwelle Da die Microstrip ein System aus Hin- und Rckleiter darstellt, sich also die Rnder auch im Unendlichen nicht berhren, ist die untere Grenzfrequenz fg0 = 0 (1.1)
Als grobe Abschtzung des stabilen Bereichs der Quasi-TEM-Welle (HE0 ) kann fr die Grenzfrequenz der ersten Oberwelle (HE1 ) die Nherung der H1,0 -Welle (TE1,0 -Welle) des Rechteckhohlleiters getroen werden: Mit w >1 h (1.2)
14 gilt vereinfacht fg1
c0 2w r
(1.3)
wobei c0 die Lichtgeschwindigkeit im Vakuum ist. Somit ergibt sich etwa ein stabiler Bereich der HE0 -Welle von: 0f < c0 2w r (1.4)
Im Gegensatz zu einfachen Wellenleiterformen wie Koaxialkabel und Hohlleiter lassen sich die Felder der Mikrostreifenleitung i.A. nicht geschlossen berechnen. Das rhrt von der geschichteten Struktur des Dielektrikums her, wobei ein Teil der Welle in Luft, ein anderer Teil im Substrat gefhrt wird. Durch die unterschiedlichen Ausbreitungsgeschwindigkeiten cs innerhalb und ca auerhalb des Substratmaterials, ca = c0 ; c0 cs = r (1.5)
fhrt die Feldberechnung auf ein Eigenwertproblem mit nichttrivialen Lsungen. Solche Probleme knnen nur numerisch gelst werden, wozu sich heute diverse Verfahren wie Finite-Elemente-Methode, Finite-Dierenzen-Methode, FiniteIntegrations-Methode, Transmissionsleitungs-Methode, Randelementen-Methode oder Momenten-Methode (Orthogonalentwicklungen) anbieten. Bei der Orthogonalentwicklung beispielsweise wird dazu ein System orthogonaler Eigenfunktionen ermittelt, die alle in der Lage sind, die geforderten Randbedingungen zu erfllen. Die zum besseren Verstndnis der Wellenausbreitung auf der Microstrip im folgenden gezeigten Abbildungen wurden smtlich mittels solcher Berechnungsverfahren numerisch ermittelt.
Streifenleiter w Jz Substrat: r
Die Abb. 1.5 zeigt qualitativ die Stromdichtekomponente Jz auf der Streifenoberseite (x = h + t), Streifenunterseite (x = h) und auf der Grundplatte (x = 0). Sie hat in y-Richtung keinen Vorzeichenwechsel, daher handelt es sich um die HE0 -Welle.
h y Masseleiter
Abb. 1.5: Stromdichten auf der Mikrostreifenleitung.
15
Abb. 1.6 zeigt die E- und die H-Feldlinien in einer Querschnittsche z = constant. Alle Feldbilder wurden des einfacheren Ansatzes wegen unter der Voraussetzung einer metallischen Schirmung ermittelt, so dass die Felder in groem Abstand vom Streifenleiterzentrum nicht mehr ganz der Realitt der oenen Streifenleitung entsprechen.
elektrisches Feld:
magnetisches Feld:
Abb. 1.6: E- und H-Feldlinien einer Mikrostreifenleitung mit metallischer Schrimung in einer Querschnittsche z = constant. Leiterdicke t = 0.
Um eine bessere Gesamtbersicht zu erhalten, sind in den Abb. 1.7 und Abb. 1.8 die Felder perspektivisch dargestellt. Abb. 1.7 stellt einige ausgewhlte H-Feldlinien dar, wobei die Leitungswellenlnge ist. Abb. 1.8 zeigt eine vollstndigere Darstellung der E- bzw. H-Felder.
Abb. 1.7: H-Feld einer Mikrostreifenleitung.
Deutlich zeigt sich hier, dass sowohl das elektrische als auch das magnetische Feld neben den dominierenden Queranteilen ebenfalls merkliche Lngsanteile besitzen. Aus Abb. 1.6 kann auerdem eine Aussage ber den Wellenwiderstand gemacht werden: Bei eingehender Betrachtung ergibt sich, dass die transversalen E- und H-Feldkomponenten in erster Nherung senkrecht zueinander stehen. Mathematisch kann dies gem Gl. 1.6 und Gl. 1.7 formuliert werden: Et = Ex ex + Ey ey und Ht = Hx ex + Hy ey (1.6)
16
EFeld
HFeld
Abb. 1.8: 3-D Darstellung der H- und E-Feldlinien einer Mikrostreifenleitung.
Et Ht = 0 oder Ex Hx + Ey Hy = 0
(1.7)
Aus Gl. 1.7 ergibt sich, dass unter obiger Nherung ein festes Verhltnis zwischen den Komponenten von Et und Ht existiert, d.h. es gibt einen festen, charakteristischen Wellenwiderstand (Gl. 1.8) ZL = Ex Ey = Hy Hx (1.8)
fr die Microstrip. Mit zunehmender Frequenz verliert die Annahme ihre Gltigkeit, d.h. der Wellenwiderstand ist dort in Wirklichkeit unendlich vieldeutig (hhere Wellentypen mit anderem ZL). Hhere Wellentypen Entsprechend dem Modenschema in Abb. 1.9 treten fr hhere Frequenzen zustzliche Hybridmoden mit stark frequenzabhngigen Phasenkonstanten auf. Zustzlich aufgefhrt ist der Anteil der Abstrahlung, die bei der oenen Mikrostreifenleitung zur Leitungsdmpfung beitrgt (schraerte Flche). Den ortsabhngigen Verlauf der Lngs- und Querstrme der ersten drei Moden zeigt Abb. 1.10. Whrend bei der Grundwelle der Lngsstrom auf dem Streifen nahezu ber der gesamten Breite konstant bleibt und erst zum Rand hin aufgrund des Skineekts zunimmt (grere elektrische Feldkonzentration an den Kanten), zeigen die hheren Moden Nullstellen und Vorzeichenwechsel im Lngsstrom. Querstrme ieen bei der Grundwelle nur in geringem Umfang, was eine weitere Rechtfertigung fr die Annahme der Quasi-TEM-Welle ist.

c0 /vp(f) statische (TEM)Nherung: = const., ZL~ ~ const. vp=
17
Strahlungs spektrum Eindeutigkeits bereich der QuasiTEMWelle f 3. Oberwelle fg,stat fg2 1. Oberwelle technische Anwendungen 0 fg1 hybride Grundwelle (QuasiTEMWelle) fg3 2. Oberwelle
Grenzfrequenz der n-ten Oberwelle: fgn

nc o 2w r
Abb. 1.9: Modenschema der Mikrostreifenleitung vp v .

3 Lngsstromdichte 2 HE1 normierte Stromdichte r =9,6 1 HE0 HE0 0 HE1
9,15 mm 0,635 mm
Querstromdichte
1 HE2
HE2
2 0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0 0 2 y/w
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
Abb. 1.10: Normierte Lngs- und Querstromdichte der Grundwelle HE0 und der hheren Wellentypen HE1 und HE2 der Mikrostreifenleitung bei f=12 GHz (fg1 =5,27 GHz).
Bei oenen Strukturen und dicken Substratmaterialien mssen auch die Oberchenwellen bercksichtigt werden, die an Strstellen erzeugt werden knnen. Die TM0 -Oberchenwelle hat ebenso wie die HE0 -Grundwelle der Mikrostrei-
18
fenleitung keine untere Grenzfrequenz und trgt in Form von Abstrahlung zur Leitungsdmpfung bei (Abb. 1.9). In Abb. 1.11 ist das Feldbild der TM0 Oberchenwelle (Zenneck -Welle) skizziert. Ist die Masseplatte, die in der y-zEbene liegt, ideal leitend (2 ) so breitet sich die Welle als eine ebene Welle im nichtleitenden Medium parallel zur Oberche aus ( 0).
E H x
y 2 2
Abb. 1.11: Feldbild der TM0 -Oberchenwelle.
Die Grenzfrequenz der nchst hheren Oberchenwelle (TE0 ) erhlt man aus Gl. 1.9 c0 fg,TE0 = . (1.9) 4h r 1 Fr die noch hheren TMn - bzw. TEn -Oberchenwellen gilt der allgemeine Zusammenhang (n = 0, 1, 2, . . . ): fg,TMn = fg,TEn c0 n = 2nfg,TE0 2h r 1 c0 (1 + 2n) = (1 + 2n) fg,TE0 = 4h r 1 (1.10) (1.11)
In geschirmten Gebilden (z.B. Abb. 1.2d) sind zustzlich zu den HEn -Wellen die Grenzfrequenzen der TEx - und TMx -Wellen unter Bercksichtigung der teilweisen dielektrischen Fllung zu beachten.
1.3. WELLENWIDERSTAND UND PERMITTIVITT
19
1.3
1.3.1
Wellenwiderstand und Permittivitt

Statische Nherung
Bei tiefen Frequenzen breitet sich in der Mikrostreifenleitung nherungsweise eine TEM-Welle aus. Der Wellenwiderstand ZL und die Phasenkonstante knnen mit konformer Abbildung gewonnen werden. Hierzu wird in der Abbildungsebene der Kapazittsbelag C und die Phasengeschwindigkeit v bestimmt. Unter Vernachlssigung der Dmpfung gilt ZL = Der Induktivittsbelag L ergibt sich aus 2 = L C = = v zu L = 2 1 = 2 2 C v C 1 v C (1.13) L C (1.12)
(1.14)
Der Wellenwiderstand ergibt sich somit aus Gl. 1.12 zu ZL = (1.15)
Bei einer Leitung mit homogenem Dielektrikum (r = 1, r bekannt) ist c0 v = r mit c0 = 1 0 0 (1.16)
Bei einer Leitung mit inhomogenen (z.B. mehrschichtigem) Dielektrikum wird die Ausbreitungsgeschwindigkeit gem Gl. 1.17 zu v = c0 r ,e (1.17)
und mit dem Kapazittsbelag C0 der luftgefllten Leitung ergibt sich der tat schliche Kapazittsbelag C der Leitung. C = C0 r ,e
(1.18)
Die eektive relative Dielektrizittskonstante r,e fr ein homogenes Ersatzmedium kann nherungsweise berechnet werden, indem die Feldanteile in den einzelnen Schichten miteinander verglichen werden (sehr grob durch Abschtzung oder
20
durch konforme Abbildung). Vielfach ndet sich in Diagrammen statt des eektiven r auch der sogenannte Verkrzungsfaktor (VKF) fr die Leitungswellenlnge gem Gl. 1.19, wobei 0 die Freiraumwellenlnge bezeichnet. VKF = 1 = r ,e 0 (1.19)
Der Wellenwiderstand ergibt sich dann mit Gl. 1.15 zu r ,e 1 1 1 1 1 = = = ZL0 VKF ZL = C v C0 r ,e c0 C 0 c0 r ,e wobei ZL0 der Leitungswiderstand der luftgefllten Leitung ist. Ermittlung des Kapazittsbelag
(1.20)
Zur Berechnung des Kapazittsbelag C am Beispiel der luftgefllten Streifenleitung (Abb. 1.12a) wird deren Querschnitt in den Querschnitt der Bildleitung (Abb. 1.12b), hier eine Bandleitung, konform abgebildet.
a) 0
w 0
b)
c)
eff
h EFeld HFeld
elektr. Wnde ( = , =0 )
8
Abb. 1.12: Luftgefllte Streifenleitung
magn. Wnde ( =0 , = )
8
Weil auch die Streifenoberseite zu C (vergleiche Abb. 1.6: auch von der Oberseite des Streifens gehen Feldlinien aus) beitrgt, ist die bei den Berechnungen zugrunde zu legende tatschliche Streifenbreite we grer als die geometrische Streifenbreite w : we > w. (1.21) Durch die Abbildung ergibt sich ein homogener Feldverlauf gem Abb. 1.12c, wobei hier die vertikalen Feldberandungen magnetische, die horizontalen Berandungen elektrische Wnde darstellen. Fr den Kapazittsbelag ergibt sich damit
C = C0 = 0
we h
(1.22)
1.3. WELLENWIDERSTAND UND PERMITTIVITT und mit ZF 0 = widerstand

0 0
21
120 377 erhlt man mit Gl. 1.20 fr den WellenZL0 = ZF 0 h we (1.23)
Nherungslsung der Leitungskenngren Aus der konformen Abbildung kann man das asymptotische Verhalten der Microstripkenngren fr bestimmte Grenzflle wie w/h 1 bei r 1 und r 1, sowie fr w/h 1 bestimmen. Aus der Kenntnis des genauen Verlaufs (z.B. aus Messungen) und mit Hilfe theoretisch ermittelter Sttzstellen in erlaubten Bereichen sind von Wheeler (1977) die Analysegleichung ZL (w/h, r , t = 0) und die Synthesegleichung w/h(ZL, r , t = 0) fr 0 w/h und 1 r ermittelt worden:
ZL = Analyseform : 42,4 4h 14 + (8/r ) ln 1 + w 11 r + 1 Syntheseform : 8 exp ZL r + 1 42,4 w = h
4h + w
14 + (8/r ) 11
4h w
2 2
1+
1 r
(1.24) (1.25)
7 + 4/r 11
1 + 1/r exp 0,81
ZL r + 1 42,4
Der Fehler fr ZL bleibt im Gltigkeitsbereich der statischen Nherung in jedem Fall unterhalb von 2%, oft sogar unterhalb von 1%. Fr genauere Berechnungen bieten sich die Lsungen nach Hammerstad und Jensen (1980) an, die analytische Ausdrcke auf der Basis von Funktionalapproximationen herleiteten. Sie ermglichen es, den Wellenwiderstand der luftgefllten Leitung ZL0 und das eektive r zu bestimmen, wodurch eine Ermittlung von ZL gem Gl. 1.20 mit einem maximalen Fehler von 0,3% mglich ist: ZF 0 ln 2 F1 h + w (1.26)
ZL0 = ZL (r = 1) =
1 + (2h/w )2 h w
0,7528
mit
F1 = 6 + (2 6) exp 30,666
(1.27)
22
Das eektive r ergibt sich mit einem maximalen Fehler von 0,2% aus den Gln. 1.28 zu: ab 10h r + 1 r 1 + 1+ r,e = 2 2 w a=1+ 1 1 (w/h)4 + {w/(52h)}2 + ln ln 1 + 49 (w/h)4 + 0,432 18,7 b = 0,564 r 0,9 r + 3
0,053
w 18,1h
(1.28)
Die aus den numerischen Analysen hervorgegangenen Berechnungsgrundlagen fr ZL und r,e sind in den Abb. 1.13 und 1.14 auf den nachfolgenden Seiten in Diagrammform zusammengefasst. Fr die Grenzflle w/h 1 bzw. w/h 1 ergibt sich aus Gl. 1.28: r,e r + 1 2 fu r fu r w/h 1 w/h 1
(1.29)
r,e r Grenze der statischen Rechnung
Die obere Frequenzgrenze fr eine zweckmige Anwendung der statischen Nherung beim praktischen Schaltungsentwurf lt sich empirisch aus Gl. 1.30 ermitteln. Z L / fg,stat ZL0 / = 0,04 = 0,04 0,01 fg1 GHz r,e h/mm h/mm (1.30)
23
Wellenwiderstand ZL
effektive Permittivitt r,eff t=0 w r
160
14
150
140
1,0 2,1 2,3 2,5
13
ZL r,eff Parameter: r
16,0
12
130
11
120
12,9 3,78 11,9
10
110
100
5,67 10,0 9,8 9,6
90
80
70
60
9,8 11,9 12,9 16,0 5,67
50
3,78
40
2,1 2,3 2,5
30 0 0,2
0,4
0,6
0,8
1,2
1,4
1,6
1 1,8
normierte Leiterbreite w/h
Abb. 1.13: Numerisch berechneter Wellenwiderstand ZL und eektive Permittivitt r,e in Abhngigkeit von der normierten Leiterbreite w/h = 01,8.
24
effektive Permittivitt r,eff
Wellenwiderstand ZL
140
t=0 h w r ZL r,eff Parameter: r
14
130
16,0
13
120
12
110
12,9
11
100
1,0
10
11,9
90
2,1 2,3 2,5
80
10,0 9,8 9,6
70
60
3,78
50
5,67
5,67
40
9,8 11,9
4
3,78
30
12,9 16,0
20
2
2,1 2,3 2,5
10 1,5
1 2 2,5 3 3,5 4 4,5 5

Abb. 1.14: Numerisch berechneter Wellenwiderstand ZL und eektive Permittivitt r,e in Abhngigkeit von der normierten Leiterbreite w/h = 1,55.
25
1.3.2
Dynamische Analyse
Eine Lsung unter Bercksichtigung der Frequenzabhngigkeit und damit der Lngskomponenten des Feldes wurde von Kirschning und Jansen (1983) durchgefhrt. Aus einer Flle von mehr als 104 numerischen Sttzstellen, die aufgrund exakter Feldberechnungen ermittelt wurden, ermittelten sie ein approximatives Funktionensystem. Der Gleichungssatz, der als Eingabegren nur die normierte Leiterbreite w/h, die relative Substratpermittivitt r und das Produkt h f in GHz mm fr eine Streifenleiterdicke t = 0 bentigt, ist im folgenden aufgefhrt:
ZL,dyn = ZL,stat (R13/R14)R17 , r,e ,dyn = r
r r,e ,stat 1+P5
(1.31)
,4 R1 = 0,03891 1 r
R2 = 0,267 (w/h)7,0
R4 = 0,016 + (0,0514 r )4,524 R5 = (hf /28,843)12,0 R6 = 22,2 (w/h)1,92
R3 = 4,766 exp 3,228 (w/h)0,641
R7 = 1,206 0,3144 exp (R1) {1 exp (R2 )} R9 = 5,086 R4

R5 0,3838+0,386R4
,674 R8 = 1+1,275 1 exp 0,004625 R3 1 (hf /18,365)2,745 r
,136 R10 = 0,00044 2 + 0,0184 r
exp(R6 ) 1+1,2992R5
(r 1) 1+10( r 1)6
R11 = R12 =
(hf /19,47)6 1+0,0962(hf /19,47)6 1 1+0,00245(w/h)2
R13 = 0,9408 (r,e )R8 0,9603 R15 = 0,707 R10 (hf /12,3)1,097
R14 = (0,9408 R9 ) (r,e ,stat )R8 0,9603 R16 = 1 + 0,0503 2 r R11 1 exp
w/h 15 6
26
P1 = 0,27488 + 0,6315 + 0,525/(1 + 0,0157 hf )20 w/h P2 = 0,033622 [1 exp {0,03442 r }] 0,065683 exp {8,7513 w/h}
R17 = R7 1 1,1241 (R12/R16) exp 0,026 (hf )1,15656 R15
P4 = 1 + 2,751 1 exp (r /15,916)8 mit
P3 = 0,0363 exp {4,6 w/h} 1 exp (hf /3,87)4,97 P5 = P1 P2 [(0,1844 + P3 P4 ) 10hf ]1,5763 ZL,stat = ZL(w/h, r , f = 0) r,e ,stat = r,e (w/h, r , f = 0)
Die Variablen R1 bis R17 und P1 bis P5 sind dimensionslose Hilfsgren, r,e ,stat ergibt sich aus Gl. 1.28, und ZL,stat ergibt sich aus den Gln. 1.20 und 1.26 unter Bercksichtigung der eektiven Permittivitt.
1.3.3
Einuss der endlichen Leiterdicke auf ZL und r,e
Werden alle Mae des Querschnitts einer Leitung um das selbe Vielfache vergrert oder verkleinert, so ndert sich weder ZL noch r,e . Bei kupferkaschierten Trgern ist aber oft die Leiterdicke t = 35 m bzw. t = 17,5 m fest vorgegeben, unabhngig von der Hhe h. Mit sehr groem h ergeben sich die Leitungskenngren fr t = 0. Verkleinert man h bei festgehaltenem Verhltnis w/h, so wchst der Anteil der E-Feldlinien, die auf den Seitenchen y = w/2 des Streifens beginnen oder enden (quivalente Leiterverbreiterung w ). Dies bewirkt: Eine Vergrerung des Gesamtkapazittsbelags (und eine Verminderung des Induktivittsbelags); bei gleichem w/h und konstantem t hat die Leitung mit kleinerem h einen kleineren Wellenwiderstand. Eine Zunahme des Feldanteils in der Luft; bei gleichem w/h hat die Leitung mit kleinerem h den greren VKF (weniger Verkrzung). Beispielhaft zeigt Abb. 1.15 die Abhngigkeit von ZL,dyn und VKFdyn von der Leiterdicke fr das Substratmaterial Epsilam 10.
1.4. DMPFUNG DER MIKROSTREIFENLEITUNG

Z L,dyn / 49,6 49,4 49,2 49,0 48,8 48,6 48,4 48,2 48,0 47,8 0 10 20 30 40 50 60 t/m 70 80 90 100 VKFdyn 0,387 0,386 0,385 0,384 0,383 0,382 0,381 0,380 0,379 0,378
27
Abb. 1.15: Wellenwiderstand ZL,dyn und Verkrzungsfaktor VKFdyn als Funktion der Leiterdicke t (f =2 GHz, r =10,3, w=1,2 mm, h=1,27 mm, Substrat: Epsilam 10).
1.4
Dmpfung der Mikrostreifenleitung
Aus Abb. 1.16 gehen die wichtigsten Ursachen der Dmpfung auf einer Mikrostreifenleitung hervor. Im folgenden sollen die benannten Eekte kurz beschrieben werden, und Nherungsgleichungen bzw. Kurvenscharen zur graphischen Bestimmung des Dmpfungsbelages angegeben werden.
Abstrahlung Oberflchenrauhigkeit
Leiterstreifen Haftschicht Dielektrikum Haftschicht
Leitfhigkeit Leitfhigkeit Ableitung, Umladung
Leitfhigkeit Leitfhigkeit
Masseplatte
Oberflchenrauhigkeit
Abb. 1.16: Schichten und Dmpfungseinsse einer allgemeinen Mikrostreifenleitung (Haftschichten gibt es nur bei Dnnschichttechnik).
28
1.4.1
Die Leiterdmpfung
Die Betriebsfrequenz der Streifenleitungen liegt bei fast allen Substratmaterialien unter der so genannten Dmpfungs-bernahmefrequenz fu , bei der Lngsverluste und Querverluste gleich gro sind. Damit knnen die dielektrischen Verluste gegenber den Leiterverlusten fast immer vernachlssigt werden (Auer fr EPGSubstrat; EPG: Epoxid-Glasfaser). Die Leiterdmpfung entsteht durch den endlichen elektrischen Widerstand des Streifens und der Massemetallisierung. Aufgrund des Betriebs unterhalb der bernahmefrequenz sollte erwartungsgem der spezische Oberchenwider stand RF und damit die Dmpfung mit f zunehmen (Skineekt). Tatschlich trit das wegen der frequenzabhngigen Lngs- und Querstromdichte der hybriden Wellen nicht exakt zu. Fr eine exakte Lsung des Problems mte eine dynamische Analyse erfolgen; hierfr existieren jedoch bislang keine funktionentheoretisch approximierten Ergebnisse oder Kurvenscharen zur graphischen Auswertung. Fr eine unterhalb der statischen Grenzfrequenz (Gl. 1.30) liegende Betriebsfrequenz sind Aussagen mit einer Genauigkeit von besser ca. 8% Restunsicherheit mglich. Diese Beziehungen wurden nach dem Prinzip des Induktivittsinkrements hergeleitet, das die Stromverdrngung bercksichtigt und davon ausgeht, dass nur Lngsstrom auf dem Streifen iet. Der Dmpfungsbelag ergibt sich dabei nach Wheeler (1964) aus Gl. 1.32: = RF A ZL h mit dem Oberchenwiderstand RF = = 2 (1.32)
wobei der spezische Widerstand und die Skintiefe sind. Der von r unabhngige Geometriefaktor A in dB ist abhngig von w/h, wobei gilt: w/h < 0,16 : A =
8,68 2 weq,0 2 4h
1+
h weq,0
h weq,0
t w
+ ln
4w t
(1.33)
0,16 < w/h < 2 : A =

8,68 2
1
weq,0 h
weq,0 2 4h
1+
h weq,0
h weq,0
ln
2h t
t h
(1.34)
A =
2 < w/h < :

8,68
eq,0 + 0,94+ w
/(h) eq,0 /(2h)
weq,0 2 + ln h
{5,44(
weq,0 2h
+0,94)}]
1+
h weq,0
h weq,0
ln
2h t
t h
(1.35)
29
Die quivalente Leiterbreite weq,0 zur Bercksichtigung der endlichen Leiterdicke t errechnet sich nach Wheeler mit weq,0 = w +wt,0 und Gl. 1.36 bzw. Gl. 1.37: wt,0 = t ln 4e
t 2 h
1/ (w/t)+1,10
wt,0 =
Die Gln. 1.331.36 ergeben sich graphisch dargestellt in Abb. 1.17, wobei sich aus der normierten Gre die tatschliche Dmpfung mit Gl. 1.38 ergibt. Fr beliebige Werte von f in GHz, h in mm, r,e (w/h,r ) und in cm betrgt in dB/cm:
=
t ln
4e
t 2 h
1/ (weq ,0 /t)0,26
Analyseform
(1.36)
Syntheseform
(1.37)
r,e (f /GHz) h/mm
(/cm) 1,72 106
(1.38)
Die Skintiefe ist durch = 2 /( ) gegeben (RF = / , vgl. Gl. 1.32). Fr Kupfer gilt /m = 2,1/ f /GHz, also = 0,21 m bei 100 GHz.
1.4.2
Einuss der Haftschicht
Hierdurch erhht sich die Leiterdmpfung abhngig vom Verhltnis Haftschichtdicke zu Eindringtiefe tH /H und dem Verhltnis Leiterwiderstand zu Haftschichtwiderstand L /H ; das Resultat einer statischen Berechnung zeigt Abb. 1.18. In einem speziellen Prozess kann durch direktes Aufbringen einer Kupferkaschierung auf die Substratoberche die Haftschicht vermieden werden. Die Kupferbeschichtung hat eine Dicke von 0,127 bis 0,305 mm. Diese Substrate sind ausgezeichnet geeignet fr thermisch problematische Anwendungen, oder Einsatzflle in denen relativ hohe Leistungen bercksichtigt werden mssen.
Bei der Dnnlmtechnik ist eine dnne, ca. 0,020,1 m dicke Haftschicht zwischen dem Substrat und der eigentlichen Leitschicht des Streifenleiters sowie der Massemetallisierung notwendig. Whrend die Leitschicht aus gut leitendem Material, z.B. Gold ( = 2,6 106 cm) in einer Strke von mehreren Eindringtiefen besteht, sind fr die Haftschicht relativ schlechte Leiter wie Chrom und Tantal (13 106 bzw. 15,6 106 cm) notwendig.
30
0.014 dB
normierte Leiterdicke t = h 0,0005 0,001 0,002 0,005 0,01 0,02 0,05 0,1
t > 3 h t
r,eff r
cm
Dmpfungsbelag * fr f = 1 GHz, h = 1 mm, r = 1 und Kupferleiter
0.012
0.010
0.008
0.006
0.004
0.002
0.000 0.1
0.2
0.4
0.6 0.8 1
8 10
Abb. 1.17: Normierter Leiterdmpfungsbelag der Mikrostreifenleitung fr f =1 GHz, r =1, h=1 mm und =1,72106 cm (Kupfer) in Abhngigkeit von der normierten Leiterbreite w/h.
31
,eff
tL tH tH
111 000 000 111 111 000
RF,L , L , r,L
11111111 00000000
11111111 00000000
tL
RF,H, H, r,H
000 111 11111111 00000000

tL
tL
RF,L , L , r,L
c ,eff
20
k= 0,1
RF,eff RF,L
Parameter: k=
10 8 6
RF,L = RF,H tL >> L
L H
0,2
tH > < H
4
0,3 0,4
1 0,0 0.2 0.0 0,2 0.4 0,4 0.6 0,6 0.8 0,8 1.0 1,0 1.2 1,2 1.4 1,4 1,6 1.6 1.8 1,8 2.0 2,0 th
Haftschichtdicke pro Eindringtiefe
0,5 0,6 0,7 0,8 0,9
Abb. 1.18: Einuss der Haftschicht auf die Leiterdmpfung. a) Leitung mit Haftschicht; b) Vergleichsleitung ohne Haftschicht; c) haftschicht-bedingte Leiterdmpfungserhhung ,e / in Abhngigkeit von der normierten Haftschichtdicke.
32
1.4.3
Einuss der Oberchenrauhigkeit
,eff (rauhe Oberflche) eff
(z)
(glatte Oberflche)
zp zp
eff
z Leiter
(,r )
Abb. 1.19: Rauhe Substratoberche
(,r )
Alle Substrate besitzen im mikroskopischen Bereich rauhe Oberchen (Abb. 1.19). Diese Struktur zeigt sich nach der Metallisierung auch auf der dem Substrat zugewandten Seite des Leiterstreifens und der Masseplatte. Die obere Seite und die Seitenbegrenzungen des Leiterstreifens besitzen ebenfalls stets eine gewisse Rauhigkeit. Durch die aufgrund des Skineekts erhhte Stromdichte in diesen ueren Leiterbereichen entsteht dort eine im Rhythmus der Rauhigkeit modulierte inhomogene Stromdichteverteilung, die zu zustzlichen Verlusten fhrt. Formal wird das durch eine Erhhung des Leiterdmpfungsbelags vom Wert bei glattem Substrat auf ,e bei rauhem Substrat ausgedrckt. Dazu wird eine eektive Rauhtiefe e gem Gl. 1.39 eingefhrt, die den quadratischen Mittelwert der Oberchenrauhigkeit darstellt:
zp
e = Einige gngige Werte fr e sind: polierte Al2 O3 -Keramik unpoliertes Al2 O3 Kunststosubstrate
1 zp
2 (z )dz
0
(1.39)
e 0,05 m e 0,25 m e 1,5 m
Wenn die Rauhigkeit viel kleiner als die Wellenlnge bleibt, so ist es mglich die normale Leiterdmpfung gem Gl. 1.32 anzusetzen, wobei der spezische Oberchenwiderstand RF mit Hilfe der Abb. 1.20 durch den eektiven spezischen
33
Oberchenwiderstand RF,e ersetzt wird. Die Dmpfung ,e erhlt man dann aus der Dmpfung der glatten Oberche mit: RF,e ,e = (1.40) RF 2 RF,e 2 wobei R ist (Morgan, 1949 ). = 1 + arctan 2 e F
2 1,8
RF,eff RF
1,6 1,4 1,2 1 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 eff 1,4 1,6
eff = d 4 Strom
1111111 0000000 0000000 1111111 0000000 1111111

d
,eff
1,8
2,2
2,4
Abb. 1.20: Normierter eektiver spezischer Oberchenwiderstand als Funktion der normierten eektiven Rauhtiefe.
1.4.4
Dielektrische Dmpfung
Da die Verluste nur im Substratteil des Feldes auftreten ist es notwendig, den Geometriefaktor F einzufhren; eine Beziehung fr die Dmpfung, die sowohl die Frequenzabhngigkeit als auch die Geometrie bercksichtigt, stellt Gl. 1.41 dar (Graphisch: Abb. 1.22): = 0,91 tan f mit F = (1 + (10h/w ))0,5 . Fr beliebige Werte der Frequenz f in GHz und des Verlustfaktors tan betrgt der Dmpfungsbelag in dB/cm: f = 1000 tan (1.42) GHz r (1 + F ) 1F 1+ 2 r (1 + F )
1
Dielektrische Verluste entstehen durch Umladeverluste im Substrat; sie knnen durch den fr nicht zu hohe Frequenzen nherungsweise frequenzunabhngigen Verlustfaktor tan (Verlusttangens) ausgedrckt werden, der in Tabelle 1.21 zusammen mit anderen Eigenschaften fr diverse Substratmaterialien dargestellt ist. Dabei gilt fr nichtleitende Dielektrika tan = r /r mit r = r j r .
(1.41)
Abb. 1.21: Eigenschaften technisch wichtiger Substrate. (An: anorganisches dielektrisches Material; Ha: Halbleiter; Fe: ferrimagnetisches Material; K: Kunststo-Dielektrikum)
34
35
0.0040 0,0040
dB cm
h
w r , tan
r = 20 18 16
0.0035 0,0035
3 Normierter dielektrischer Dmpfungsbelag * fr f = 1 GHz und tan = 10
14
0.0030 0,0030
12
10
0.0025 0,0025
9 8 7
0.0020 0,0020
6 5 4
0.0015 0,0015
3
0.0010 0,0010
0.0005 0,0005 0,1
0,2
0,4
0.6 0,8 1 0,6
8 10
Abb. 1.22: Normierter dielektrischer Dmpfungsbelag der Mikrostreifenleitung fr f =1 GHz, tan =0,001 in Abhngigkeit von der normierten Leiterbreite w/h.
36
1.4.5
Ableitungsverluste
Die Ableitungsdmpfung entsteht durch die endliche spezische elektrische Leitfhigkeit des Substratmaterials. Sie ist bei den meisten Dielektrika (Isolatoren) nicht zu bercksichtigen, fllt jedoch bei semiisolierenden Halbleiterwerkstoen ins Gewicht. Sollen solche Substrate eingesetzt werden, so kann eine graphische Ermittlung des geometrieabhngigen Dmpfungsbelags mittels Abb. 1.23 erfolgen. Fr beliebige Werte von in (cm)1 betrgt der Dmpfungsbelag:
= 1000
(cm)1
(1.43)
Die Eigenleitfhigkeiten einiger Halbleitermaterialien sind: Halbleiter GaAs Si Ge Eigenleitfhigkeit /(cm)1 108 5 106 2 102
1.4.6
Abstrahlungsverluste
Bei nicht metallisch abgekapselten, oenen Streifenleitungen wird an Strstellen, wie z.B. an einer oenen Stichleitung oder einer rechtwinkligen Richtungsnderung Mikrowellenleistung abgestrahlt. Diese Abstrahlungsverluste setzen sich zusammen aus der in den Raum abgestrahlten Leistung (wie bei Patchantennen) und der von Oberchenwellen fortgefhrten Strahlung. Da die TM0 Oberchenwelle keine untere Grenzfrequenz besitzt (siehe Kapitel 1.2.1) ist deren Anteil stets von Null verschieden. Die verschiedenen Abstrahlungsverluste knnen z.B. mit der Momentenmethode berechnet werden. Bei hohen Frequenzen, die aber immer noch kleiner als die Grenzfrequenz der TE0 -Oberchenwelle sind, werden die Abstrahlungsverluste durch die TM0 -Oberchenwelle dominiert.
37
1.1 1,1
dB cm
1.0 1,0
3 1 Normierter AbleitungsDmpfungsbelag * fr spez. Substratleitfhigkeit = 10 cm
w r , h
r = 20
0.9 0,9
18
0.8 0,8
16
0.7 0,7
14 12 10 9
0.6 0,6
0.5 0,5
8 7 6
0.4 0,4
5 4 3 2
0.3 0,3
0.2 0,2 0,1
0,2
0,4
0.6 0,8 1 0,6
8 10
Abb. 1.23: Normierter Ableitungsdmpfungsbelag der Mikrostreifenleitung fr = 0,001(cm)1 in Abhngigkeit von der normierten Leiterbreite w/h.
38
1.5
bergnge und Testfassungen
Oftmals ist es notwendig, von Streifenleitungskomponenten auf andere Wellenleitertypen berzugehen, z.B. um ein koaxiales Antennenkabel anschlieen zu knnen, oder um die in einer Streifenleitung erzeugte HF-Leistung in einen Hohlleitermischer einzuspeisen. Wie solche bergnge mglichst dmpfungs- und reexionsarm auszufhren sind, soll der nchste Teilabschnitt zeigen. Um Schaltungen auf Streifenleitungssubstrat einfach testen zu knnen, ist es notwendig, Testfassungen mit reproduzierbaren Eigenschaften zu besitzen. Im Anschluss soll gezeigt werden, welcher technologische Aufwand hierzu notwendig ist und wie eine solche Testfassung konstruiert werden kann.
1.5.1
Massekontaktierung
Im folgenden soll nur auf die Probleme des bergangs zwischen Koaxialleitungen und Microstrip-Strukturen eingegangen werden, da dieses Problem in der Praxis am hugsten vorkommt. Die dabei auftretenden Schwierigkeiten sind: Gute Kontaktgabe (niedriger bergangswiderstand). Allseitige Kontaktierung des Substrates (bei Gehusemontage). Keine Umwege fr den Massestrompfad. Bei einem Anschluss mit Masseumweg kann vereinfacht folgendes Ersatzschaltbild angenommen werden:
Innenleiter bergang Streifenleiter
Koaxialleitung
Mikrostreifenleitung
Stichleitung (Massespalt)
Abb. 1.24: Ersatzschaltbild fr einen Anschluss mit Masseumweg.
Der Umweg wird dabei durch die Serienstichleitung verkrpert. Fr eine Lnge von l = /4 lt der bergang keine Hochfrequenz mehr durch! Anpassbarkeit fr mechanische Toleranzen.
1.5. BERGNGE UND TESTFASSUNGEN Gehuseloser bergang
39
Soll keine Gehusemontage vorgenommen werden, so sind grundstzlich zwei verschiedene Verfahren bekannt, das Einlten und die Klemmtechnik.
a) Mittelleiter ltung b)
Druckkontakt
Masseltnaht Geschraubter Metallklotz

Abb. 1.25: Gehuselose bergnge. a) Ltkontaktierung; b) Klemmkontaktierung.
Einlten (Abb. 1.25a) Hierbei wird der Innenleiter der Buchse direkt am Streifenleiter festgeltet, die Massekontaktierung erfolgt durch eine Ltzinnnaht auf der Unterseite der Microstrip. Nachteilig ist, dass die Verbindung nicht zerstrungsfrei gelst werden kann, und z.B. Przisionsstecker in Stahlausfhrung nicht ltbar sind. Zudem verndert jeder Ltvorgang i.a. die Substrateigenschaften (r , tan ), wodurch am bergang zustzliche parasitre Elemente auftreten. Einklemmen (Abb. 1.25b) Fr hhere Frequenzen wird durchweg die Klemmkontaktierung eingesetzt, da sie besser reproduzierbare Ergebnisse zeigt. In (Abb. 1.25b) wird das Verfahren anhand einer gehuselosen Befestigung gezeigt. Dabei ist der untere Teil des Steckeransches gegen einen Metallklotz (ca. 2 cm 2 cm 1 cm) geschraubt. Der Abstand zwischen Buchsenmittelleiter und der Oberkante des Metallklotzes ist geringfgig kleiner gehalten als die Dicke des Substrats mit beidseitiger Kupferauflage. Durch die Federkraft des Mittelleiters wird ein eindeutiger Massekontakt unmittelbar in der Umgebung des Mittelleiters, wo die grte Stromdichte herrscht, erzwungen. Mit diesem Verfahren ergeben sich gute Resultate; bei entsprechender Formung des Mittelleiters lassen sich Rckussdmpfungen von besser als 20 dB, bis ber 18 GHz hinaus reproduzierbar, erzielen.
40 Gehusemontage
Bei Gehusemontage erfolgt der Massebergang zumeist in zwei Stufen, vom Stecker auf das Gehuse und von dort auf die Streifenleitung. Deshalb ist ein guter Massebergang von der Streifenleitung zum Gehuse notwendig. Ein zentrales Problem stellt hier der unterschiedliche Ausdehnungskoezient von Substrat und Gehuseboden dar. Die gelugsten Verfahren zeigt Abb. 1.26.
Klemmen (Abb. 1.26a, b) Das Substrat wird an den Kanten, Ecken oder auch durch Substratlcher (Durchmesser ca. 23 mm) mittels Schrauben oder Druckfedern auf die Bodenplatte gedrckt. Eine Positionierung erhlt man durch Anschlag von zwei Substratkanten an die Gehusewnde oder durch Passstifte. Zur Vermeidung gegebenenfalls auftretender Spalte, ist es zweckmig, ein Federblech nach Abb. 1.26b zwischen Substrat und Boden einzulegen.
Lt- oder Klebetechnik (Abb. 1.26c, d) Beim ganzchigen Einlten oder Einkleben mit sogenanntem Leitkleber (Epoxidharz mit eingelagerten Silberteilchen nach Abb. 1.26c) wird gleichfalls eine Spaltbildung vermieden. Allerdings ist eine chenhafte Ltung wegen der Bildung von Lunkern und Lufteinschlssen schwierig zu beherrschen. Eine weitere Schwierigkeit hierbei stellt die Lotauswahl dar, da die Goldauflage der Massemetallisierung ansonsten in das Lot diundiert. Zugleich tritt das Problem der erheblich unterschiedlichen Wrmeausdehnungskoezienten von Substrat und Gehuseboden auf. Bei Substraten aus Al2 O3 hilft hier ein Boden aus einem Material mit ebenfalls sehr kleinem Lngenausdehnungskoezienten, z.B. Invar (Fe(63,8%) - Ni(36%) C(0,2%)) oder Kovar (Fe(54%) - Ni(28%) - Co(18%)), der aufgrund des hohen Preises dieser Spezial-Legierungen nur als Zwischenboden ausgelegt werden kann (Abb. 1.26d).
1.5. BERGNGE UND TESTFASSUNGEN
41
Abb. 1.26: Mglichkeiten des Substrateinbaus bei Gehusemontage. a) Klemmen mit Schraube und Scheibe oder mit Feder; b) Klemmen mit Federblech; c) Lten bzw. Kleben mit Leitkleber; d) Lten auf Invar- oder Kovar-Zwischentrger.
1.5.2
Der Innenleiterbergang
Der Innenleiterbergang kann entweder abrupt nach Abb. 1.27 oder gestuft bzw. stetig nach Abb. 1.28 erfolgen, wobei der stetige bergang die grte Bandbreite aber auch die greren mechanischen Abmessungen aufweist. Fr den abrupten bergang, der durch entsprechende Mittelleiterkonstruktion tiefpasskompensiert werden kann, bietet die Industrie, abgestuft fr verschiedene gngige Substratmaterialien, Buchsen mit unterschiedlich geformter Mittelleiterausfhrung an. Die in Abb. 1.27 gezeigten Lt- bzw. Schweiverbindungen sind nur bis ca. 1 GHz verwendbar. Das liegt einerseits an der erheblichen Beeintrchtigung der Substrateigenschaften im Ltbereich, andererseits an der Einbringung einer nicht reproduzierbaren Stostelle mit wesentlich erhhtem Kapazittsbelag.
1.5.3
Sonderformen von bergngen
Fr die Ankopplung der Mikrostreifenleitung an einen Rechteckhohlleiter existieren in der Literatur diverse Lsungsvorschlge; Abb. 1.29 zeigt einige gngige Typen.
42
Abb. 1.27: Mglichkeiten des abrupten Innenleiteranschlusses. a) Klemmtechnik mit Kontaktfederchen (f18 GHz); b) wie a, aber mit Kunststo-Druckstck; c) wie a, aber mit gefedertem Stempel; d) angelteter Innenleiter (f1 GHz); e) angeschweites Bndchen (f0,5 GHz); f) angeschweites Bond-Drhtchen (f0,2 GHz).
Die E-Feld-Sondeneinkopplung (Abb. 1.29a) erfolgt hnlich wie die koaxiale Hohlleitereinleitung mit Koppelstift. Es wird im Abstand H /4 von einer Kurzschlusswand im Hohlleiter ein Substrat ohne Massegrundche mit geeignet geformtem Streifenleiter eingebracht. Die Masseche wird auen mit dem Hohlleiter kontaktiert. Mit dieser Konstruktion sind Bandbreiten bis ca. 15% mglich. Grere Bandbreite erlaubt der Stufentransformator nach Abb. 1.29b; es lassen sich hiermit Bandbreiten grer 20% erzielen. Die mechanische Herstellung des Blechkamms fr den Stufentransformator, sowie eine hinreichend exakte Berechnung der Abmessungen ist jedoch problematisch. Der in Abb. 1.29c gezeigte bergang besteht aus drei Teilen: Die Finleitung geht in eine symmetrische Bandleitung ber, dieser folgt ein Balun-bertrager (balanced/unbalanced) zur Anpassung an die Mikrostreifenleitung. Von 18 bis 26 GHz ist hier der Reexionsfaktor kleiner 6%.
43
Abb. 1.28: Gestufte und stetige reexionsarme bergnge von 3/7-Koaxialleitung (di = 3 mm, da = 7 mm) bzw. SMA-Koaxialleitung (di = 1,3 mm, da = 4,3 mm) auf Mikrostreifenleitung auf Keramiksubstrat. S: Substrat (Dicke: 25 mil = 0,635 mm, r = 9,8), K: Kontaktfeder Innenleiter, B: Gehuseboden, D: Dielektrikum. a) mit zwischengeschalteter Luftleitung b) mit gestufter Querschnittsanpassung c) mit kontinuierlicher Querschnittsanpassung d) mehrfach gestuft e) exzentrischer Koaxialleitungsbergang f) hermetisch dichter bergang.
44
Abb. 1.29: bergnge von Rechteckhohlleitern auf Streifenleitungen. a) E-Sondeneinkopplung von Suspended-Substrate-Leitung (15% Bandbreite) b) Stufentransformator-bergang auf Mikrostreifenleitung (20% Bandbreite) c) Finline-bergang auf Mikrostreifenleitung (36% Bandbreite).
45
1.5.4
Einsatz:
Messfassung fr Microstrip-Komponenten
Messtechnische Ermittlung der Schaltparameter von MikrostreifenleitungsKomponenten und Gruppen durch einen vektoriellen Netzwerkanalysator (VNWA). Anforderungen: Geringer Reexionsfaktor der Mikrostreifenleitungsbergnge (kleiner 20 dB, bzw. Rckussdmpfung grer 20 dB) Hohe Phasenkonstanz reproduzierbar im ganzen Frequenzbereich (besser 5 bei 18 GHz) Einfache Handhabung Realisierte Messfassung In Abb. 1.30 sind die Einzelteile einer am Institut fr Hchstfrequenztechnik und Elektronik der Universitt Karlsruhe (IHE) entwickelten Messfassung in ihrer Zusammengehrigkeit dargestellt. Auf einer Grundplatte (a) aus vergoldetem Messing bendet sich eine Rahmenplatine (b) des gleichen Substratmaterials, wie das der zu untersuchenden Schaltung; hier RT Duroid 6010 (r =10,5). Die Rahmenplatine hat einen symmetrischen Aufbau, d.h. in der Lngsachse ist eine getzte 50 (= Z0 ) Mikrostreifenleitung, an deren ueren Seiten jeweils die Streifenleitungsbergnge der SMA-Stecker aufgedrckt sind. Geltete bergnge wurden zunchst untersucht, zeigten jedoch um 3 dB schlechtere Werte der Rckussdmpfung. Im ausgesparten Feld wird die zu vermessende Schaltung (d), DUT (Device Under Test) genannt, eingelegt. Fr den Fall des Eintores, in dem nur eine Reexionsfaktormessung erfolgen kann, ist es nicht notwendig, dass das Trgermaterial des DUT die gleiche Lnge wie die Aussparung aufweist. Das DUT wird dann von einem in vier Passstiften (c) gefhrten Kunststorahmen (e) in der Rahmenplatine xiert. Um das elektromagnetische Feld der nach oben oenen Microstrip-Leitung mglichst wenig zu beeinussen, wurde der Rahmen aus PVC-Material angefertigt, das ein r von ca. 2 aufweist. Im Hinblick auf geringe Feldstrung muss der Rahmen geeignet gestaltet sein. An der diesbezglich kritischsten Stelle des Rahmens, der berbrckung der beiden Streifenleiter (Rahmenplatine-DUT), weist der Rahmen eine Lngsnut (f) auf, deren Abmessungen empirisch ermittelt wurden. Bei Annherung dieses PVC-Materials an die
46
Fhrungsbalken (l)
Kontaktbrcke (j) Kunststoffstempel (i) Zapfen (k) Schacht (h)
Quernut (g)
Anpressrahmen (e) Lngsnut (f) DUT (d)
Passstift (c)
Rahmenplatine (b)
Grundplatte (a)
Abb. 1.30: Messfassung.
50 -Microstrip-Leitung treten erst bei Abstnden kleiner als ca. 1 mm sprbare Messwertnderungen, und damit Feldbeeinussungen, auf. Der Vergleich erfolgt jeweils fr Reexions- und Transmissionsmessung gegenber der ungeschirmten 50 -Streifenleitung. Die gewhlten Abmessungen von 2 mm 5 mm (Hhe Breite) fr diese Lngsnut sind hinsichtlich Feldstrung vollkommen unkritisch.
47
Wichtig ist, dass an dieser Stelle die fest montierte Rahmenplatine und das DUTSubstrat vollkommen auf der vergoldeten Grundplatte aufliegen. Diese stellt den Massekontakt der beiden Platinen an der Stostelle her, wobei Luftspalte parasitre Serieninduktivitten verursachen wrden (Abb. 1.31).
unerwnschter Spalt Substrat
Grundplatte
Abb. 1.31: Parasitre Serieninduktivitt.
Um eine sichere Auflage an diesen Stostellen der beiden Platinen zu erzielen, ist in den Rahmen jeweils eine Quernut (g) gefrt, so dass der verbleibende Steg einen sicheren Anpressdruck an den beiden entscheidenden Stostellen gewhrleistet (Abb. 1.32). Auch fr die Schrauben, die den Rahmen anpressen, wird eine Kunststoausfhrung verwendet.
Anpressrahmen Rahmenplatine Steg Substrat (DUT) Grundplatte
Abb. 1.32: Anpressvorrichtung.
Erhebliche Sorgfalt kommt der galvanischen Kontaktierung der Streifenleiter zu. Dazu mssen die Streifenleiter der beiden stumpf zusammengefgten Substrate durch eine Kontaktbrcke verbunden werden, welche durch den im Substrat ausgesparten Schacht aufgebracht werden kann. Diese Kontaktbrcke muss so gestaltet sein, dass das Feld so wenig wie mglich gestrt wird, d.h. sie muss an dieser Stelle eine hohe Rckussdmpfung aufweisen.
48
Anforderungen an die Kontaktbrcke fr hohe Rckussdmpfung: identische Breite wie der Streifenleiter Trger der metallischen Brcke mglichst kleinies r haben mglichst deckungsgleich mit Streifenleiter reproduzierbares Aufsetzen Verschiedene Materialien und Fhrungssysteme wurden getestet, die jedoch alle aufgrund schwieriger Verarbeitung (Kupferfolie, Styrodur), geringer mechanischer Stabilitt und nicht reproduzierbarer Ergebnisse (Fhrung in dem Schacht des Anpressrahmens) verworfen wurden. Ein hervorragendes Ergebnis lieferte die in Abb. 1.30 dargestellte Art fr die Kontaktbrcke. Um reproduzierbare Ergebnisse zu erzielen, ist eine exakte, aber leichtgngige Fhrung notwendig, wie sie nur von Metall auf Metall in einer Passung realisiert werden kann. Dazu wird der Messingbalken (l) von den beiden Passstiften, die in der Stostellenebene beider Platinen montiert sind, gefhrt. Um mit dem Fhrungsbalken das Feld nicht zu stren (der Abstand wurde messtechnisch zu grer als 1 cm ermittelt), dient zunchst der ungeschraubte Stempel (i), der aus dem gleichen Material wie der Rahmen gefertigt ist, als Abstandshalter. Erst in unmittelbarer Nhe der kritischen Stelle wird das mechanisch starre Gebilde auf einen minimalen Zapfen (k) reduziert, auf dem die eigentliche Kontaktbrcke (j) aufgeklebt ist. Diese besteht aus einer auf RT Duroid 5880 getzten Leiterbahn (Rckseite selbstverstndlich nicht metallisiert), deren Breite identisch ist mit der Streifenleiterbreite der zu verbindenden Platinen. Dieses Material besitzt die Substratstrke 0,5 mm bei einem r von 2,2. Von Vorteil ist die getrennte Ausfhrung auch deshalb, weil in einem einmaligen Vorgang (mit ortsabhngiger Darstellung des Reexionsfaktors) der Kunststostempel als Trger der Kontaktbrcke durch die Verschraubung mit dem Fhrungsbalken auf minimale Rckussdmpfung justiert werden kann. Ein weiterer Vorteil ist, dass bei einwandfreier Verarbeitung der (Pass-) Fhrung bereits die Gewichtskraft einen reproduzierbaren Auflagendruck fr die Kontaktbrcke verursacht, so dass auf aufwndige Federsysteme verzichtet werden kann. Im Vergleich zu einer direkten Fhrung im Schacht des Anpressrahmens tritt hier keine Verkopplung der Krfte fr Anpressrahmen und Kontaktbrcke auf. Die Aussparung in der Rahmenplatine als auch das exakte Zuschneiden der zu vermessenden Platinen erfolgt mit einem an einem scharfkantigen Metallklotz gefhrten Skalpell. Dieser wird an vorgegebenen (auf dem Substrat erhabenen) Markierungen justiert. Bei exaktem Einpassen konnten ohne Kontaktbrcke bereits Werte fr die Rckussdmpfung besser als 20 dB erreicht werden.
1.6. BAUELEMENTE IN MICROSTRIP-TECHNIK
49
Der am IHE realisierte bergang Streifenleiter-Streifenleiter weist ber eine Bandbreite von etwas mehr als 20 GHz (124 GHz) eine hohe Rckussdmpfung von 28 dB auf. Dieser Messwert ist reproduzierbar und wird auch nach wiederholtem Auswechseln von Messobjekt und Kontaktbrcke wieder erreicht. Kommerzielle Messfassungen Kommerzielle Testfassungen (z.B. von Agilent, frher Hewlett Packard) sind oft zweiteilig ausgefhrt (Endblcke), die mit jeweils einer DC-Zuleitung versehen sind. Fr Messungen an aktiven Komponenten kann eine Mittelsektion eingebaut werden, die mit zwei weiteren DC-Zuleitungen ausgestattet ist.
1.6
Bauelemente in Microstrip-Technik
Zum Aufbau komplexer Schaltungen ist es notwendig, die Eigenschaften der prinzipiellen Konstruktionselemente zu kennen. Da ihre Behandlung sehr aufwndig ist, sollen hier nur grundstzliche Bauformen, sowie einfache Konstruktionsrichtlinien dargestellt werden.
1.6.1
Der Leerlauf
Eine am Ende oene Microstrip stellt das klassische Streifenleitungsbauelement dar, wie es z.B. fr Stichleitungen eingesetzt wird. Wie in Abb. 1.33a dargestellt, endet das Feld der Microstrip nicht abrupt am Leitungsende, sondern reicht noch weiter in Richtung der Streifenleitungssymmetrieachse fort.
Abb. 1.33: Mikrostreifenleitungsleerlauf. a) Aufbau mit elektrischem Streufeld E; b) Ersatz-Endkapazitt CL ; c) quivalente Leitungsverlngerung lL
Diese Verlngerung der Feldlinien bewirkt eine quivalente Verlngerung der eigentlichen Streifenleitung, wobei das zustzliche Endfeld als Parallelkapazitt
50
gem Abb. 1.33b bzw. als Leitungsverlngerung gem Abb. 1.33c gedeutet werden kann. Die genaueste, bis zu hchsten Frequenzen gltige Analyse ist die dynamische (frequenzabhngige) numerische Analyse des Leerlaufs. Bei Frequenzen von 6 10 GHz liegt die relative frequenzabhngige lL -Verlngerung einer /4-langen Stichleitung unter 2 %. Daher ist fr die meisten technisch vorkommenden Flle eine einfache statische (frequenzunabhngige) Formel hinreichend. Die genaueste statische Gleichung wurde von Kirschning, Jansen und Koster (1981) durch Funktionalapproximation an die fr niedrige Frequenzen berechneten Ergebnisse einer Hybridwellenanalyse abgeleitet (maximaler Fehler: 2.5%): Leitungsverlngerung: lL AC E = h D (1.44)
A = 0,434907 B = 1+
(w/h)0,371 2,358 r + 1 0,5274 C = 1 + 0,9236 arctan 0,084 (w/h)1,9413/B r ,e
,81 0,8544 + 0,87} 0 r ,e 0,189 {(w/h)
,81 0,8544 0 + 0,236} r ,e + 0,26 {(w/h)
D = 1 + 0,0377 [6 5 exp {0,036 (1 r )}] arctan 0,067 (w/h)1,456 E = 1 0,218 exp{7,5 (w/h)} Graphisch dargestellt ergeben sich Kurven gem Abb. 1.34: Zur exakten theoretischen Beschreibung von Microstrip-Leerlufen in nicht metallisch abgeschirmten, oenen Streifenleitungsschaltungen mssen auch die Abstrahlungsverluste gem Kapitel 1.4.6 bercksichtigt werden.
1.6.2
Kurzschlsse
Werden reale Kurzschlsse von Streifenleitungen verlangt, so treten zumeist erhebliche technische Probleme auf. Solange nur schmalbandige Lsungen angestrebt werden sollen (ca. 5 % Bandbreite), kann der Kurzschluss bekanntermaen durch /4 Transformation aus einem Leerlauf abgeleitet werden. Sind dagegen z.B. breitbandige Kalibrationsnormale gefragt, so scheidet diese Mglichkeit aus. Hier eignet sich nur eine Durchkontaktierung nach Abb. 1.35 oder 1.36. Bei dem Verfahren nach Abb. 1.35 wird ein Teilbereich des Substrats durch ein Messer oder eine Stanze ausgespart, und das Streifenleitungsbndchen auf die Masseplatte umgebogen und kontaktiert. Nachteilig ist, dass nicht das ganze Feld abrupt endet, sondern Feldanteile nach hinten ber das Bndchen herausragen

normierte quival. Leitungsverlngerung lL/h r =1 2 2.3 2.5 3
51
0.60
lL
0.55
t=0 w
3.78
0.50
h r
5.67
0.45
8 9.8 11.9 12.9 16 20
0.40
0.35
40
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10 0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
Abb. 1.34: Normierte quivalente Leitungsverlngerung lL /h des Mikrostreifenleitungs-Leerlaufs in Abhngigkeit von der normierten Leiterbreite w/h.
52
a)
b)
h w Z L, r,eff Lp b
Streifenleiter
Masseflche
(homogen)
Abb. 1.35: a) Kurzschluss durch Verlngerung des Streifenleiters nach Masse; b) Ersatz-Endinduktivitt Lp
Wand
Streifenleiter Substrat
Masseflche
Abb. 1.36: Kurzschluss mit Kurzschlussplatte.
knnen und zu einer Endkapazitt fhren. Gleichzeitig beengt das Bndchen die Massestrme und fhrt zu einer parallelen Endinduktivitt (Lp ), so dass der Kurzschluss nur fr nicht zu hohe Frequenzen hinreichend gut ist. Lp /nH = 0,2 ln h/mm 2h b+t + 0,2235 b+t h + 0,5 (1.45)
Das Einfhren einer Kurzschlussplatte nach Abb. 1.36 schat hier Abhilfe; die Massestrme knnen so ungehindert abieen, und es ragt kein E-Feld ber den Kurzschluss hinaus (das gesamte elektrische Feld wird kurzgeschlossen). Gemeinsam ist beiden Methoden, dass die Unterseite des Substrats verletzt wird und Unebenheiten durch Ltungen erhlt, wodurch ein zustzlicher mechanischer Aufwand beim Gehuseeinbau entsteht.
53
1.6.3
Reexionsfreie Abschlsse
Reexionsfreie Abschlsse knnen in der Mikrostreifentechnik auf vielfltige Weise hergestellt werden: Durch Einbringen eines Kohle-Schichtwiderstandes zwischen der Streifenleitung und der Masseplatte. Dies kann zu einem erheblichen mechanischen Aufwand fhren, wenn eine Durchkontaktierung notwendig wird oder gar das Substrat in der Form des Widerstandskrpers ausgestanzt werden muss. Dem Vorteil geringer geometrischer Abmessungen steht der Nachteil gegenber die Anordnung nur bis zu relativ niedrigen Frequenzen (<5 GHz) einsetzen zu knnen, da darber merkliche parasitre Anteile auftreten. Diese knnen mit Kompensationselementen in Grenzen ausgeglichen werden.
Kompensation
ZL R
verlten
Abb. 1.37: Widerstand fr Oberchenmontage (SMD: surface mounted device) als Abschluss fr die Streifenleitung.
Durch Verwenden eines verlustbehafteten Substrats (z.B. Ferritmaterial). Man kann damit stark gedmpfte Leitungen mit guter Anpassung herstellen. Ein Problem ist der bergang zwischen den beiden Substraten weshalb diese Methode nicht auf der eigentlichen Streifenleitung eingesetzt werden kann. Man verwendet solche Aufbauten hauptschlich in eigenen Baugruppen zum Beispiel als Kalibrierstandard. Durch Auflegen eines verlustbehafteten Keils (Abb. 1.38). Solche Strukturen dmpfen nur den Feldanteil in der Luft und bentigen daher einige Wellenlngen Baugre. Durch Aufbringen einer Dmpfungspaste auf einer Spiralanordnung (Abb. 1.39). Solche Formen der Leitungsfhrung werden auch als Antennen fr hhere Frequenzen eingesetzt und haben deshalb viele Feldanteile auerhalb des Substrats. Durch diesen Aufbau kann auf verhltnismig kleinem Raum gute Anpassung (besser -20 dB bis 20 GHz) erreicht werden.
54
Leiterbahn
Dmpfungskeil
Abb. 1.38: Abschluss durch Auflegen eines verlustbehafteten Keils.
Abb. 1.39: Reexionsarmer Abschluss der Streifenleitung. Die Spirale wird mit einer stark dmpfenden Paste bestrichen.
1.6.4
Symmetrische Leiterbreitenstufe
Unter einer symmetrischen Leiterbreitenstufe wird hier eine abrupte nderung der Breite der Streifenleitung verstanden, bei der die beiden Leitungen nicht gegen einander versetzt sind. nderungen der Leiterbreite wie in Abb. 1.40 fhren zu einer sprunghaften nderung des Wellenwiderstandes. Derartige Wellenwiderstandssprnge werden fr Impedanztransformationen bentigt. Abb. 1.40 zeigt qualitativ den Feld- und Stromlinienverlauf einer solchen Stufe sowie deren Ersatzschaltbild aus konzentrierten Bauelementen.
Abb. 1.40: Ersatzschaltbild und Feldlinienverlauf einer sym. Leiterbreitenstufe.
Die abrupte nderung der Breite w fhrt zu einer Einschnrung der Stromlinien und zu einem elektrischen Streufeld auf der Stirnseite der breiteren Leitung.
55
Die Einschnrung der Strombahnen wirkt induktiv, ihr Einuss kann durch die Serieninduktivitt Ls im Ersatzschaltbild beschrieben werden. Der Einuss des elektrischen Streufeldes wird durch die parallele Kapazitt Cp im Ersatzschaltbild erfasst. Stufenlose Wellenwiderstandsbergnge werden als Taper bezeichnet. Abb. 1.41 zeigt einen solchen bergang. Die Leiterbreite w ist ortsabhngig, w = w (z ). Durch geeignete Wahl der Funktion w (z ) lassen sich reexionsarme Wellenwiderstandsbergnge fr groe Bandbreiten erreichen.
Abb. 1.41: Kontinuierlicher Wellenwiderstandsbergang (Taper).
1.6.5
Symmetrische Verzweigung
Symmetrische Verzweigungen nach Abb. 1.42a werden fr die meisten Mikrowellenschaltungen bentigt. Die Verzweigung bewirkt Feldverzerrungen, deren Einuss durch das in Abb. 1.42b gezeigte Ersatzschaltbild beschrieben werden kann. Das Ersatzschaltbild ist in den Ebenen T1 , T2 und T3 einzusetzen. Diese sind um die Strecken d1 und d2 von den jeweiligen Mittellinien versetzt. Numerische Werte fr die Elemente des Ersatzschaltbildes d1 , d2 , n (bertragungsverhltnis) und Bp (paralleler Blindleitwert) knnen den Kurven in Abb. 1.43 in normierter Form entnommen werden.
a) d1 2d1 d2 T3 w1 w2 T1 T2 w1 idealer Trafo n:1 T3 b) T 1 jB p T2
Abb. 1.42: a) Symmetrische Leitungsverzweigung; b) Ersatzschaltbild
56
ZL1 / ZL2 = 0,2 2,0
0,9 n 0,8 TrafoWindungszahl n 0,7 0,6 0,5 0,4 0,3 0,20 0,18 norm. Bezugsebenenversatz d1 / weff,2 0,16 0,14 1,4 0,12 1,2 0,10 1,0 0,08 0,8 0,06 0,6 0,04 0,4 0,02 0,7 0,6 norm. Parallelleitwert BP2 ZL1 0,5 0,4 0,3 0,2 0,1 0,0 0,1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 f h 50 ZL1 2,0 1,8 1,6 Parameter: ZL1 / ZL2 d2 / weff,1
0,4 0,6 0,8 1,0 1,8 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 1,2 1,0 0,8 0,5 1,6 1,4
0,5
0,4
0,3 0,25
ZL1 / ZL2 = 2,0 1,8 1,6 1,4 1,2 1,0 0,8 0,4 10 GHzmm 12
0,6
Abb. 1.43: Elemente d1 , d2 , n, Bp des Ersatzschaltbildes in Abb. 1.42b berechnet nach dem Bandleitungsmodell mit der Grundwelle.
norm. Bezugsebenenversatz d2 / weff,1
1,0
0,6
57
1.6.6
Berechnung von Kopplern in Streifenleitungstechnik
Zwei parallel eng nebeneinander gefhrte Streifenleiter, die gleich breit sind, bilden einen symmetrischen Microstrip-Koppler. Ist die Lnge des Koppelabschnitts l = /4, so ndet bei Speisung an Tor 1 eine maximale Verkopplung zum Tor 3 statt, whrend minimale Leistung zum Tor 4 iet (Abb. 1.44). Die Kopp3 4 Z0 w s Substrat: r 1 /4 2 w s w h
Abb. 1.44: Symmetrischer Koppler in der Schaltung und Leitungsquerschnitt.
lung ist abhngig von der Breite w und vom Abstand s der Leiter. Fr einen gegebenen Koppelfaktor C0 berechnet sich die Koppeldmpfung C(dB) in dB zu: C(dB) = 20 dB log10 C0 (1.46)
Aus dem Koppelfaktor C0 folgen auerdem der Gegentakt-Wellenwiderstand Z0o und der Gleichtakt-Wellenwiderstand Z0e bezogen auf den Wellenwiderstand Z0 : Gleichtakt (even)-Wellenwiderstand: Gegentakt (odd)-Wellenwiderstand: Mit diesen Werten ist Anpassung an Z0 gegeben: Z0 = Z0e Z0o (1.49) Z0e = Z0 Z0o = Z0 1 + C0 1 C0 1 C0 1 + C0 (1.47) (1.48)
Mittels dieser Gleichungen lassen sich Gegentakt- und GleichtaktWellenwiderstand berechnen. Als weiteren Zusammenhang zwischen dem Koppelfaktor und dem Gleich- und Gegentaktwellenwiderstand ergibt sich daraus: Z0e Z0o (1.50) C0 = Z0e + Z0o
58
Abb. 1.45: Spaltbreite und Leiterbreite fr gekoppelte Mikrostreifenleitungen auf einem Substrat mit r = 9,6 in Abhngigkeit vom Gleichtakt- und Gegentakt-Wellenwiderstand.
Aus Abb. 1.45 folgen daraus fr r = 9,6 und gegebener Hhe h die Leiterbreite w und die Spaltbreite s des Koppelabschnitts. Fr Substrate mit anderer Permittivitt r gibt es ein Umrechnungsverfahren. Fr einen gegebenen Koppelfaktor C0 und ein Substrat mit r2 werden Z0e2 und Z0o2 wie oben beschrieben berechnet. Zur Bestimmung von w/h und s/h wird eine mittlere eektive Permittivitt r ,e2 ermittelt (Bsp. fr r2 = 2,34): r ,e2 = 0,7567 r2 + 0,2433 (1.51)
1.6. BAUELEMENTE IN MICROSTRIP-TECHNIK Fr Al2 O3 -Keramiksubstrat (r1 = 9,6) erhlt man entsprechend: r ,e1 = 0,7567 r1 + 0,2433 Daraus berechnen sich fr den gleichen Koppelfaktor C0 : Z0e1 = Z0e2 Z0o1 = Z0o2 r ,e2 r ,e1 r ,e2 r ,e1
59
(1.52)
(1.53)
(1.54)
Fr Z0e1 und Z0o1 kann dann mit Abb. 1.45 die Leiterbreite w/h und die Spaltbreite s/h bestimmt werden. Vorteilhaft bei dieser Art des Kopplers ist, dass Gleichstromentkopplung stattndet; er eignet sich daher auch als Filter. Um die Flanke des Filters steiler zu machen und damit die Gte zu verbessern, werden mehrere /2-lange Leitungsstcke ber eine Lnge von /4 miteinander verkoppelt (Abb. 1.46).
je /4
Abb. 1.46: 2-poliges Bandpasslter mit parallelgekoppelten /2-Resonatoren.
Kapitel 2 Verstrker
Verstrker sind aktive Ein-, Zwei- oder Mehrtore, die mit Hilfe uerer Energiequellen eine Verstrkung von Eingangssignalen vornehmen. Verstrker werden vielseitig eingesetzt, deshalb wird oft eine Einteilung bezglich ihrer Anwendung vorgenommen. In Tabelle 2.1 ist diese Einteilung nach dem Anwendungsgebiet und den damit verbundenen Kriterien dargestellt. Eigenschaft Ein- bzw. Ausgangsamplitude Verstrkter Frequenzbereich bertragene Bandbreite Einteilung Grosignalverstrker Kleinsignalverstrker Gleichstromverstrker Niederfrequenzverstrker Hochfrequenzverstrker Schmalbandverstrker Breitbandverstrker
Tabelle 2.1: Einteilung von Verstrkern nach der Anwendung.
Zur Schaltungssimulation kann es zweckmiger sein, Verstrker nach ihrer Einund Ausgangsimpedanz und dem damit verbundenen idealisierten Ersatzschaltbild zu unterteilen. Eine mgliche Einteilung diesen Fall betreend zeigt Tabelle 2.2. Verstrkertyp Spannungsverstrker (Treiber) Transadmittanzverstrker Transimpedanzverstrker Stromverstrker Ersatzschaltbild Spannungsgesteuerte Spannungsquelle Spannungsgesteuerte Stromquelle Stromgesteuerte Spannungsquelle Stromgesteuerte Stromquelle
Tabelle 2.2: Einteilung von Verstrkern nach dem idealisierten Ersatzschaltbild.
60
2.1. ZWEITORVERSTRKER
61
Weitere wichtige Eigenschaften von Verstrkern sind Eingangs- und Ausgangssttigungspegel, Eingangs- und Ausgangsimpedanz sowie die bertragungsfaktoren als Funktion der Frequenz. Beim Entwurf von Verstrkern kommt es ferner an auf Strabstand und Verzerrungen, Wirkungsgrad und Gleichleistungsverbrauch, Stabilitt gegen nderung der Abschlussimpedanz, gegen Temperaturschwankungen und gegen Alterung von Bauelementen. Im folgenden werden nur die Eigenschaften von Verstrkern fr hhere Frequenzen (f > 100 MHz) eingehend untersucht und Optimierungsverfahren beschrieben. Da sich in diesem Frequenzbereich eine Darstellung der Bauteileigenschaften durch Streuparameter anbietet und auch die Halbleiterhersteller fast ausnahmslos ihre HF-Komponenten durch Streuparameterangaben spezizieren, wird auch im folgenden diese Schreibweise bevorzugt.
2.1
Zweitorverstrker
Rhrentriode und Transistor als klassische Verstrkungselemente begnstigen aufgrund ihrer internen Dreipolstruktur den Aufbau von Zweitorverstrkern, wobei eine Elektrode dem Eingang und Ausgang gemeinsam sein muss. Zustzlich kommt diese Bauform den hugsten Aufgabenstellungen sehr entgegen. Deshalb sollen die hauptschlichen Entwurfsmethoden anhand von Zweitorverstrkern erlutert werden. Grundstzlich kann ein Verstrker durch eine Darstellung gem Abb. 2.1 beschrieben werden:
Tor 1 I1 U1 a1 b1 I2 Tor 2
[S()]
a2 b2
U2
Abb. 2.1: Verstrker-Zweitor.
b1 = S11 a1 + S12 a2 b2 = S21 a1 + S22 a2
(2.1)
62
KAPITEL 2. VERSTRKER
Fr Kleinsignalbetrieb reicht zum weiteren Einsatz der Komponente in einer greren Baugruppe die Kenntnis der zumeist frequenzabhngigen Streumatrix [S ( )] aus. Fr die Elemente der Streumatrix eines Verstrkers gelten hierbei folgende idealisierte Forderungen: Sij = const = f ( ) im Betriebsfrequenzbereich Sii = 0 (Eigenreexionsfreiheit) S12 = 0 (Rckwirkungsfreiheit) |S21 | 1 (hohe Verstrkung) (2.2)
Je nach Anforderung (Verstrkung, Rauscharmut, Breitbandigkeit usw.) muss auf eine oder mehrere dieser Forderungen verzichtet werden.
2.1.1
Grundschaltungen
Transistor und Rhrentriode sind Verstrkerelemente mit drei Elektroden. Die Eigenschaften des entsprechenden Zweitors hngen davon ab, welche der drei Elektroden gleichzeitig dem Eingangs- und dem Ausgangstor angehrt. Die Basisschaltung des Transistors und die Gittergrundschaltung der Rhrentriode haben einen niedrigen Eingangswiderstand, einen groen Spannungsbertragungsfaktor, aber einen Strombertragungsfaktor ungefhr kleiner als eins. Die Emitterschaltung des Transistors und die Kathodengrundschaltung der Rhrentriode besitzen groe bertragungsfaktoren fr Spannung und Strom. Die Kollektorschaltung des Transistors und die Anodengrundschaltung der Rhrentriode verbinden einen Spannungsbertragungsfaktor, der kleiner als eins ist, mit groer Eingangs- und kleiner Ausgangsimpedanz (Impedanzwandler). Dies gilt analog fr Gate-, Source-, und Drain-Schaltung beim Feldeekttransistor (FET, Abb. 2.2). Hersteller dieser Verstrkerelemente geben meist nur die Streuparameter fr eine dieser Grundschaltungen an. Soll eine andere Grundschaltung eingesetzt werden, so knnen die Daten unter gewissen Voraussetzungen aus den vorhandenen hergeleitet werden. Wichtigste Voraussetzung ist, dass die Zweitordaten fehlerfrei und reproduzierbar durch den Hersteller ermittelt wurden. Bei Frequenzen unter 10 GHz kann hiervon ausgegangen werden; darber sind oftmals erhebliche Abweichungen aufgrund der Chargenstreuungen in der Produktion zu verzeichnen. In diesem Fall empehlt sich ein Nachmessen jedes Einzelelements oder zumindest einer reprsentativen Auswahl von Mustern mittels eines vektoriellen Netzwerk-Analysators mit Transistormessfassung.
a) GateSchaltung NKanal Sperrschicht Feldeffekttransistor:
Gate Source Drain G S
63
b) SourceSchaltung
D G D
c) DrainSchaltung
S
d) BasisSchaltung
Emitter Collector
e) EmitterSchaltung
C B
f) CollectorSchaltung
E B
NPNBipolar Transistor:
Basis
g) GitterSchaltung Vakuum Triode:

Gitter Kathode Anode
h) KathodenSchaltung
G A
i) AnodenSchaltung
G K
Abb. 2.2: Grundschaltungen von aktiven Verstrkerbauteilen.
Bei der Umrechnung von einer Grundschaltung in eine andere wird von einer Dreitordarstellung ausgegangen, die gem Abb. 2.3 (bei hohen Frequenzen) aus der Zweitordarstellung resultiert.
Dreitor [S] Zweitor [S ]
T
Abb. 2.3: Dreitordarstellung eines Zweitors.
Aufgrund schon vorhandener interner Massebezge (z.B. durch Kapazitten zwischen Chip und Streifenleitungsmasse) sowie der unsicheren Festlegung der Bezugsebenen fr die Herstellerangaben der Streuparameter (Streuparameter mssen immer auf einen denierten geometrischen Ort bezogen sein) ist diese einfache Umrechnung nur bis ca. 10 GHz uneingeschrnkt zulssig. Fr hherfrequente Anwendungen muss fr jede Grundschaltung getrennt eine Messung durchgefhrt werden.
64
Es ist allgemein zu beachten, dass die bei der Ermittlung der Streuparameter eingesetzten Arbeitspunkte auch beim spteren Betrieb des Bauelements eingehalten werden. Ausgehend von Abb. 2.3 fr die Beschreibung eines Drei-Elektroden-Bauteils als Dreitor wird die Beziehung zwischen den einund auslaufenden Wellen in den Toren durch Gl. 2.3 beschrieben: b1 = S11 a1 + S12 a2 + S13 a3 b2 = S21 a1 + S22 a2 + S23 a3 b3 = S31 a1 + S32 a2 + S33 a3
(2.3)
T Um die Streuparameter Skl des Transistor-Zweitors zu bestimmen wird je nach der Grundschaltung, in der die Parameter ermittelt wurden, eines der Tore kurzgeschlossen (Abb. 2.4).
DreiElektrodenBauteil aT
1 1
aT
2 2 2
bT E
3
bT
a T=b
3
b T=a L 3 r
Abb. 2.4: Drei-Elektroden-Bauteil als Dreitor.
3
Kurzschluss
Im folgenden Beispiel sei die Elektrode E3 die gemeinsame Masse fr Eingang und Ausgang; entsprechend muss Tor 3 mit einem Kurzschluss versehen werden: r3 = bL a = 3 = 1 aL b3 (2.4)
65
Aus Gl. 2.3 und Gl. 2.4 erhlt man sodann die aus den Dreitor-Parametern abgeleitete Zweitormatrix S T des Transistors. bT 1 bT 2 = S11
S13 S31 1+S33 S23 S31 1+S33
S21
S12 S22
S13 S32 1+S33 S23 S32 1+S33
aT 1 aT 2
T T S11 S12 T T S21 S22
aT 1 aT 2
(2.5)
Zur vollstndigen Bestimmung aller 9 Dreitor-Parameter aus den 4 ZweitorParametern fehlen somit noch 5 Gleichungen. Diese knnen aus der Matrizentheorie fr indenite Dreitore (Bezugspotential nicht festgelegt) hergeleitet werden. Gl. 2.6 und Gl. 2.7 folgen aus den Maschen- und Knotenregeln.
3
Sij = 1 f u r i = 1, 2 , 3
j =1 3
(2.6)
Sij = 1 f u r j = 1, 2 , 3
i=1
(2.7)
Durch einige Umformungen lassen sich daraus smtliche Dreitor-Parameter ermitteln: T Sij i=1,2 T T T T S11 + S12 + S21 + S22 j =1,2 S33 = (2.8) = T T T T T 4 4 (S11 + S12 + S21 + S22 ) Sij
i=1,2 j =1,2
S32 = S23 =
1 + S33 T T S22 1 S12 2 1 + S33 T T 1 S21 S22 2 S23 S32 1 + S33
(2.9) (2.10) (2.11) (2.12) (2.13) (2.14) (2.15) (2.16)
T S22 = S22 +
S31 = 1 S33 S32 S12 = 1 S22 S32 S21 = 1 S22 S23 S13 = 1 S23 S33 S11 = 1 S12 S13
Aus den somit ermittelten Dreitor-Parametern kann gem Gl. 2.5 durch sinngeme Vertauschung der Tore die Zweitormatrix fr jede beliebige Grundschaltung ermittelt werden.
66
2.1.2
Gegenkopplung
Fhrt man eine Ausgangsgre eines aktiven Zweitors (z.B. Verstrker) auf seinen Eingang zurck, erhlt man eine Rckkopplung. Bei einem aktiven elektrischen Zweitor knnen eine oder beide Eingangsgren (Eingangsspannung, Eingangsstrom) durch eine oder beide Ausgangsgren (Ausgangsspannung, Ausgangsstrom) verndert werden. Man unterscheidet dabei zwischen Mitkopplung (positive Rckkopplung; in Phase) und Gegenkopplung (negative Rckkopplung; in Gegenphase). Gegenkopplungsschaltungen bieten eine einfache, aber sehr wirksame Methode zur Vergrerung der Bandbreite, zum Anpassen, zur Stabilisierung und zur Verringerung der nichtlinearen Verzerrungen von Verstrkern. Beschrnkt man sich auf den Fall, dass nur jeweils eine Eingangsgre durch eine Ausgangsgre beeinusst wird, ergeben sich entsprechend den vier Kombinationsmglichkeiten die vier in Abb. 2.5 dargestellten Gegenkopplungsarten.
Zur Ermittlung der resultierenden Gesamtstreumatrix [S R ] des rckgekoppelten Zweitors wandelt man zweckmigerweise zuerst mit Hilfe von Abb. 2.6 (oben) die Streuparameter in auf den Anwendungsfall zugeschnittene Parameter um: Bei Abb. 2.5a in Z-Parameter (2.5b: Y-Parameter; 2.5c: H-Parameter; 2.5d: P-Parameter), wodurch sich als resultierende Z-Matrix gem Gl. 2.17 einfach die Summe
a b a b Z11 + Z11 Z12 + Z12 a b a b Z21 + Z21 Z22 + Z22
(2.17)
der Einzelmatrizen ergibt. Abb. 2.6 (unten)
Durch anschlieende Rcktransformation nach
Z R S R erhlt man die gewnschte Gesamtstreumatrix S R .
(2.18)
I1 I1a U1a I2a I2
67
[S ]
U2a
a)
U1 I1b U1b I2b
U2
[S ]
U2b
I1
I1a U1a
I2a
I2
[S ]
U2a
b)
U1 I1b U1b I2b
U2
[S ]
U2b
I1
I1a U1a
I2a
I2
[S ]
U2a
c)
U1 I1b U1b I2b
U2
[S ]
U2b
I1
I1a U1a
I2a
I2
[S ]
U2a
d)
U1 I1b U1b I2b
U2
[S ]
U2b
Abb. 2.5: Die vier Gegenkopplungsarten. a) Serien-Serien-Gegenkopplung; b) Parallel-Parallel-Gegenkopplung; c) Serien- Parallel-Gegenkopplung; d) Parallel-Serien-Gegenkopplung. Hierbei bedeutet [S a ] aktives Zweitor und [S b ] Rckkopplungszweitor.
68
Abb. 2.6: Gleichungen zur Umrechnung der Streuparameter in Y-, Z-, H- und PParameter (oben) und zur Rckrechnung (unten). Mit S = S11 S22 S12 S21 (y , z , h und p analog).
69
a)
D S r 3
b)
D S
Z0
Z3
Z0
Z0
Z0
Abb. 2.7: a) Gegen- (Rck-)gekoppelter FET; b) Praktische Ausfhrungsform in Streifenleitungstechnik. Die Impedanz Z3 ist als leerlaufende, stug verlngerbare Reaktanzleitung realisiert.
Fr den hug vorkommenden Fall der Serien-Serien-Gegenkopplung gem Abb. 2.7 geht man entsprechend nach Abschnitt 2.1.1 zur Dreitordarstellung des FET ber. Analog zu Gl. 2.5 kann dann fr beliebige Gegenkopplungsimpedanzen (Abschluss mit r 3 an Tor 3) die resultierende Zweitormatrix gem Gl. 2.19 bestimmt werden. S
R
S11 + S21 +
S13 S31 r 3 1S33 r 3 S23 S31 r 3 1S33 r 3
S12 + S22 +
S13 S32 r 3 1S33 r 3 S23 S32 r 3 1S33 r 3
(2.19)
R Hierin sind Sij die Streuparameter des mit r 3 gegengekoppelten FET und die Sij die Dreitorparameter, die ausgehend von den Gl. 2.8 Gl. 2.16 aus den gegebenen Zweitorparametern des FET resultieren. R Aus den durch Gl. 2.18 oder Gl. 2.19 ermittelten Streuparametern Sij knnen dann spter die Stabilitt sowie die Gesamtverstrkung ermittelt werden.
2.1.3
Stabilitt und Leistungsanpassung
Da die GaAs-FETs bezglich 50 hohe Betrge der Ein- und Ausgangsreexionsfaktoren haben, die Ein- und Ausgnge der Verstrker aber an den Wellenwiderstand der Anschlussleitungen angepasst werden sollen, mssen Anpassnetzwerke vorgesehen werden. Die Berechnung erfolgt mit Hilfe der im TransistorDatenblatt angegebenen S-Parameter. Sie werden im Allgemeinen in der SourceSchaltung mit dem Gate als Eingang und dem Drain als Ausgang gemessen. Die Source-Schaltung ist stabiler als die Drain- oder die Gate-Schaltung, da sie nur eine geringe Rckkoppelkapazitt zwischen Drain und Gate besitzt. Auerdem ergibt sich so maximale Leistungsverstrkung und minimale Rauschzahl,
70
wenn die Anordnung richtig angepasst ist. Die Art der Anpassung richtet sich nach dem Stabilittsverhalten des Transistors.
i2 D G u1 S
Abb. 2.8: N-Kanal-FET in Source-Schaltung.
i1 u2 S
Stabilitt des Zweitores Man unterscheidet in der Vierpoltheorie zwischen instabilen, bedingt stabilen und unbedingt stabilen Vierpolen bzw. Zweitoren. Als stabil wird ein Netzwerk bezeichnet, in dem eine herbeigefhrte Strung nicht anklingt; unbedingt stabil ist es, wenn es sich bei jeder beliebigen passiven Beschaltung stabil verhlt. Die Stabilittsbedingungen lassen sich mit Hilfe der S-Parameter ausdrcken.
Zs Eingangsnetzwerk FET Ausgangsnetzwerk ZL
rs
rein
raus
rL
Abb. 2.9: Denition und Bezugsebenen der Reexionsfaktoren.
Ein Zweitor ist fr eine gegebene Frequenz unbedingt stabil, wenn gilt: |rein | 1 fr alle |rL | 1 und |raus | 1 fr alle |rS | 1 und und L beliebig (2.20) S beliebig
Die Winkel L und S bezeichnen die Argumente der Reexionsfaktoren r L und rS .
2.1. ZWEITORVERSTRKER Aus Gl. 2.20 folgt als notwendige und hinreichende Bedingung: K > 1 und |S12 S21 | < 1 |S11 |2 oder |S12 S21 | < 1 |S22 |2 K wird als Rollettscher Stabilittsfaktor bezeichnet (Rollett, 1962). K= 1 + |S |2 |S11 |2 |S22 |2 2|S12 S21 | mit S = S11 S22 S12 S21
71
(2.21)
(2.22)
Fr K 1 ist ein Zweitor nur bedingt stabil oder instabil, d.h. Gl. 2.20 gilt nicht. Ein Verstrker kann sowohl mit einem unbedingt stabilen als auch mit einem bedingt stabilen Bauelement aufgebaut werden. Verstrker mit unbedingt stabilem Zweitor Sind die Voraussetzungen (Gl. 2.20) fr unbedingte Stabilitt des Transistorzweitores erfllt, dann ist an Ein- und Ausgang gleichzeitig Leistungsanpassung ohne Selbsterregung mglich. Dazu muss der Reexionsfaktor r S des Eingangsnetzwerkes konjugiert komplex zum Eingangsreexionsfaktor r ein des FETs und der Reexionsfaktor rL der Last konjugiert komplex zum Ausgangsreexionsfaktor raus des Zweitores sein (Abb. 2.9). Da in der Literatur mehrfach abgeleitet, sei hier nur das Resultat der Berechnungen dargelegt. Die Reexionsfaktoren r S und rL ergeben sich in diesem Fall gem Gl. 2.23 und Gl. 2.24 zu: rS = rL = mit:
C2 = S22 S S11 C1 = S11 S S22
B1 B2
2 B1 4| C1 | 2 2C1 2 B2 4| C2 | 2 2C2
(2.23) (2.24) (2.25) (2.26) (2.27) (2.28)
B2 = 1 + |S22 |2 |S11 |2 |S |2
B1 = 1 + |S11 |2 |S22 |2 |S |2
Das Vorzeichen der Wurzeln ist positiv, wenn der Wert von B1 bzw. B2 negativ ist, und negativ, wenn B1 bzw. B2 positiv ist. Fr unbedingt stabile Zweitore ist nur das negative Vorzeichen zutreend, d.h. B1 und B2 sind positiv.
72
Sind die Anpassnetzwerke so ausgelegt, dass r S und rL die Gl. 2.23 und 2.24 erfllen, dann erhlt man den maximalen verfgbaren Leistungsgewinn (Maximum Available Power Gain: MAG) Gmax = MAG = S21 K K2 1 S12 (2.29)
Verstrker mit bedingt stabilem Zweitor Fr bedingt stabile Transistoren mssen die Reexionsfaktoren der Anpassnetzwerke so gewhlt werden, dass der Verstrker im stabilen Bereich arbeitet und nicht zu schwingen anfngt. Die Grenze zwischen stabilem und instabilem Bereich wird durch die Stabilittskreise im Smith-Diagramm festgelegt. Fr die Eingangs- und Ausgangsreexionsfaktoren gilt: r ein = S11 + raus = S22 + S12 S21 r L 1 S22 rL S12 S21 r S 1 S11 r S (2.30) (2.31)
Nach Gl. 2.20 ist das Zweitor fr eine gegebene Frequenz unbedingt stabil, wenn |rein | 1 und gilt. |raus | 1 fr alle |r S | 1 (2.33) fr alle |r L | 1 (2.32)
Die Grenze zwischen stabilem und instabilem Bereich ist also gegeben durch: |r ein | = S11 + S12 S21 r L ! =1 1 S22 rL (2.34)
Aus dieser Forderung ergibt sich der Stabilittskreis in der komplexen r L -Ebene: S22 S11 S (2.35) M = L Mittelpunkt: |S22 |2 |S |2 Radius: RL = S12 S21 |S22 |2 |S |2 (2.36)
Aus der zu Gl. 2.34 analogen Gleichung Gl. 2.37 fr |raus | |r aus | = S22 + S12 S21 r S ! =1 1 S11 r S (2.37)
2.1. ZWEITORVERSTRKER erhlt man den Stabilittskreis in der rS -Ebene: Mittelpunkt: Radius: MS = RS =
73
S11 S22 S |S11 |2 |S |2
(2.38) (2.39)
S12 S21 |S11 |2 |S |2
Es ist zu prfen, ob der jeweilige Stabilittsbereich durch die Flche innerhalb oder auerhalb dieser Kreise gegeben ist. Man whlt dazu zweckmigerweise jeweils den Mittelpunkt der r S -, r L -Ebene. Mit r S = 0 wird raus = S22 , bzw. rL = 0 fhrt auf r ein = S11 . Ist das betreende |Sii | < 1 (i = 1, 2), so ist auch |r aus | < 1 und |r ein | < 1 und der Mittelpunkt der r S -Ebene bzw. r L -Ebene liegt im stabilen Bereich. Diese Verhltnisse sind in Abb. 2.10 schematisch fr typische Flle dargestellt. Der bei passiven Abschlssen (|rL | 1) vorhandene stabile Bereich ist schraert gezeichnet. Bei |Sii | > 1 dagegen gehrt der Mittelpunkt der betreenden Reexionsfaktorebene zum instabilen Bereich. In diesem Fall wre folglich in Abb. 2.10 der instabile Bereich durch den nicht schraerten Teil im Inneren des Einheitskreises gegeben. Die beiden Stabilittskreise geben jeweils nur Aufschluss ber das Stabilittsverhalten bei einer Frequenz. Will man Stabilitt fr alle Frequenzen sicherstellen, so muss man folglich die Stabilittskreise fr alle Frequenzen aus dem mglicherweise weiten Frequenzbereich konstruieren, in dem fr das Zweitor K < 1 gilt. Whlt man die Reexionsfaktoren zu:
j S r S = |r S | e |r S | = |M S | RS S = arg(M S )
Alle Lastreexionsfaktoren rL , die auf dem Kreis mit dem Mittelpunkt M L und dem Radius RL liegen, ergeben einen Eingangsreexionsfaktor mit |r ein | = 1. Entsprechendes gilt fr die Quellreexionsfaktoren rS auf dem Kreis M S , RS (|raus | = 1).
mit bzw.:
(2.40)
mit
j L r L = |r L | e |r L | = |M L | RL L = arg(M L )
(2.41)
so liegen sie genau auf der Grenze zwischen stabilem und instabilem Bereich. Die Verluste in den Anpassschaltungen stellen jedoch sicher, dass die Schaltung stabil arbeitet. Diese Wahl ergibt einen guten Kompromiss zwischen Stabilitt und Leistungsgewinn (siehe spter Gl. 2.50).
74
r=0 ausserhalb des Stabilittskreises |S 11| < 1 bzw. |S 22| < 1
r=0 innerhalb des Stabilittskreises
stabil
instabil
stabil
instabil |S 11| > 1 bzw. |S 22| > 1 instabil stabil stabil
instabil
Abb. 2.10: Stabilittsbereiche in der r L - bzw. rS -Ebene.
Dies gilt, solange keine Temperaturdrift oder Alterungserscheinungen auftreten und solange der Transistor nicht ausgewechselt wird. In diesem Fall mssen bei der Berechnung der Stabilittskreise diese Faktoren mitbercksichtigt werden. Des weiteren mssen fr eine optimale Auslegung des Verstrkers weitere Kriterien wie Bandbreite und Rauschverhalten hinzugezogen werden. Auerdem sind die S-Parameter frequenzabhngig und damit auch die Reexionsfaktoren r S bzw. r L . Sie stellen also nur Richtwerte fr den Entwurf schmalbandiger Verstrker dar. Beispiel: In Abb. 2.11 sind die Stabilittskreise in der r S - und r L -Ebene fr einen GaAsMESFET-Chip CFY 10 dargestellt. Da stets |S11 | < 1 und |S22 | < 1 ist, liegt der instabile Bereich hier jeweils innerhalb der Stabilittskreise. Aufgrund der mit
75
4GHz 7GHz
4GHz
7GHz
10GHz
2GHz
2GHz
5GHz 7GHz 10GHz 12GHz 12GHz 0 0.2 0.5 15GHz 15GHz 1 2 3 5 8 4GHz 7GHz 7GHz 10GHz 9GHz S 11 11GHz 3GHz
1GHz
12GHz
12GHz 10GHz 15GHz
15GHz S 22
11GHz
7GHz 5GHz 3GHz
4GHz
2GHz 1GHz 0 0.2 0.5 1 2 3 5 8
Abb. 2.11: Stabilittskreise fr einen GaAs-MESFET-Chip (CFY 10, Siemens AG) in der rS - (oben) und rL -Ebene (unten). Zum Vergleich sind fr diesen und S angegeben. Der instabile Bereich liegt jeweils innerhalb Chip S11 22 der Stabilittskreise.
76
wachsender Frequenz absinkenden Verstrkung |S21 | und des damit sich erhhenden Stabilittsfaktors wird der instabile Bereich in den Reexionsfaktorebenen mit wachsender Frequenz kleiner. Unterhalb von 9 GHz ist der Chip bedingt stabil (K < 1), so dass je nach Reexionsfaktor der Beschaltung Stabilitt oder Instabilitt vorliegen kann. S11 und S22 , die zum Vergleich eingezeichnet sind, verlaufen z.B. berwiegend im stabilen Bereich. (Es sei hier daran erinnert, dass die Reexionsfaktoren r ein und r aus bei beliebiger Beschaltung wegen der Rckwirkung nicht genau mit S11 und S22 bereinstimmen). Oberhalb von 9 GHz (K > 1) liegen die Stabilittskreise auerhalb der Impedanzebene, so dass bei passiven Abschlssen keine Selbsterregung mglich ist. Aus Abb. 2.11 erkennt man auch, dass die Mittelpunkte der Stabilittskreise ungefhr auf der Verlngerung der Verbindungslinie von r = 0 und Sii (i = 1, 2) liegen. Leistungsgewinndenitionen Beim Entwurf von Verstrkern interessiert das Leistungsbertragungsverhalten. Es gibt mehrere Leistungsgewinndenitonen, deren ausfhrliche Erluterungen in Zinke/Brunswig: Lehrbuch der Hochfrequenztechnik, Springer Verlag 1999, 2. Band Kapitel 9.1 erfolgt; hier sei nur eine knappe Darstellung gegeben. Klemmen- oder Betriebsleistungsgewinn (operating power gain) G P2 vom Zweitor an den Verbraucher abgegebene Leistung = P1 von der Quelle an das Zweitor abgegebene Leistung = f ([S ],rL ) (2.42) 2 2 |S21 | (1 |rL | ) G = 2 2 )] 1 |S11 | + |rL | (|S22 |2 |S |2 ) 2Re [r L (S22 S S11
G =
G hngt von den Zweitorparametern und r L ab, nicht jedoch von rS . ber die Ausntzung der von der Quelle verfgbaren Signalleistung durch das Zweitor und die Last sagt der Klemmenleistungsgewinn nichts aus. bertragungsleistungsgewinn (transducer power gain) GT GT = vom Zweitor an den Verbraucher abgegebene Leistung P2 = P1V von der Quelle verfgbare Leistung = f ([S ],rL , r S ) (2.43) 2 2 2 |S21 | (1 |rS | ) (1 |r L | ) = |(1 S11 rS )(1 S22 r L ) S12 S21 r L r S |2
GT
77
GT hngt von den Zweitorparametern, von r S und von r L ab. Im Allgemeinen ist GT < G. Nur fr den Spezialfall, dass Quelle und Zweitoreingang angepasst sind, gilt GT = G. GT beschreibt, welchen Vorteil ein aktives Zweitor bezglich der Leistungsbertragung bringt, im Vergleich zu einem angenommenen passiven Netzwerk, das Quelle und Verbraucher verlustlos anpasst. Spezialfall: Unilateraler bertragungsleistungsgewinn (unilateral transducer power gain) GT u Falls die Rckwirkung klein ist, kann sie in erster Nherung vernachlssigt werden (S12 = 0), wodurch der Rechenaufwand fr den Schaltungsentwurf erheblich geringer wird. vom Zweitor bei Vernachlssigung der Rckwirkung an den Verbraucher abgegebene Leistung = von der Quelle verfgbare Leistung (2.44) = f ([S ],r L , rS ) 2 2 2 |S21 | (1 |rS | ) (1 |rL | ) = |1 S11 rS |2 |1 S22 rL |2
GT u
GT u
Fr das Verhltnis von GT zu GT u lsst sich folgende Ungleichung angeben: 1 GT 1 < < 2 (1 + u) GT u (1 u)2 mit u= r S rL S12 S21 (1 r S S11 )(1 rL S22 ) (2.45)
Der Fehler wird um so kleiner, je kleiner u ist. Verfgbarer Leistungsgewinn (available power gain) GA GA = vom Zweitor verfgbare Leistung P2V = P1V von der Quelle verfgbare Leistung = f ([S ], rS ) (2.46) 2 2 |S21 | (1 |rS | ) = 2 2 )] 1 |S22 | + |rS | (|S11 |2 |S |2 ) 2Re [r S (S11 S S22
GA
GA hngt von den Zweitorparametern und r S ab, jedoch nicht von rL . Falls der Spezialfall vorliegt, dass der Zweitorausgang und die Verbraucherimpedanz angepasst sind, gilt GA = GT . Bei Fehlanpassung ist GA > GT .
78
KAPITEL 2. VERSTRKER Einfgungsleistungsgewinn (insertion power gain) GI GI = P2 vom Zweitor an den Verbraucher abgegebene Leistung = PS von der Quelle an den Verbraucher abgegebene Leistung = f ([S ],r L , rS ) (2.47) 2 2 |S21 | |1 r L r S | = |(1 S11 r S )(1 S22 rL ) S12 S21 rL r S |2
GI
GI hngt von den Zweitorparametern, sowie von rS und r L ab. GI entspricht dem Gewinn, der gemessen wird, wenn ein Zweitor zwischen Quelle und Verbraucher eingefgt wird. Fr den Spezialfall, dass Quelle und Verbraucher angepasst sind, gilt GI = GT . Maximaler Leistungsgewinn (Maximum Available Power Gain) MAG = Gmax Der maximale Leistungsgewinn wird erreicht, wenn an Ein- und Ausgang des Zweitores Leistungsanpassung vorliegt. Es gilt dann: r L = r aus und r S = r . Bei unbedingt stabilen Zweitoren kann dieser Zustand immer erein reicht werden. MAG kann als Funktion der Streuparameter des Zweitores angegeben werden (Gl. 2.29). Liegt an Ein- und Ausgang Leistungsanpassung vor, dann ergeben alle Gewinndenitionen den gleichen Wert: G = GT = GA = GI = MAG = f ([S ]) Zur Verwendung der verschiedenen Gewinndenitionen ist festzustellen: GT wird blicherweise von Schaltungsentwicklern zur Beschreibung der Wirksamkeit einer Verstrkerschaltung bei den jeweils vorliegenden Betriebsbedingungen benutzt, GI entspricht dem gemessenen Gewinn, wenn ein Zweitor zwischen Quelle und Verbraucher eingefgt wird. GA wird fr Rauschberechnungen bentigt. MAG wird dagegen von Bauelementeherstellern zur Beschreibung des mit einem aktiven Element berhaupt erzielbaren maximalen Gewinns herangezogen. Kreise konstanter Verstrkung Durch die Vernachlssigung der Rckwirkung (S12 = 0) wird nach Gl. 2.30 der Eingangsreexionsfaktor r ein eines Zweitors unabhngig vom Lastreexionsfaktor r L und nach Gl. 2.31 der Ausgangsreexionsfaktor r aus unabhngig vom Quellenreexionsfaktor r S . r ein |S12 =0 = S11 , r aus |S12 =0 = S22 (2.48)
Weil so Eingang und Ausgang entkoppelt sind, wird ein vereinfachtes und anschauliches Vorgehen beim Schaltungsentwurf mglich.
79
In Abb. 2.12 ist gezeigt, wie die in Gl. 2.49 etwas anders dargestellte Gl. 2.44 einem Netzwerk zugeordnet werden kann. GT u wird als das Produkt von drei Verstrkungsbeitrgen aufgefasst, die in eindeutiger Weise den Transformationsnetzwerken und dem Zweitor zugeordnet werden knnen. GT u = 1 |r S |2 1 |r L |2 2 | S | 21 |1 S11 r S |2 |1 S22 r L |2 = GSu G0 GLu = GSu dB + G0 dB + GLu dB
(2.49)
Zs Us GSu G0 (S12=0) r S 11 S 22 r GLu ZL
r =0
S
r =0
L
Abb. 2.12: Unilateraler bertragungsgewinn GT u eines mit Anpassungsnetzwerken beschalteten Zweitors.
Je nachdem, ob die Transformtionsnetzwerke die Anpassung gegenber dem Fall r S = rL = 0 verbessern oder verschlechtern, erhlt man einen Anpassungsgewinn oder einen Anpassungsverlust. Der Verstrkungsbeitrag GSu beispielsweise hngt bei gegebenem S11 (Zweitoreigenschaft) nur vom Reexionsfaktor r S der Quelle ab, der beim Schaltungsentwurf durch eine geeignete Anpassungsschaltung optimiert werden kann. Fr r S = 1 wird GSu = 0, fr r S = 0 wird GSu = 1 (Gl. 2.49). Den maximalen unilateralen bertragungsgewinn GT u,max erhlt man, wenn das Zweitor beidseitig konjugiert komplex angepasst wird (r S = S11 , r L = S22 ). Einsetzen in Gl. 2.49 ergibt: GTu ,max = 1 1 2 = GSu ,max G0 GLu ,max 2 |S21 | 1 |S11 | 1 |S22 |2 (2.50)
Das eingangs erwhnte Verfahren fr den Schaltungsentwurf beruht nun darauf, dass alle r S -Werte, die ein konstantes GSu (0 < GSu < GSu ,max ) bewirken knnen, im Smith-Diagramm auf einem Kreis liegen.
80
Der Ausdruck fr GSu ist formal gleich dem von GLu , wobei nur r S durch rL und S11 durch S22 zu ersetzen sind. Fr GLu gilt daher dasselbe wie fr GSu . Der Einuss der Eingangs- (i = 1) und Ausgangsanpassung (i = 2) auf den Gewinn GT u kann folglich jeweils durch eine Schar von Kreisen konstanter Verstrkung beschrieben werden, deren Mittelpunkte und Radien im Smith-Diagramm gegeben ist durch gi |Sii | (2.51) di = 1 |Sii |2 (1 gi ) 1 gi 1 |Sii |2 Ri = (2.52) 1 |Sii |2 (1 gi ) mit gi = Gju 1 |Sii |2 = Gju ; Gju ,max i = 1, j = S bzw. i = 2, j = L
Der Mittelpunkt des Kreises konstanter Verstrkung Gi liegt in Richtung des Vektors Sii im Abstand di vom Mittelpunkt des Smith-Diagrammes. Ri ist der Kreisradius, gi die zugehrige normierte Verstrkung. Beispiel: In Abb. 2.13 sind Kreise konstanter Verstrkung (G-Kreise) fr einen GaAsMESFET-Chip fr 12 GHz in der r S - bzw. r L -Ebene gezeigt. Mit Gl. 2.45 kann der maximale Fehler fr GT abgeschtzt werden. Die Mittelpunkte der G-Kreise liegen jeweils auf der Verbindungsgeraden zwischen dem Mittelpunkt des Smith Diagramms und S11 bzw. S22 . Bei S11 bzw. S22 werden die Verstrkungsbeitrge maximal (gi = 1): die Kreise entarten jeweils zu einem Punkt. Die G-Kreise, die sich innerhalb des 0 dB-Kreises benden, bringen eine Verbesserung gegenber dem Fall der Beschaltung mit Z0 , jene auerhalb davon eine Verschlechterung. Dort, wo die G-Kreise dicht benachbart sind, ndert sich GT u stark mit rS bzw. rL. Zum Vergleich mit den aus Abb. 2.13 bestimmten Werten (GTu ,max = (2,3 + 20 lg 1,56 + 2,1) dB = 8,26 dB fr r S = 0,65/168 und r L = 0,62/72) sind im folgenden Werte fr den maximalen Gewinn GT ,max und die erforderliche Anpassung bei exaktem Vorgehen, also bei Bercksichtigung der Rckwirkung (|S12 | = 0,08), angegeben:
GT ,max = GA,max = MAG = 8,9 dB fr rS = 0,73/178 und rL = 0,71/85.
81
GSmax = 2,3dB rS Ebene
10dB 5 2 0 1
S11
0
2,3 1 0 2
0,5
510dB
1 2 3 5 10 8 8
0,2
j j
GLmax = 2,1dB rL Ebene
1 0 2 5
0 0,2 0,5 1
S22 2,1 1 0 2 5 10dB

2 3 5 10
10dB
Abb. 2.13: Kreise konstanter Verstrkung GSu in der r S -Ebene (oben) bzw. GLu in der rL -Ebene (unten) fr einen GaAs-MESFET-Chip CFY 10 bei 12 GHz mit |S21 | = 1,56 (Annahme: S12 = 0).
82
2.1.4
Verstrkerrauschen
Nachdem im vorherigen Abschnitt die Entwurfskriterien fr Stabilitt und Leistungsanpassung dargelegt wurden, soll hier in gerater Darstellung die Charakterisierung und Optimierung des Verstrkerrauschverhaltens gezeigt werden. Rauschbetrachtungen sind deshalb notwendig, weil maximale Verstrkung und minimales Rauschen nicht bei der gleichen Dimensionierung des EingangsAnpassnetzwerks auftreten. Um fr die gegebene Aufgabe jeweils ein Optimum festlegen zu knnen, wird deshalb hier die bekannte Methode der Kreise konstanten Rauschens aufgezeigt. Rauschen in Zweitoren Mikrowellenverstrker produzieren auch dann ein Ausgangssignal, wenn keine Eingangsspannung anliegt. Ursache hierfr ist das thermische oder JohnsonRauschen des Verstrkers, das durch die Verstrker-Rauschzahl F charakterisiert wird. Zur Bestimmung dieser Rauschzahl wird wie folgt vorgegangen: Ein rauschendes Zweitor wird am Eingangstor 1 gem Abb. 2.14a mit einem rauschenden Widerstand RN abgeschlossen, dessen Rauscheigenschaften gem Abb. 2.14b auch durch eine externe Rauschquelle UN und einen rauschfreien Widerstand RN beschrieben werden knnen.
a) rauschendes Zweitor b) RN rauschendes Zweitor
RN
ZL
UN
ZL
Abb. 2.14: Rauschendes Zweitor
Es ergibt sich die allgemein bekannte Beziehung (Nyquistgleichung) |UN |2 = 4kT BRN mit k = 1,38 1023 J (Boltzmann-Konstante) K (2.53)
fr die Ermittlung des Eektivwertes UN der Rauschspannung bei bekannter Temperatur T und Bandbreite B . Der Querstrich steht fr den zeitlichen Mittelwert.
83
Da das Rechnen mit Leistungen im Allgemeinen angenehmer ist und im folgenden Anwendung ndet, sei hier noch die maximal an RN verfgbare Rauschleistung PN angeben (Lastwiderstand = Innenwiderstand): |UN |2 PN = = kT B 4RN (2.54)
Ausgehend von diesen Beziehungen ergibt sich die Rauschzahl F eines Zweitors per Denition (Gl. 2.55) aus dem Verhltnis der am Verstrkerausgang abnehmbaren Gesamtrauschleistung PN o zur mit dem verfgbaren Leistungsgewinn GA (Gl. 2.46) des Zweitors multiplizierten Eingangsrauschleistung PN i , die durch RN verursacht wurde. PN o F = (2.55) P N i GA Der verfgbare Leistungsgewinn GA kann auch als das Verhltnis der am Ausgang verfgbaren Leistung P2V zur am Eingang verfgbaren Leistung P1V angeschrieben werden (Gl. 2.46): P2V (2.56) GA = P1V Mit Gl. 2.55 ergibt sich die Rauschzahl F als das Verhltnis der Signal-RauschAbstnde (Signal-to-Noise Ratio, SNR) von Eingangs- und Ausgangssignal: F = P1V /PN i SNRi = P2V /PN o SNRo (2.57)
Oft wird die Rauschzahl im logarithmischen Ma angegeben (Noise Figure, NF). Die Denition hierzu lautet: NF = 10 lg(F ) dB (2.58)
Da die am Eingang verfgbare Leistung von der Quellimpedanz und nicht von der Lastimpedanz abhngt, hngt auch die Rauschzahl F nur von der Quellimpedanz (oder vom Quellreexionsfaktor r S ) ab. Bei Kettenschaltung mehrerer Verstrkerzweitore wird die Gesamtrauschzahl entsprechend Abb. 2.15 bestimmt. Hierbei stellt PN i wieder die verfgbare Eingangsrauschleistung dar, whrend Pn1 und Pn2 die durch die einzelnen Verstrkerstufen hervorgerufenen Rauschleistungsanteile verkrpern. Diese sind nicht korreliert und knnen daher addiert werden. Die Gesamtrauschleistung am Verstrkergruppenausgang PNo ,TOT bestimmt sich zu: PNo ,TOT = GA2 (GA1 PN i + Pn1 ) + Pn2 (2.59)
84
RN
Verstrker 1 G A1 P n1
Ni
Verstrker 2 G A2 P n2 G
A1 Ni
ZL
P =kTB
P +P
n1
No,TOT
Abb. 2.15: Kettenschaltung zweier Verstrkerzweitore.
Hiermit ergibt sich die Gesamtrauschzahl eines zweistugen Verstrkers zu: F = oder F = F1 + mit F1 = 1 + Pn1 = 1 + FZ 1 P N i GA 1 und F2 = 1 + Pn2 = 1 + FZ 2 P N i GA 2 PNo ,TOT Pn1 Pn2 =1+ + P N i GA 1 GA 2 P N i GA 1 P N i GA 1 GA 2 F2 1 GA 1 (2.60)
(2.61)
(FZ : Zusatzrauschzahl mit Te = FZ T0 eektive Rauschtemperatur) Aus diesen Beziehungen kann durch Rekursion die Rauschzahl beliebig komplexer Verstrkerketten ermittelt werden (H. T. Friis, 1944): Fges = F1 + F2 1 Fn 1 ++ GA 1 GA1 GA2 . . . GAn1 (2.62)
Aus Gl. 2.61 geht auch hervor, dass die Rauschzahl F2 der zweiten Stufe mit einem um die Verstrkung der ersten Stufe reduzierten Gewicht in die Gesamtrauschzahl eingeht. Daraus folgt, dass bei hoher Verstrkung der ersten Stufe die zweite Stufe keine besonderen Anforderungen an die Rauscharmut erfllen muss.Es kann also sinnvoll sein, lieber eine hhere Verstrkung der ersten Stufe bei gleichzeitig geringfgig hherer Rauschzahl F1 in Kauf zu nehmen, um so das Rauschen der zweiten Stufe zu unterdrcken. Kreise konstanten Rauschens Die Rauschzahl eines Zweitors kann dargestellt werden durch Gl. 2.63, wobei rN = RN /Z0 der auf den Bezugswiderstand Z0 normierte Rauschwiderstand ist,
85
und YS = GS + jBS der Quellenadmittanz und YSO = GSO + jBSO dem Eingangsleitwert, der die geringste Rauschzahl der Verstrkerstufe verursacht, entspricht (der Index O steht fr optimal). F = Fmin + RN rN |YS YSO |2 = Fmin + |yS ySO |2 GS gS yS = YS Z0 = gS + jbS ySO = YSO Z0 = gSO + jbSO Werden YS und YSO durch r S und r SO ausgedrckt, so ergibt sich fr die Rauschzahl die Beziehung Gl. 2.64, die von Fmin , rN , r SO und r S abhngt: F (rS ) = Fmin + 4rN |rS r SO |2 1 |r S |2 |1 + rSO |2 (2.64) (2.63)
Die vier Gren Fmin , rN sowie Betrag und Phase von rSO sind als Rauschparameter bekannt und werden gemeinhin von den Transistorherstellern angegeben oder knnen experimentell bestimmt werden. Hierzu wird die Impedanz der Quelle (z.B. mit einer vernderlichen Serien- und Parallel-Stichleitung) so lange variiert, bis sich minimales Rauschen am Ausgang ergibt. Der Wert von r S kann dann mit einem VektorNetzwerkanalysator gemessen werden; aufgrund der Abgleichbedingungen ist sichergestellt, dass r S = r SO ist. Die bei dieser Einstellung ermittelte Rauschzahl stellt Fmin dar. Aus den schon ermittelten Werten kann durch Nullsetzen von r S und einer weiteren Rauschzahlmessung F (rS = 0) der normierte Rauschwiderstand rN bestimmt werden: |1 + r SO |2 rN = (F (r S = 0) Fmin ) 4 |rSO |2 (2.65)
Die minimale Rauschzahl Fmin in dB steigt mit der Arbeitsfrequenz ungefhr linear an und hngt von dem Kollektor- bzw. Drainstrom ab. Als typisches Beispiel der Frequenz- und Stromabhngigkeit zeigt Abb. 2.16 das Rauschverhalten des GaAs-FETs ATF10136. Ausgehend von Gl. 2.64 kann das geeignete r S fr eine gewnschte Rauschzahl Fi bestimmt werden. Mit Gl. 2.64 ist implizit die Kreisgleichung fr den Vektor r S gegeben. Durch Umformung ergibt sich die explizite Form Gl. 2.66, wobei Ni (Gl. 2.67) als Rauschzahlparameter bezeichnet wird. r r S SO 1 + Ni wobei
2
Ni2 + Ni 1 |r SO |2 (1 + Ni )2
(2.66)
|rS r SO |2 Fi Fmin Ni = |1 + r SO |2 2 = 4 rN 1 |r S |
(2.67)
86
18 15
GA
16 14
GA (dB)
2.0 1.5
12 9
GA
12 10
NF0 (dB)
1.5
NF0 (dB)
1.0 0.5 0 2.0

NF0
1.0
NF0
0.5 0
4.0
6.0
8.0 10.0 12.0
10
20
30
40
50
60
Frequency (GHz)
IDS (mA)
Abb. 2.16: Verstrkung und minimale Rauschzahl des GaAs-FETs ATF10136. links: Aufgetragen ber der Frequenz. rechts: Aufgetragen ber dem Drainstrom IDS . Bei kleinem IDS dominiert das thermische Rauschen, bei groem das Schrotrauschen.
Damit ergeben sich der Mittelpunktsvektor C Fi und Radius RFi des zugehrigen Rauschkreises zu r C Fi = SO (2.68) 1 + Ni 1 Ni2 + Ni 1 |r SO |2 RFi = (2.69) 1 + Ni Diese Kreise knnen wie in Abb. 2.17 in ein Smith-Diagramm eingetragen werden; fr den Sonderfall Fi = Fmin (Ni = 0) entartet der Kreis zu einem Punkt bei r S = r SO . Die Mittelpunkte der weiteren Rauschkreise liegen nach Gl. 2.68 auf der Verbindungsgeraden zwischen dem Ursprung und dem Punkt rSO . In Abb. 2.17 ist ein typisches Beispiel fr solche Rauschkreise dargestellt. Die minimale Rauschzahl betrgt 3 dB. Am Punkt A ergibt sich fr rS = 0,38 exp(+j119) eine Rauschzahl von F = 4 dB. Beim Entwurf zeigen sich grundstzliche Unterschiede zwischen dem geplanten und dem tatschlichen Wert der Rauschzahl. Das rhrt einerseits von den Exemplarstreuungen der Transistordaten her, andererseits von den immer vorhandenen Verlusten in den Transformationsnetzwerken. Typische Werte fr die Abweichung von Theorie und Praxis liegen zwischen ca. 0,1 dB und 1 dB fr schmalbandige Verstrker. Zur Dimensionierung von Verstrkerstufen auf minimales bzw. gewnschtes Rauschen bei optimaler Verstrkung werden nun wie in Abb. 2.18 nicht nur die Rauschkreise, sondern gleichzeitig auch die Kreise konstanter Verstrkung in das Smith-Diagramm des Quellreexionsfaktors eingetragen. Ausgehend von einer feststehenden Forderung (z.B. Fi = 2 dB) sucht man den Berhrpunkt dieses Rauschkreises mit einem Kreis konstanter Verstrkung (im Beispiel Punkt B mit G = 1,5 dB). Der Berhrpunkt stellt dann unter den genannten Anforderungen den optimalen Reexionsfaktor r S dar, d.h. ein Eingangsnetzwerk muss immer auf dieses rS transformieren. Diese Betrachtungen sind selbstverstndlich durch eine Kontrolle der Stabilittsbedingungen zu ergnzen.
GA (dB)
j
87
rS Ebene
rS0 3dB 3,5dB 4dB

0 0,2
5dB 0,5 6dB
10
Abb. 2.17: Rauschkreise fr einen 4-GHz-Transistor.

j
rS Ebene
3dB 2dB 1dB 0dB B
0,8dB 1dB 1,5dB
0,2
0,5
2dB
10
2,5dB 4dB
Abb. 2.18: Rauschkreise und Kreise konstanter Verstrkung in einem Diagramm fr einen GaAs-FET bei 4 GHz (- - - Verstrkung, Rauschen).
88
2.1.5
Grosignaleigenschaften und nichtlineare Verzerrungen
Die Streuparameter sind Kleinsignalparameter und beschreiben folglich die FETEigenschaften nur bei hinreichend kleinen Aussteuerungen. Die S-Parameter sind blicherweise in Datenblttern angegeben. Damit knnen der erreichbare Kleinsignalgewinn, Rausch- und Stabilittseigenschaften ermittelt werden, aber nicht das Verhalten bei Grosignaleinuss. Als Beispiel seien die S-Parameter des 1 W GaAs-FET MSC88004 in Abb. 2.19 dargestellt. Die Betrge von S11 , S22 und S12 sowie die Phasen von S11 und S22 wachsen im Allgemeinen mit zunehmender Ausgangsleistung an.
j
90 120
2GHz
60
10GHz
150
10GHz
S 21
30
10GHz 2GHz
S 11
S 22
10GHz 2GHz
0,2
0,5
10
180 3
0 S12 30
150
2GHz
10GHz
30
120 a)
j
60 90
b)
Abb. 2.19: Streuparameter eines 1 W GaAs-Leistungs-FET (MSC88004; UDS = 9 V, ID = 500 mA) fr den Frequenzbereich 2 bis 10 GHz; Wellenwiderstand ZL = 50 . a) Eingangsreexion S11 und Ausgangsreexion S22 ; b) Vorwrtstransmission S21 und Rckwrtstransmission S12 30.
Aus diesem Grund ist die Anpassung (insbesondere die Breitbandanpassung) umso schwieriger, je hher die Ausgangsnennleistung des Transistors ist. Hinzu kommt, dass die S-Parameterbeschreibung mit wachsender Aussteuerung ungenauer wird. Deutlich nichtlineares Verhalten ist bei einem GaAs-FET bereits bei Ausgangsleistungen vorhanden, die noch ca. 10 dB unter der Sttigungsleistung liegen. Folglich tritt beim Betrieb von Leistungsverstrkern zwangslug je nach augenblicklicher Signalamplitude sowohl Kleinsignal- als auch Grosignalaussteuerung auf. Es gibt noch keine allgemeine und geschlossene Methode zur Beschreibung der Grosignaleigenschaften von GaAs-FETs. Die Grosignaleigenschaften mssen
89
daher im Allgemeinen experimentell bei den jeweils vorliegenden Betriebsbedingungen ermittelt werden. Im folgenden werden die Grosignaleigenschaften und die nichtlinearen Verzerrungen beschrieben, die bei Leistungsverstrkern zu bercksichtigen sind, sowie Methoden zu deren Optimierung angegeben. Beschreibungsformen nichtlinearer Verzerrungen Aussteuerungsabhngigkeit des Gewinns Abb. 2.20 zeigt schematisch, dass die Ausgangsleistung Paus mit wachsender Eingangsleistung Pein einem Sttigungswert Psat zustrebt. Wegen der im Ausgangskennlinienfeld vorhandenen Begrenzungen nimmt der Gewinn mit wachsender Aussteuerung ab.
Paus /dBm Psat P1dB G0 G0 1dB
MDSaus MDSein
Rauschen 1 2
Pein /dBm
3
Abb. 2.20: Zusammenhang zwischen Eingangsleistung Pein und Ausgangsleistung Paus eines Verstrkers. 1) Bereich linearer Verstrkung; 2) Bereich der Verstrkungskompression; 3) Sttigungsbereich; D: Dynamikbereich; MDS: Minimum Detectable Signal.
Abb. 2.20 unterscheidet die drei Bereiche: lineare Verstrkung, Verstrkungskompression und gesttigte Ausgangsleistung: 1. Der Bereich linearer Verstrkung ist nach unten hin durch das Verstrkerrauschen begrenzt. Die sogenannte kleinste nachweisbare Signalleistung (Minimum Detectable Signal) MDSein ist denitionsgem gleich gro wie
90
KAPITEL 2. VERSTRKER das auf den Eingang bezogene Verstrkerrauschen in der Empfangsbandbreite B . MDSein /dBm = kT0 BF = 174 dBm/Hz + 10 lg(B/Hz) + NF /dB (2.70)
Die von MDSein hervorgerufene Ausgangsleistung betrgt somit:
MDSaus /dBm = kT0 BF G0 = 174 dBm/Hz + 10 lg(B/Hz) + NF /dB + G0 /dB (2.71)
Als obere Grenze des linearen Verstrkungsbereichs wird allgemein die Stelle angesehen, bei der eine Verstrkungsabnahme (Verstrkungskompression) von 1 dB gegenber dem Kleinsignalgewinn G0 erfolgt. Die an dieser Stelle vorliegende Ausgangsleistung P1dB wird blicherweise in Datenblttern zur Beschreibung der vom Transistor abgebbaren maximalen Leistung verwendet. Durch die Gre des Bereichs linearer Verstrkung wird der Dynamikbereich D des Transistors festgelegt. D/dB = P1dB /dBm MDSein /dBm G0 /dB (2.72)
2. Im Bereich der Verstrkungskompression treten bei der Nachrichtenbertragung strende nichtlineare Verzerrungen auf, wie z.B. harmonische Oberwellen, Intermodulation, sowie AM-AM-Konversion (Gewinn-Kompression) und AM-PM-Konversion (Phasenverzerrung). 3. Im Sttigungsbereich ist die Ausgangsleistung Psat unabhngig von der Eingangsleistung. In diesem Aussteuerungsbereich arbeiten zum Beispiel Begrenzerverstrker. Aussteuerungsabhngigkeit der Intermodulation Bei mehrfrequenten Eingangssignalen entstehen durch das nichtlineare Verstrkerverhalten zustzliche Mischprodukte am Verstrkerausgang. Das diesbezgliche nichtlineare Verhalten wird im Frequenzbereich durch aussteuerungsabhngige Intermodulationsabstnde beschrieben. Zu deren Messung werden, wie in Abb. 2.21 gezeigt, zwei frequenzmig benachbarte (f1 f2 , |f1 f2 | f1 ) unmodulierte Signale gleicher Amplitude (Pein (f1 ) = Pein (f2 )) verwendet. Durch die Nichtlinearitten dritter Ordnung des Verstrkers entstehen am Ausgang zustzlich zu Paus (f1 ) und Paus (f2 ) Mischprodukte bei den Frequenzen 2f1 f2 und 2f2 f1 , die in der Nhe der Signalfrequenzen f1 und f2 liegen und deshalb besonders stren. Der Intermodulationsabstand IM hngt ab von der gesamten Eingangsleistung Pein = Pein (f1 ) + Pein (f2 ) der beiden Trger und ist durch das Verhltnis der Leistungen von Trger und Mischprodukt am Ausgang gegeben: IM /dB = Paus (f1 )/dBm Paus (2f2 f1 )/dBm (2.73)
lg Pein lg Paus
91
IM
f1
f2 f2 -f 1
f1 2f1 -f 2 = f1 -(f2 -f 1 )
f2 2f2 -f 1 = f2 +(f2 -f 1 )
Abb. 2.21: Bestimmung des Intermodulationsabstandes eines Verstrkers. a) Frequenzspektrum am Verstrkereingang; b) Frequenzspektrum am Verstrkerausgang aufgrund nichtlinearer Verzerrungen dritter Ordnung.
In Abb. 2.22 ist angenommen, dass Nichtlinearitten hherer als dritter Ordnung vernachlssigt werden knnen. Im Bereich linearer Verstrkung wchst die Ausgangsleistung Paus (f1 ) proportional zur Eingangsleistung Pein , die Leistung 3 des Mischprodukts Paus (2f2 f1 ) jedoch proportional zu Pein . Der Intermodulationsabstand IM nimmt daher bei zunehmender Eingangsleistung Pein umgekehrt 2 proportional zu Pein ab.
Paus /dBm IP3,aus IP3
IM P aus (2f2 f 1 ) 1 1 MDSaus MDSein 1 IP3,ein Pein /dBm Df 3
P aus ( f1 )
Abb. 2.22: Zusammenhang zwischen Intermodulationsabstand IM und Eingangspegel Pein ; IP 3 Interceptpunkt 3. Ordnung.
92
Bei hohen Pegelwerten ergibt sich eine ktive Ausgangsleistung, bei welcher Trger und Mischprodukt gleich gro sind. Diesen Schnittpunkt bezeichnet man als Interceptpunkt dritter Ordnung (IP 3 ). Falls Nichtlinearitten hherer als dritter Ordnung vernachlssigt werden knnen, ist der Interceptpunkt unabhngig von der Aussteuerung und charakterisiert somit das Intermodulationsverhalten des Verstrkers durch eine einzige Zahl. Diese Voraussetzung wird z.B, von Bipolartransistoren und Wanderfeldrhren erfllt, nicht jedoch von Feldeekttransistoren. Deren Intermodulationsverhalten wird durch den Interceptpunkt nur fr Intermodulationsabstnde grer etwa 30 dB gut beschrieben. Sind diese jedoch geringer als etwa 20 dB, dann nimmt der Intermodulationsabstand strker als 2 mit 1/Pein ab. Deshalb kann man bei FETs, die nahe der Ausgangsnennleistung betrieben werden, durch eine kleine Verringerung der Ausgangsleistung in der Regel eine erhebliche Verbesserung des Intermodulationsabstands erzielen. In Abb. 2.22 ist mit Df der von Intermodulationsstrungen freie Dynamikbereich (spurious free dynamic range) des Verstrkers bezeichnet. Dieser ergibt sich zu: 2 Df /dB = (IP 3 ,aus /dBm MDS ein /dBm G0 /dB) (2.74) 3 Beispiel: Fr einen 1 W GaAs-Leistungs-MESFET (MSC88004) weisen die oben genannten Eigenschaften bei 6 GHz typisch folgende Werte auf (B = 1 MHz): P1dB = 30 dBm, G0 = 8 dB, IP 3 = 39 dBm, NF = 5,3 dB, MDS ein = -105,7 dBm, D = 117,6 dB, Df = 84,5 dB Lastabhngigkeit der Ausgangsleistung Die mit einem vorgegebenen Feldeekttransistor in einem bestimmten Gleichstromarbeitspunkt erreichbaren Grosignaleigenschaften hngen vor allem von der gewhlten Lastimpedanz ab, denn fr die Optimierung der Ausgangsleistung, des Gewinns, des Wirkungsgrades und des Intermodulationsverhaltens sind jeweils unterschiedliche Lastimpedanzen erforderlich. In Abb. 2.23 sind z.B. fr einen 0,5 W GaAs-Leistungs-FET (MSC88002, f = 6 GHz) die Ausgangsleistung P2 und der Wirkungsgrad als Funktion der Eingangsleistung P1 fr zwei verschiedene Lastimpedanzen dargestellt. Im Falle der mit 2 markierten Kurven ist die Lastimpedanz im Hinblick auf maximale Verstrkung im linearen Bereich gewhlt, im anderen Fall (Kurven 1) im Hinblick auf maximale Ausgangsleistung. Die zu den beiden Lastimpedanzen gehrenden Verstrkungen unterscheiden sich im linearen Bereich um ca. 1 dB, die Ausgangsleistungen nach Einsetzen der Begrenzung jedoch um fast 3 dB. Die hier fr maximale Ausgangsleistung erforderlichen Quellen- bzw. Lastreexionsfaktoren r S und r L sind in Abb. 2.24 als Funktionen der Frequenz gezeigt.
P2 / dBm 35
G=10,5 9,5 8,5dB
93
30 25 20 15 10 5 0 0 5 10 15 20 25 P1 / dBm P
2 2 1
500mW 250mW
40 35 30 25 20 15 10 5 0
Abb. 2.23: Ausgangsleistung P2 , Leistungsgewinn G und Wirkungsgrad ( = P2 /P= ) als Funktion der Eingangsleistung P1 fr zwei verschiedene Lastimpedanzen. Die Kurven wurden an einem 0,5 W GaAs-LeistungsFET (MSC88002, f = 6 GHz) gemessen. 1) Lastimpedanz fr maximale Ausgangsleistung bzw. maximalen Wirkungsgrad; 2) Lastimpedanz fr maximale Verstrkung im linearen Bereich.
j j
rS Ebene
rL Ebene
4 GHz 4 GHz
S22
rL
0
/%
1
S11
0,2
0,5
10
0,2
0,5
10
rS
8 GHz
8 GHz
Abb. 2.24: Fr maximale Ausgangsleistung erforderliche Quellenreexion rS bzw. Lastreexion r L fr einen 0,5 W GaAs-Leistungs-FET (MSC88002; UDS = 8 V, IDS = 200 mA). Zum Vergleich sind die Kleinsignal-Streuparameter und S angegeben (Wellenwiderstand Z = 50 ). S11 L 22
94
Zum Vergleich sind die Kleinsignal-S-Parameter ebenfalls eingetragen. Man sieht, dass r S von S11 , vor allem aber rL von S22 deutlich verschieden sind. Je nachdem, ob Kleinsignal- oder Grosignalaussteuerung vorliegt resultieren daraus bei gegebenem rS und r L unterschiedliche Anpassungsverluste. Durch Abb. 2.25 wird dieser Sachverhalt fr einen GaAs-Leistungs-MESFET mit 0,1 W Ausgangsnennleistung nher erlutert. Am FET-Eingang ist Grosignalanpassung vorgenommen. Aus den S-Parametern wurden die Kreise fr konstanten Kleinsignalgewinn GT u in der r L -Ebene berechnet. Die Konturen konstanten Grosignalgewinns (Load-Pull-Konturen), d.h. konstanter Ausgangsleistung bei vorgegebener hoher Eingangsleistung wurden dagegen experimentell bestimmt. Bei den Konturen konstanten Grosignalgewinns handelt es sich im Allgemeinen nicht um Kreise. Diese Konturen knnen auch nherungsweise aus dem Ausgangskennlinienfeld und dem Ausgangsersatzschaltbild des FET berechnet werden.
j
11,3dB
7,5dB B
0,2
0,5
10
Abb. 2.25: Konturen konstanten Grosignalgewinns und Kreise konstanten Kleinsignalgewinns fr einen 0,1 W GaAs-Leistungs-FET (Pein = 12 dBm, f = 9 GHz) in der r L -Ebene (Schrittweite 1 dB, Wellenwiderstand ZL = 50 ).
Fr einen linearen Verstrker muss nun die Lastimpedanz des FET so gewhlt werden, dass der Gewinn mglichst wenig von der Eingangsleistung abhngt. Whlt man beispielsweise die Lastreexion r L entsprechend Punkt A, so betrgt der Kleinsignalgewinn zwar 9,3 dB, der Grosignalgewinn aber nur 6,5 dB und die Verstrkungskompression folglich 2,8 dB. Gnstiger in dieser Hinsicht ist eine Wahl von r L entsprechend Punkt B. Der Kleinsignalgewinn betrgt dort 6,7 dB, der Grosignalgewinn unverndert 6,5 dB und somit die Verstrkungskompression nur 0,2 dB. Lastabhngigkeit der Intermodulation Die Lastimpedanz hat auch groen Einuss auf den Intermodulationsabstand, der mit einem Feldeekttransistor bei vorgegebener Ausgangsleistung erzielt werden kann. In Abb. 2.26 ist dies fr den 1 W GaAs-Leistungs-FET (MSC88004)
j
95
271mW 240mW 210mW 180mW 170mW IM=20dB

0 0,2 0,5
17dB
10
30dB 40dB
45dB
Abb. 2.26: Konturen konstanter Ausgangsleistung und konstanten Intermodulationsabstandes IM in der r L -Ebene fr einen 1 W GaAs-Leistungs-FET (MSC88004; f = 3,96 GHz, Pin = 16 mW, Wellenwiderstand ZL = 10 ).
gezeigt. Durch Vernderung der Lastreexion kann hier der Intermodulationsabstand IM um z.B. 10 dB verbessert werden, wenn eine Verringerung der Ausgangsleistung um nur 0,3 dB gegenber dem optimalen Wert in Kauf genommen wird. Sind fr einen Leistungs-FET die in Abb. 2.25 und 2.26 dargestellten Zusammenhnge bekannt, dann kann damit ein den jeweils vorliegenden Anforderungen entsprechender optimaler Kompromiss bezglich Gewinn, Ausgangsleistung, Wirkungsgrad und Intermodulationsabstand gefunden werden.
2.1.6
Anpassungsnetzwerke
In Kleinsignalverstrkern, also Vorverstrkern, ZF-Stufen usw. wird die Auslegung der Anpassnetzwerke entsprechend den in den Kapiteln 2.1.3 und 2.1.4 zusammengestellten Regeln erfolgen, nachdem fr den Anwendungsfall ein Kompromiss bezglich Stabilitt, Verstrkung und Rauschen festgelegt wurde. Dieser Abschnitt bercksichtigt auch die Probleme der Grosignalverstrker. Die Ausgangsleistung von GaAs-MESFETs kann durch Vergrerung der Gateweite erhht werden. Dabei verringern sich die Eingangs- und Ausgangsimpedanzen umgekehrt proportional zur Gateweite, so dass eine verlustarme Anpassung an z.B. 50 mit wachsender Gateweite immer schwieriger wird. Fr die Dimensionierung der Eingangs- und Ausgangsanpassungsnetzwerke ist die Kenntnis der fr optimalen Grosignalbetrieb bentigten Quellen- und Lastimpedanzen im Betriebsfrequenzbereich erforderlich. blicherweise gehen die Entwurfsmethoden fr Anpassungsnetzwerke von einem rckwirkungsfrei angenommenen Ersatzschaltbild fr den FET aus. Die Ersatzschaltbildelemente des
96
Eingangs- bzw. Ausgangsanpassungsnetzwerks des FET sind so zu whlen, dass sie mglichst den konjugiert komplexen Verlauf der bentigten Quellen- und Lastimpedanz nachbilden. Beim Entwurf von Breitband-Leistungsverstrkern muss zustzlich der mit der Frequenz abnehmende Gewinn des aktiven Elements kompensiert werden. Da die erreichbaren Grosignaleigenschaften im wesentlichen von der Ausgangsanpassung abhngen, muss die Frequenzgangkompensation im Netzwerk fr die Eingangsanpassung erfolgen. Mit verlustlosen, nur aus Blindelementen (reactively matched) bestehenden Netzwerken lassen sich jedoch nicht gleichzeitig Anpassung am Eingang bzw. Ausgang, sowie breitbandig konstante Verstrkung realisieren. Der breitbandig unter der Annahme verlustloser Anpassungsschaltungen bestenfalls erreichbare minimale Reexionsfaktor r lsst sich mit einer von Fano (1950) erstmals angegebenen Beziehung abschtzen zu: |r| eQK /QF mit QK = 2 1 und QF =
1 RC
(2.75) FET-Eingangsgte
RC FET-Ausgangsgte
Gte des Anpassnetzwerkes
2 ist die obere, 1 die untere Bandgrenze des bertragungsbereichs. Die Gte QK ist umso kleiner, je grer die gewnschte Bandbreite ist. QF dagegen beschreibt die Gte der anzupassenden Last, die hier durch die Eingangs- bzw. Ausgangsimpedanz des FET gegeben ist. Nach Gl. 2.75 wird der Reexionsfaktor gro bei kleinen Quotienten QK /QF , also bei groer Bandbreite und hoher Gte der Last. Die Verbindungsleitung zwischen Anpassungsnetzwerk und Last vergrert die Gte der Last und ist folglich so kurz wie mglich zu halten oder besser zusammen mit den parasitren Elementen der Last in das Anpassungsnetzwerk mit einzubeziehen. Dementsprechend hngt die mit einer konkreten Anpassungsschaltung erreichbare Bandbreite u.a. ab vom zulssigen VSWR, vom erforderlichen Transformationsverhltnis und von der Anzahl der verwendeten Blindelemente. Anpassungsschaltungen knnen grundstzlich mit konzentrierten und/oder verteilten Elementen realisiert werden. In diskreter Form lassen sich minimale Induktivitten Lmin 0,2 nH sowie minimale Kapazitten Cmin 0,1 pF herstellen. Die mit Streifenleitungen realisierbaren Wellenwiderstnde liegen etwa zwischen 20 und 150 . Mit konzentrierten Elementen kann man im Allgemeinen grere Transformationsverhltnisse realisieren als mit verteilten Elementen. Letztere lassen sich genauer herstellen. Die blichen Entwurfsmethoden fr Anpassungsschaltungen gehen von konzentrierten Elementen aus. Diese lassen sich mit den nachfolgenden Beziehungen
97
oder mit den aus der Leitungstheorie bekannten Verfahren im Smith-Diagramm in die entsprechenden verteilten Elemente umrechnen. kurzgeschlossene Leitung: leerlaufende Leitung: also L= C= L= C=
Z0 l tan 2 2f l 1 tan 2 2f Z0
fr l < 10
(2.76)
lZ0 r c l r cZ0
fr l <
(2.77)
Induktivitten lassen sich durch kurzgeschlossene Leitungen mit groem Induktivittsbelag und kleinem Kapazittsbelag, also durch Leitungen mit hohem Wellenwiderstand (z.B. 120 ) realisieren. Die Kapazitten dagegen kann man durch leerlaufende Leitungen mit niedrigem Wellenwiderstand (z.B. 25 ) nachbilden. Dabei ist l die eektive Lnge der bentigten Leitungsstcke (gem Kapitel 1.6.1). Nachstehend wird die Dimensionierung von zwei gebruchlichen Anpassungsschaltungen, die L-Transformation und die /4-Transformation, angegeben. Die - und T-Transformation werden hier nicht betrachtet. Danach werden dann die Verluste in Anpassungsschaltungen berechnet. L-Transformation Abb. 2.27 beschreibt die Dimensionierung der sogenannten L-Transformation, bei der zwei Blindelemente unterschiedlichen Reaktanztyps verwendet werden. Diese Schaltung transformiert bei einer Frequenz f0 den reellen Widerstand R nach Z0 . Der Blindwiderstand XP liegt dabei parallel zum greren der Widerstnde Z0 (in Abb. 2.27a) bzw. R (in Abb. 2.27b). Bei z.B. einem Transformationsverhltnis von n = Z0 /R = 8 und einem VSWR von 1,05 (1,5) erreicht man damit eine Bandbreite von ca. 17% (62%).
a) Xs b) Xs Z0
Z0
Xp
Xp
Abb. 2.27: L-Glied zur Transformation eines reellen Widerstandes R nach Z0 , wobei Xs ,Xp > 0 fr Induktivitten und Xs ,Xp < 0 fr Kapazitten. a) Z0 > R, b) Z0 < R.
98
0 Z0 > R Xs = R(Z0 R) Xp = RZ Xs
Z0 < R Xp = R
Z0 RZ0
0 Xs = RZ Xp
(2.78)
Die Eingangs- bzw. Ausgangsimpedanz eines FET ist i. A. jedoch nicht reell, sondern komplex. Daher muss vor Anwendung der L-Transformation der Blindanteil kompensiert werden. Die Eingangsimpedanz des FET kann z.B. hug nherungsweise durch eine Serienschaltung von R und C beschrieben werden. In diesem Fall kann bei f0 der kapazitive Blindanteil durch eine geeignete Serieninduktivitt kompensiert werden. Ebenso kann die Ausgangsimpedanz des FETs durch eine Parallelschaltung von R und C beschrieben werden und der kapazitive Blindanteil durch eine Parallelinduktivitt kompensiert werden. /4-Transformation Eine /4-Leitung mit dem folgenden Wellenwiderstand ZL vermag den reellen Widerstand R in den reellen Widerstand Z0 zu transformieren: ZL = RZ0 (2.79)
Mit einer solchen /4-Transformation erzielt man bei einem Transformationsverhltnis von beispielsweise n = 8 und einem VSWR von 1,5 nur eine Bandbreite von ca. 20%. In Abb. 2.28 sind einstuge kompensierte /4-Transformatoren zusammen mit den Entwurfsgleichungen gezeigt. Bei einem Transformationsverhltnis von z.B. n = 8 und einem VSWR von 1,5 erreicht man damit eine Bandbreite von ca. 24%. Bei mehrstugen L- oder /4-Transformatoren lassen sich grere Bandbreiten und/oder hhere Transformationsverhltnisse erzielen. Fr groe Bandbreiten werden hug auch Tschebysche-Transformatoren gewhlt, welche auch an den Bandgrenzen eine gute Anpassung aufweisen. Verluste in Transformationsschaltungen Leistungs-FETs besitzen niedrige Impedanzen. Daher ieen in den Anpassungsschaltungen hohe Strme, so dass deren Verluste vor der Schaltungsrealisierung berprft werden mssen. Eine Abschtzung der Verluste ist mit dem Prinzip der konstanten durchgehenden Wirkleistung mglich. Dieses Prinzip beruht darauf, dass in (idealen) Blindwiderstnden keine Wirkleistung verbraucht wird. Die eektiven Strme und Spannungen der als verlustlos angenommenen Transformationsschaltung aus Abb. 2.29a ergeben sich folglich zu: P = |I1 |2 R1 = |I2 |2 R2 = |I3 |2 R3 = |U1 |2 G1 = |U2 |2 G2 = |U3 |2 G3 (2.80)
99
/4 Z1
/2 Z2 Z0
/4 Z1 /4 Z2 Z0
/4 Z1
/4 Z2 Z0
Leerlauf Z1 0,67 /4 Z2 0,33 Z0
Z1
Abb. 2.28: Lngs- bzw. querkompensierte /4-Transformatoren zur breitbandigen Anpassung des Verlustwiderstandes R eines Parallelresonanzkreises (FETAusgang) bzw. Serienresonanzkreises (FET-Eingang) an Z0 .
100
I3 L3 I2
L2 I1
a)
U3
U2 C2
R C
U1
R3 G3 P I3 L3 RL3 PVL3 b) U3
R2 G2 P I2 L2 RL2 PVL2 U2 C2 GC2 PVC2
R1 G1 P I1
R C
U1
Abb. 2.29: Berechnung der Verluste in einer T-Transformationsschaltung. a) verlustlose, b) verlustbehaftete Transformationsschaltung.
Reale Blindwiderstnde besitzen jedoch Verluste, die wie in Abb. 2.29b gezeigt durch Einfhrung zustzlicher Wirkwiderstnde bercksichtigt werden knnen. Sind die Verluste in den Bauelementen klein (Q > 10) gegenber der bertragenen Leistung, dann knnen die Strme und Spannungen in guter Nherung mit Gl. 2.80 berechnet werden. Der Gesamtverlust PV der Transformationsschaltung ergibt sich aus der Summe der Verluste in den realen Blindwiderstnden zu PV = PV L2 + PV C2 + PV L3 = |I1 |2 RL2 + |U2 |2 GC2 + |I3 |2 RL3 (2.81)
Die Gte der Induktivitten bzw. Kapazitten (Leitfhigkeit des Dielektrikums) ist gegeben durch: QL2 = L2 RL2 QC2 = C2 GC2 QL3 = L3 RL3 (2.82)
Damit berechnen sich die Verluste gem PV = |I1 |2 L2 C2 L3 + |U2 |2 + |I3 |2 QL2 QC2 QL3 (2.83)
101
Die Gleichung zeigt, dass groe Serienblindwiderstnde und groe Parallelblindleitwerte in Transformationsschaltungen zu vermeiden sind. Dieser Forderung entsprechen kurze Wege im Smith-Diagramm, wozu auch eine Anpassung der FET-Chips bereits im Gehuse beitragen kann. Bei 6 GHz betrgt die Gte QL von Bonddraht-Induktivitten typisch 50 bis 80 und die Gte von Chip-Kondensatoren typisch 30 bis 60. In beiden Fllen wird die Gte zu hohen Frequenzen durch Skineekt-Verluste (R 1/2 ) im Leiter der Induktivitt bzw. in den Zuleitungen der Kapazitt begrenzt, so dass gilt: QL = L RL QC = 1 1 3/2 CRC (2.84)
QL wchst proportional zur Wurzel aus der Frequenz, whrend QC umgekehrt proportional zu 3/2 abnimmt (eektiver Serienwiderstand RC ). Daher liefern Kondensatoren bei hohen Frequenzen einen wesentlichen Beitrag zu den Gesamtverlusten. Beim Vergleich der Verluste fr eine Transformationsschaltung mit 2, 4 und 6 Blindelementen, aber jeweils gleichem Transformationsverhltnis (n = 50) bei 6 GHz, konnte gezeigt werden, dass die Verluste (ca. 1 dB) praktisch nicht von der Anzahl der Blindelemente abhngen. Mit deren Zahl wchst jedoch die Bandbreite von 20% auf 60%. Wegen der Toleranzen der Blindelemente bringen in der Praxis mehr als 6 Elemente jedoch keine weitere Verbesserung bezglich der Bandbreite. Bei 6 GHz ist eine verlustarme Anpassung von GaAs-Leistungs-FETs mit Eingangswiderstnden bis hinab zu etwa 1 mglich. Dies entspricht Transistoren mit etwa 7,5 mm Gateweite und 2,5 W Ausgangsleistung. Bei noch niedrigeren Eingangswiderstnden wachsen die Anpassungsverluste stark an und begrenzen die so erreichbare Ausgangsleistung. Praktischer Aufbau Sollen Anpassnetzwerke bzw. ganze Verstrkerschaltungen realisiert werden, so wird sich die verwendete Technologie nach dem geforderten Frequenzbereich richten. Bis ca. 300 MHz werden nahezu alle Schaltungen in konventioneller Technik mit diskreten Bauelementen ausgefhrt. In Abb. 2.30 ist dazu die Schaltung eines schmalbandigen Vorverstrkers fr 150 MHz dargestellt. Wie aus dem Schaltungslayout in Abb. 2.30 rechts zu erkennen ist, wird auf eine grochige Massefhrung auf der Leiterbahnseite geachtet. Vielfach wird auch schon bei diesen Frequenzen die Bestckungsseite der Leiterplatte metallisiert ausgefhrt. Um magnetische Verkopplungen zwischen den Induktivitten L1 und L2 gering zu halten, wird vielfach eine metallische Zwischenwand eingebracht; in weniger kritischen Fllen werden die Schwingkreisspulen um 90 gegeneinander verdreht
102
BZX83 10n
1n 150 1n
1n +12V
L1 in 1n 10n
1n BZX 83 C 10 R4 150 +12V 22H 1n 1n R1 68k L2 C3 1n C4 1n R3 180 R6 R5 R7 out
22H 1n 1n L2 68k S3030 13p 1,8V L1 56k in 6p 180 1n out

R2 56k
C1 6p
C2 13p
Abb. 2.30: Schmalband-Vorverstrker mit Dual-Gate-GaAs-FET. Die Zufhrung der Betriebsspannung erfolgt ber den Innenleiter der ausgangsseitigen Koaxialleitung (Fernspeisung). Bei rtlicher Speisung kann auf die Drossel (22 H) verzichtet werden. Links: Schaltbild; rechts: Platinenlayout.
angeordnet. Die Betriebsspannungszufhrung ist relativ unkritisch. Sie erfolgt ber Drosselspulen und RC-Tiefpasslter mit konventionellen Bauelementen. Der Frequenzbereich von ca. 300 MHz bis 1 GHz stellt ein bergangsgebiet dar: hier werden teilweise noch konzentrierte Bauelemente eingesetzt, aber auch schon Elemente in Streifenleitungs- oder Koaxialtechnik. Auch hier wird ein relativ groer Aufwand zur Trennung der Ein- und Ausgangsseite von Verstrkerstufen getrieben (Schirmbleche, gefrste oder verltete Gehuse). Beispielhaft zeigt Abb. 2.31 einen schmalbandigen Vorverstrker fr 430 MHz, bei dem die Anpassnetzwerke durch Koaxialkreise realisiert wurden. Die Anpasstransformation erfolgt durch die geeignete Wahl der Einkopplungslage am Leitungskreis. Die am Drain schematisch eingezeichnete Ferritperle (FP) soll parasitre Schwingungen im GHz-Bereich bedmpfen. Die Stromversorgung kann noch durch RC-Tiefpsse und Drosselspulen erfolgen. Wie bei allen selbstleitenden FET-Typen kann die Vorspannung fr das Gate automatisch ber den Source-Widerstand erzeugt werden. Ab etwa 1 GHz wird meist, wenn mglich, auf die Verwendung von konzentrierten Bauelementen verzichtet. Die fr Anpassschaltungen bentigten Blindelemente werden mit Streifenleitungen realisiert. Es ist groe Sorgfalt beim Einbringen der konzentrierten Elemente Transistoren und Koppel- bzw. Abblockkondensatoren auf den Substrattrger notwendig. Whrend im unteren GHz-Bereich noch geltet oder mit Leitkleber verbunden wird, werden ber ca. 12 GHz die Kontaktierungen fast ausschlielich durch Klemmen oder durch Bondung vorgenommen. Abb. 2.32 zeigt einen 5,7 GHzVerstrker, bei dem alle Anpasstransformationen in Streifenleitungstechnik ausgefhrt sind. Die Betriebsspannungen werden ber hochohmige /4-Leitungen
Durchfhrungs kondensator (1nF)
103
ZD8.2
1n
10 + 1n
keramischer Rohrtrimmer (5pF)
Chip Kondensator
33
+12V
1n 10k 6k8 270p

G2
100
G2 G1 S Koaxial leitung D
0.5H S3030 FP 100p 5p
5p in
G1
180
Trennblech
270p out
BNC Buchse Eingang
Ausgang
a)
b)
17
Abb. 2.31: 430-MHz-Vorverstrker. a) Schaltbild; b) Mechanischer Aufbau im Kammerbausystem.

R2 IC1 D1
+12V C13
C10
C11
C12
C7 1/4 C1 In SMA 50 L1 150 T1
C8 L4 C3 L3 Cg 50 Out SMA
C2 1/4 L2
C5
C6 R1
C4 IN OUT
a)
150
b)
Abb. 2.32: a) 5,7 GHz Verstrker mit GaAs-FET; b) Layout.
(L4 und L2 ) zugefhrt, da konzentrierte Bauelemente hier versagen bzw. keine eindeutige Funktion (nur L oder nur C) mehr aufweisen. In zunehmendem Ma nden auch integrierte Analogschaltungen (MMIC = monolithisch integrierte Mikrowellenschaltungen) Anwendung, bei denen auch Leitungsstcke und Anpassschaltungen auf dem Substrat integriert sind. Lediglich die Stromversorgung und einige Abblockkondensatoren sind noch extern anzubringen. Solche Strukturen sind derzeit kommerziell bis ca. 40 GHz verfg-
104
bar und eignen sich aufgrund der exakteren Dimensionierungsmglichkeiten (der Transistor z.B. wird immer gleich kontaktiert) speziell fr den Einsatz als Breitbandstrukturen.
2.1.7
Breitbandverstrker
Der Entwurf von Breitbandverstrkern wirft neue Probleme auf, deren Lsung groe Erfahrung und Umsicht erfordert. Grundstzlich muss durch geeignete Auslegung des Anpass- und/oder Gegenkopplungsnetzwerks der Frequenzgang von S21 des Transistors kompensiert werden. Hierbei wird schon fr relativ einfache Aufgaben der Einsatz von CAE- bzw. CAD-Programmen notwendig, die mittels geeigneter Optimierungsverfahren (Monte-Carlo, Gradientensuche, Evolutionsoptimierung) einen sinnvollen Kompromiss zwischen Flachheit der Verstrkung, Rauschen, Stabilitt sowie Ein- und Ausgangswiderstand ermitteln. Die hauptschlichen Entwurfsprobleme knnen wie folgt formuliert werden: Die Frequenzabhngigkeit von |S21 | und |S12 |. Typisch nimmt |S21 | bei steigender Frequenz mit 6 dB/Oktave (20 dB/Dekade) ab, whrend |S12 | im gleichen Ma zunimmt. Typische Frequenzverlufe von |S21 |, |S12 | und |S12 S21 | sind in Abb. 2.33 dargestellt. Das Verhalten von |S12 S21 | mit der Frequenz ist sehr wichtig, da von diesem Wert die Stabilitt des Verstrkers entscheidend abhngt (vergl. Seite 72).
dB 30 20 10 0 10 20 30 40 50
Abb. 2.33: Frequenzabhngigkeit von |S12 |, |S21 | und |S12 S21 | (typischer Verlauf).
|S21 0,1 1 10 Frequenz / bel. Einheit
|S12 S21
|S12
105
Die Streuparameter S11 und S22 sind ebenfalls frequenzabhngig und verursachen zusammen mit dem Anpassnetzwerk eine Fehlanpassung, wodurch die Verstrkung vermindert wird. Rauschzahl und VSWR werden im Allgemeinen frequenzabhngig sein. Zur Lsung dieser Probleme existieren im wesentlichen 4 Verfahren, die im folgenden kurz vorgestellt werden: Kompensierte Anpassnetzwerke, Gegenkopplung, balancierte Verstrker und Wanderwellenverstrker (verteilte Verstrker). Kompensierte Anpassnetzwerke Das Verfahren beruht im einfachsten Fall darauf, mittels der Anpassnetzwerke eine gezielte Fehlanpassung von Transistorein- und ausgang bei der Mittenfrequenz zu erzeugen. Bei entsprechendem Frequenzgang des Netzwerks bleibt dann die Verstrkung ber einen gewissen Frequenzbereich nahezu konstant. Die Ursache dafr ist, dass bei guter Dimensionierung der Netzwerke mit steigender Frequenz, also abnehmendem |S21 | die Anpassung besser wird, also ein grerer Teil der Leistung den Transistor erreicht bzw. vom Transistor an den Verbraucher abgegeben werden kann. Entgegengesetzt muss dann mit absinkender Frequenz die Fehlanpassung zunehmen. Obwohl ein solches Design in einfachen Fllen noch mit Hilfe des SmithDiagramms und groem Flei einigermaen befriedigend durchgefhrt werden kann, werden doch zumeist CAD-Verfahren dazu eingesetzt. Dabei wird von einem Netzwerkanalyseprogramm die Streumatrix [Sges ] des Gesamtverstrkers fr verschiedene Frequenzen ermittelt. Ein angeschlossenes Optimierungsprogramm vergleicht sodann im einfachsten Fall den Verlauf von |S21,ges | mit einer vorgegebenen Sollkurve und verndert bis zur Erzielung eines annehmbaren Ergebnisses die Parameter der Anpassnetzwerke. Der Benutzer kann die vernderlichen und nicht vernderlichen Parameter angeben sowie deren Startwerte, Maximal- und Minimalwerte denieren (z.B. mgliche Wellenwiderstnde bei Streifenleitungsschaltungen). Am hugsten werden die Eingangs- und Ausgangsnetzwerke mit Streifenleitern konzipiert, insbesondere oberhalb ca. 6 GHz, da die Breitbandigkeit wesentlich von der Gte der Leitungstransformatoren mitbestimmt wird. Die am Eingang verwendeten Anpassglieder weichen etwas von den am Ausgang benutzten ab, und zwar hauptschlich wegen des unterschiedlichen Charakters der anzupassenden Impedanz. Whrend nmlich die Ausgangsimpedanz des Transistors kapazitiven Charakter hat und durch eine Kettenstreifenleitung kompensiert werden kann, nimmt die Eingangsimpedanz von einer bestimmten Frequenz an induktiven Charakter an und wird in der Regel durch eine Kombination von Ketten- und
106
Parallelstreifenleiter kompensiert. Aber auch reaktive Anpassglieder aus konzentrierten Elementen mit LC-Charakter werden herangezogen: Der Verstrker in Abb. 2.34 wurde beispielsweise fr den Frequenzbereich 1,75 bis 6 GHz konzipiert. Sehr breitbandige Verstrkermodule ber mehrere Oktaven knnen in der Kombination Rckkopplungs-/Anpassnetzwerk realisiert werden. Die Abb. 2.36 und 2.35 zeigen hybride Verstrker auf der Basis eines 900 m-MESFETs in der Konzeption mit konzentrierten Elementen (100 MHz bis 6 GHz) bzw. mit Streifenleitern (Bandbreite 350 MHz bis 14 GHz).
1,22nH 2,47nH 5,31nH 2,47nH
0,61pF
40
50pF
0,47pF
Abb. 2.34: Hybrider GaAs-Breitbandverstrker mit Anpassungsnetzwerk aus konzentrierten Bauelementen (Bandbreite 1,75 bis 6 GHz).
1,12nH 1,6pF 0,27nH 0,49pF 0,27nH 169 0,26nH 0,23pF 0,21pF 461 1,75nH 0,35nH
Abb. 2.35: Hybrider GaAs-Breitbandverstrker mit Rckkopplungs- und Anpassungsnetzwerk aus konzentrierten Elementen (Bandbreite 0,1 bis 6 GHz).
Der Nachteil eines einfachen Entwurfs liegt darin, dass nahezu zwangslug Einund Ausgang des Verstrkers fehlangepasst sind. Um diesen Nachteil zu beseitigen, wurden zweistuge Breitbandverstrker gem Abb. 2.37 konzipiert. Dabei dient das Eingangsanpassnetzwerk nur zur Kompensation des Frequenzgangs von S11 ( ) des ersten Transistors, das Ausgangsnetzwerk kompensiert nur die Eekte von S22 ( ) des zweiten Transistors, so dass am Ein- und Ausgang des Verstrkers gleichermaen Anpassung im gesamten genutzten Frequenzbereich herrscht. Das bertragungsnetzwerk hingegen muss so dimensioniert werden,
107
25 0,04
RF
0,6nH
0,4nH 55 0,05 75 0,028
Abb. 2.36: Hybrider ultrabreitbandiger GaAs-Verstrker mit frequenzabhngiger Rckkopplung und einfacher Streifenleiteranpassung (Bandbreite 0,35 bis 14 GHz).
ZS
Eingangsanpassnetzwerk Kompensation S 11()
Hochpass bertragungsnetzwerk Kompensation S 21()
Ausgangsanpassnetzwerk Kompensation S 22() ZL
Abb. 2.37: Zweistuger Breitbandverstrker.
dass es gerade den Frequenzgang von S21 ( ) der beiden Transistorstufen kompensiert. Dazu muss im Allgemeinen die Verstrkung des bertragungsnetzwerks mit steigender Frequenz zunehmen. Gegengekoppelte Verstrker Als einfache, aber sehr wirksame Methode der breitbandigen bertragung gelten Gegenkopplungsschaltungen. Die schematische Darstellung in Abb. 2.38 enthlt alle wichtigen Gegenkopplungselemente sowie Block- und Ableitkondensatoren, die nicht immer zusammen eingesetzt werden. (1) Wir beschrnken uns zunchst auf eine Schaltung mit rein ohmscher Gegenkopplung und betrachten den hug auftretenden Fall einer Kombination von Serien- und Parallelgegenkopplung anhand eines Si-Bipolartransistors in Emitterschaltung. Fr niedrige Frequenzen bis ca. 400 MHz lassen sich dann bei gengend groer Verstrkung die Kenndaten der Schaltung ohne spezielle Kenntnisse ber den Transistor abschtzen:
108
RF LD1
LF
R0 Eingang
LG1
Ausgang RG CE RE LG2 UG LD2 UD RL RD
Abb. 2.38: Prinzipschaltung eines Breitbandverstrkers mit mglichen Gegenkopplungselementen, Block- und Ableitkondensatoren und Kompensationsblindelementen.
Spannungsverst arkung : Eingangsimpedanz : Ausgangsimpedanz :
V ZE ZA
RL RF RE RE RF + RL RF + RL = RE RE + RL RF + R0 = RE RE + R0
(2.85) (2.86) (2.87)
Mit Hilfe von ohmschen Rckkopplungswiderstnden werden die Niederfrequenzverstrkung und die Eingangs- und Ausgangsimpedanz herabgesetzt. Die Bandbreite lsst sich auf Kosten der Verstrkung erhhen, wobei die Bandgte, das Produkt aus Verstrkung und Bandbreite, annhernd konstant bleibt. Daraus ergibt sich im 50 -System (Z0 = 50 und R0 = 50 , RL = 50 ) mit RE = 10 im optimalen Anpassungsfall (RF = 250 , z.B. aus Gl. 2.87) eine Verstrkung von 12 dB (V = 4) und eine 3 dB-Bandbreite von 500 MHz bis 1 GHz. Eine Erhhung der Verstrkung bei etwa gleichem Verstrkungs-BandbreiteProdukt kann erreicht werden, wenn man zwei npn-Transistoren als integrierte Darlington-Verstrker, d.h. mit gemeinsamem Kollektor, in die Gegenkopplungsschaltung aufnimmt (Abb. 2.39). Dies bewirkt natrlich auch eine hhere Rauschzahl als bei einem einzelnen Transistor infolge der internen Fehlanpassung.
(2) Fr GaAs-MESFETs lsst sich ein Niederfrequenzmodell der Gegenkopplung mit einem Gltigkeitsbereich bis ca. 1,5 GHz mit Hilfe von S-Parametern ableiten. Hier ist im Hinblick auf geringe Rauschzahl die Beschrnkung auf die Parallelgegenkopplung ratsam: RS sei der parasitre Sourcewiderstand des Transistors (entspricht RE in Abb. 2.38).
V CC RC RF Ausgang Eingang T1 T2
109
RG
RBIAS
RE
Abb. 2.39: Monolithischer Si-IC in Darlington-Schaltung mit ohmscher Rckkopplung. Bandbreite: 0,1 bis 2,0 GHz.
Reexionsfaktoren: S11 = S22 = Rckwrtsbertragung: S12 = Vorwrtsbertragung: S21 = mit = 1+

2 gm Z0 2Z 0 + RF RF (1 + gm RS )
1 1
2 gm Z0 RF (1 + gm RS )
(2.88)
2Z 0 RF
(2.89)
2gm Z0 2Z 0 + 1 + gm RS RF
(2.90)
gm = Steilheit
Des weiteren gilt fr die Rauschzahl F , den Parallelrckkopplungswiderstand RF (Bedingung der Eingangsanpassung) und die Bandbreite B (gF = 1/RF , gds = 1/rds ): F =1+ gF (1 + gm Z0 )2 + gm (1 + gF Z0 )2 P (g F g m )2 Z 0 (2.91)
110
2 Z0 1 + gds Z0
RF = (gm + gds )
(2.92) (2.93)
2 1 + (2gF + gds )Z0 + (gm + gds )gF Z0 B= 2Cgs Z0 [1 + (gF + gds )Z0 ]
Hierbei ist P ein vom spezischen Halbleiterbauelement abhngiger dimensionsloser Faktor der aus dem mittleren quadratischen Drain-Source-Rauschstrom <i2 dn>= 4kT f gm P bestimmt werden kann.
Unter den Bedingungen einer idealen Anpassung (S11 = S22 = 0) sowie eines Transistorausgangsleitwertes gds = 0 lassen sich fr den bertragungsgewinn und den Rckkopplungswiderstand Nherungen aufstellen, die den Zusammenhang zwischen Schaltungsentwurf und Kenndaten berschaubar machen: G = 20 lg(gm Z0 1) dB
2 RF = gm Z0
(2.94) (2.95)
Daraus folgt, dass ein Verstrker mit G = 10 dB zwischen 50 -Abschlssen eine Mindeststeilheit von 83 mS bentigt und dass der Rckkopplungswiderstand 208 betragen muss. Es lsst sich auf diese Weise ein Stehwellenverhltnis von 2:1 breitbandig ohne wesentliche Verschlechterung der Rauschzahl bei Verwendung gengend groer Transistoren (Gateweite ca. 1 mm) erreichen. Daraus lsst sich ferner ableiten, dass GaAs-MESFETs mit ausschlielich ohmscher Parallelgegenkopplung im Idealfall ohne Anpassungsnetzwerk eine 3 dB-Bandbreite von 6 GHz aufweisen, in der Praxis liegt sie zwischen 3 und 4,5 GHz. Zur weiteren Erhhung der Bandbreite fgt man Reaktanzelemente in die Schaltung ein (Abb. 2.38), die primr den Gegenkopplungsfaktor am oberen Bandende reduzieren. Dies kann durch eine kapazitive berbrckung des Sourcewiderstandes mit CS erreicht werden, durch induktive Parallelkompensation am Eingang und Ausgang ber LG2 und LD2 , induktive Serienkompensation am Eingang ber LG1 und am Ausgang ber LD1 , sowie eine Induktivitt LF im Rckkopplungszweig. In mehrstugen Anordnungen wird aus Stabilittsgrnden auf eine ber mehrere Stufen wirkende Rckkopplung verzichtet, besonders wenn das zu berbrckende Frequenzband breit ist und statt dessen die Kaskadierung einstuger, gegengekoppelter Verstrker bevorzugt. Balancierter Verstrker mit 3 dB-Branchline-Kopplern Eine andere Methode zur Erzielung von Breitbandigkeit stellt ein Balancierter Verstrker nach Abb. 2.40 dar, wobei zwei Verstrkerstufen eingangs- und ausgangsseitig ber 3 dB-Branchline-Koppler (90-Hybridkoppler) parallel geschaltet
3 dB Hybridkoppler 3 dB Hybridkoppler Eingang Tor 1 1 4 1a Verstrker a Anpass netzwerk Anpass netzwerk 2a
111
4 Z0
Verstrker b 2 3 1b Z0 Anpass netzwerk Anpass netzwerk 2 2b 3
Tor 2 Ausgang
Abb. 2.40: Balancierter Verstrker mit 3 dB Branchline-Kopplern.
werden. Dabei teilt der /4 lange Eingangskoppler die Eingangsleistung gleichmig auf beide Verstrker auf, der Ausgangskoppler addiert die Signale wieder vektoriell. Reektierte Leistungen aufgrund von Fehlanpassungen des Verstrkers am Eingang oder Ausgang werden auf die entsprechende 50 -Last ausgekoppelt. Verwendet man anstelle der Branchline-Koppler sogenannte RatraceKoppler (180-Hybridkoppler) so erhlt man einen Gegentaktverstrker. Es kann gezeigt werden, dass fr die Streuparameter Sij (i, j = 1, 2) der in Abb. 2.40 dargestellten Gesamtschaltung folgender Zusammenhang gilt: |S11 | = 0,5 |S11a S11b | , |S21 | = 0,5 |S21a + S21b | |S12 | = 0,5 |S12a + S12b | , |S22 | = 0,5 |S22a S22b | Die Streuparameter Sija bzw. Sijb bezeichnen die jeweiligen Streuparameter der Kettenschaltung Anpassnetzwerk-Verstrker-Anpassnetzwerk. Die Streumatrix des 3 dB-Kopplers bei der Mittenfrequenz lautet: 0 0 1 j 1 0 0 j 1 (2.97) SKoppler = 2 1 j 0 0 j 1 0 0 Sind beide Verstrker identisch, so gilt unabhngig von eventuellen Fehlanpassungen der Einzelverstrker fr den Gesamtverstrker gem Gl. 2.96 S11 = 0 und S22 = 0. Die Verstrkung und Rckwirkung entsprechen den Werten einer einzelnen Stufe. Die Bandbreite des Verstrkers wird begrenzt durch die Bandbreite des Richtkopplers. Die Vorteile eines solchen Balancierten Verstrkers sind im einzelnen: (2.96)
112
Der Einzelverstrker kann auf maximale Breitbandigkeit (ebener Verstrkungsverlauf) und geringe Rauschzahl ausgelegt werden, wobei auf das sich ergebende, frequenzabhngige hohe VSWR keine Rcksicht genommen werden muss, solange nur beide Verstrker gleich sind. Hohe Stabilitt durch ein hohes Ma an Entkopplung. Die maximale verzerrungsfreie Ausgangsleistung ist doppelt so gro wie bei einem Einzelverstrker. Bei Ausfall einer Stufe arbeitet der Verstrker mit reduzierten Leistungsdaten weiter (1/4 der Leistung: -6 dB, ungefhr verdoppelte Rauschzahl). Einfache Kaskadierbarkeit mit anderen Einheiten, da jede Stufe durch einen Koppler abgetrennt ist. Nachteile sind der grere Stromverbrauch, die hheren Bauteilekosten und der vergrerte Platzbedarf. Wanderwellenverstrker (Verteilter Verstrker) Neben den eher klassischen Verfahren fr Breitbandverstrker sei hier noch der Wanderwellenverstrker dargestellt. Das Grundprinzip kann aus Abb. 2.41 abgeleitet werden. Mehrere FETs werden sowohl am Gate als auch am Drain ber
RF-Input ZG , l I 1 ZG , l g 2 ZG , l g 3 ZG , l g 4 ZG , l G RG CG
G1
G2
G3
G4
CD
RD
ZD , l D
ZD , l d
ZD , l d
ZD , l d
ZD , l O
RF-Output
w
Abb. 2.41: Schematische Darstellung eines vierstugen Wanderwellenverstrkers (eindimensionaler verteilter Verstrker) mit FETs.
Leitungsstcke parallel geschaltet. Bei entsprechender Dimensionierung (die einzelnen Gate-Verzgerungsleitungen besitzen alle die gleiche Lnge, ebenso sind alle Drain-Verzgerungsleitungen immer gleich lang) der Koppelleitungen an den Gates und Drains kann z.B. erreicht werden, dass die Signallaufzeit von Punkt 1 in Abb. 2.41 ber 2 nach 6 identisch ist mit der von 1 ber 5 nach 6. Dadurch angeregt laufen an den einzelnen Drains verstrkte Leistungswellen aus,
113
deren Anteile sich in positiver w -Richtung an den Punkten 6 bis 8 konstruktiv berlagern. Die Anteile in negativer w -Richtung werden, sofern sie nicht durch destruktive Interferenz an den Punkten 7 bis 5 eliminiert wurden, in dem Realteil der Drainimpedanz vernichtet. Vorteil einer solchen Schaltungsart gegenber einfachem Parallelschalten mehrerer FETs ist, dass zwar die Steilheiten gmi der Bausteine aufaddiert werden, nicht jedoch die Gate- und Drainkapazitten. Whrend beim einfachen Parallelschalten das Verstrkungs-Bandbreite-Produkt konstant bleibt, steigt es beim Wanderwellenverstrker mit der Anzahl n der verwendeten FETs an, d.h. bei gleicher Verstrkung kann eine hhere Bandbreite erzielt werden. Um den Gewinn, abhngig von der Stufenzahl n und den Schaltungsparametern zu bestimmen, wird nun das aus Abb. 2.41 abgeleitete Ersatzschaltbild Abb. 2.42 verwendet.
RFInput rg Cgs U g1 Cgs ZD , l d gm Ug1 ZLD rd C ds rd C ds rd C ds rd C ds gm Ug2 ZG , l g rg U g2 Cgs ZG , l g rg U g3 ZD , l d gm Ug3 Cgs ZG , l g rg U g4 ZD , l d gm Ug4 RFOutput
ZLG
Abb. 2.42: Vereinfachtes Ersatzschaltbild eines Wanderwellenverstrkers mit FETs, wobei die FETs als rckwirkungsfrei (S12 = 0) angenommen sind.
Unter der Annahme, dass lg und ld klein gegen die Wellenlnge sind, und unter Vernachlssigung von rg und rd knnen die Ein- und Ausgangskapazitten Cgs und Cds direkt der Leitung zugeschlagen werden, wodurch sich aus Gl. 2.98 und Gl. 2.99 der neue Wellenwiderstand Zg bzw. Zd der Verbindungsleitungen ergibt. 1/2 Lg (2.98) Zg + C /l Cg gs g Ld Zd + Cds /ld Cd
1/2
(2.99)
114
Hierbei sind Lg , Cg , Ld und Cd die auf den Leitungslngen lg bzw. ld auftretenden Induktivitts- und Kapazittsbelge der Verbindungsleitungen. Unter Einsatz der Theorie fr rckwirkungsfrei verkoppelte Leitungen (Cgd = 0, also S12 = 0) kann aus Abb. 2.42 der Gewinn einer n-stugen Anordnung mit Hilfe von Gl. 2.100 ermittelt werden:
G= mit g j und d j
2 gm Zd Zg
g lg [exp (g lg n) exp (d ld n)] 2 l2 2 l2 g g d d

2 rg 2 Cgs 2lg
(2.100)
+ Lg Cg
Cgs lg
Lg
+ Cg Cgs lg
= jg + g
(2.101)
+ Ld Cd
Cds ld
1 2rd ld
Ld = jd + d ds +C Cd ld
(2.102)
Werden normale Betriebsbedingungen angesetzt, so laufen die Wellen in Gateund Drainleitung nahezu synchron, d.h. g lg d ld . Wenn auerdem dmpfungsarme Leitungen angenommen werden (|g | |g |, |d | |d |) und Zg Zd = Z0 , so reduziert sich Gl. 2.100 zu
2 2 gm Z0 [exp(g lg n) exp(d ld n)]2 G= 4 (g lg d ld )2
(2.103)
Aus dieser Beziehung wird deutlich, dass durch Erhhung der Stufenzahl n der Gewinn nicht unbedingt ansteigen muss. Fr groe Werte von n kann der Gewinn sogar gegen Null gehen. Eine optimale Stufenzahl ergibt sich zu nopt ln(g lg /d ld )/(g lg d ld ). Wenn die Verluste d der Drainkettenleitungen gegenber denjenigen der Gateverbindungen vernachlssigbar sind, so kann der zweite Term im Zhler und Nenner von Gl. 2.103 vernachlssigt und die Exponentialfunktion in eine Reihe entwickelt werden (solange die Beziehung g lg n < 1 erfllt ist), und es ergibt sich fr den Gewinn
2 g 2 n2 Z0 G m 4 2 2 2 lg n g lg n g 1 + 2 6 2
(2.104)
Die Vorzge dieser Schaltungsweise seien an den Abb. 2.43 bis 2.45 gezeigt. In Abb. 2.43 ist der frequenzabhngige Gewinn als Funktion der Stufenzahl
In diesem praxisbezogenen Betriebsfall ist der Gewinn bei kleinem n zunchst proportional dem Quadrat von n. Aus g lg n 1 ergibt sich zusammen mit g aus Gl. 2.101 und Gl. 2.98 eine Designvorschrift fr die optimale Stufenzahl durch 2 rg 2 Cgs Z0 n 2 (2.105)
115
aufgetragen. Es ist ersichtlich, dass fr n = 4 Stufen ein Optimum der Flachheit erzielt werden konnte. Berechnet wurde hierbei das Beispiel eines Verstrkers fr 212 GHz mit GaAs-MESFETs mit 1 m Gatelnge. Die Abhngigkeit des Frequenzgangs der Verstrkung von den inneren Drain- und Gatewiderstnden rd und rg der FETs ist in den Abb. 2.44 und 2.45 dargestellt. Es zeigt sich, dass auch hier fr festgehaltene Stufenzahl n optimale Widerstnde existieren (rg = 22 ,rd = 464 ), wobei jedoch gleichzeitig die Absolutverstrkung geringer als maximal mglich ist. Abb. 2.46 zeigt einen praktischen Aufbau der Schaltung auf einem GaAs-Substrat als MMIC.
13 13 12 11 10 9 6 CELLS 5 CELLS 4 CELLS 12 11 10 9
2000 464 300 rd =200
GAIN (dB)
GAIN (dB)
8 7 6 5
8 7 6 5 4 3 2 1 1 CELL 2 CELLS 3 CELLS
4 3 2 1
100
2 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
10 11 12
FREQUENCY (GHz)
FREQUENCY (GHz)
Abb. 2.43: Verstrkung in Abhngigkeit von der Frequenz bei unterschiedlicher Stufenzahl.
Abb. 2.44: Frequenzgang der Verstrkung bei unterschiedlichen inneren Drainwiderstnden rd fr n = 4.
13 12 11 10 9
rg =0
GAIN (dB)
rg =22
8 7 6 5 4 3 2 1
rg =44
10 11 12
FREQUENCY (GHz)
Abb. 2.45: Frequenzgang der Verstrkung bei unterschiedlichen inneren Gatewiderstnden rg fr n = 4.
Abb. 2.46: Praktischer Aufbau eines vierstugen Wanderwellenverstrkers auf einem GaAs-Substrat als MMIC.
116
2.2
Eintorverstrker
Neben aktiven Drei- bzw. Vierpolen nden aktive Zweipole (Eintore) Anwendung in Mikrowellenverstrkern. Aktive Eintore weisen unter bestimmten Betriebsbedingungen einen negativen Realteil in ihrer Klemmenimpedanz auf. Zu diesen Elementen gehren die Tunneldiode, die Lawinenlaufzeitdiode (IMPATT-Diode), das Gunn-Element und die Varaktordiode mit zeitlich vernderlichem Blindwiderstand. Das vereinfachte Prinzipschaltbild eines Eintor-Verstrkers zeigt Abb. 2.47. Der aktive Zweipol wird hierin durch den negativen Widerstand Rn (Rn > 0) und durch eine quivalente Leerlauf-Rauschspannungsquelle Su ( ) beschrieben.
Is Rsi Us0 RL -Rn Su()
Abb. 2.47: Prinzipschaltbild eines Eintor-Verstrkers.
Fr den bertragungsgewinn (Gl. 2.43) ergibt sich nach Abb. 2.47: IS P2 = 4Rsi RL GT = P1V Us0
2
4Rsi RL 4Rsi RL 2 = (Rsi + RL Rn )2 |Zges |
(2.106)
Es muss aus Stabilittsgrnden Rn < Rsi + RL bleiben. Praktisch ist meist Rn 0,9 (Rsi + RL ) und damit fr Rsi = RL der bertragungsgewinn GT 100 (20 dB). Dieser Verstrker kann als bertragungssymmetrischer Eintorverstrker entweder am Eingang (Rsi RL Rn ) oder am Ausgang (RL Rsi Rn ) angepasst betrieben werden. Vorzugsweise werden Verstrker mit aktivem Eintor jedoch als Reexionsverstrker aufgebaut, bei denen Generator, Lastwiderstand und der negative Widerstand durch ein nicht bertragungssymmetrisches Element in Form eines Zirkulators voneinander getrennt und damit der Eintor- zum Zweitorverstrker erweitert wird. In Abb. 2.48 ist die Schaltung eines Reexionsverstrkers mit 4-Tor-Zirkulator dargestellt. Der negative Widerstand Rn bewirkt am Tor 2 des Zirkulators einen Reexionsfaktor mit dem Betrag |r2 | > 1. Die vom Signalgenerator am Tor 1 gelieferte Leistung wird hierdurch verstrkt dem Lastwiderstand RL am Tor 3 zugefhrt. Am Tor 4 ist der Zirkulator mit dem Widerstand Z0 reexionsfrei abgeschlossen, um eine Rckwirkung vom Tor 3 zum Tor 1 auszuschlieen.
2.2. EINTORVERSTRKER
Z0
4 1 4 3
117
Rsi Us0
RL
1 2 2 3
Su () -Rn
Abb. 2.48: Prinzipschaltbild eines Reexionsverstrkers.
Die maximal verfgbare Betriebsleistungsverstrkung des Reexionsverstrkers, d.h. bei Anpassung am Eingang und Ausgang, ist bei verlustfreiem Zirkulator gleich dem Quadrat des Betrages des Reexionsfaktors am Tor 2: Gmax Z0 + Rn = | r2 | = Z0 Rn
2 2
>1
(2.107)
Es lassen sich nicht beliebig hohe Werte der Betriebsleistungsverstrkung erreichen. Aus Stabilittsgrnden wird fr eine Verstrkerstufe Gmax 30 bis 100 (entsprechend 15 bis 20 dB) gewhlt. Die Stabilittsgrenze wird bei Z0 = Rn erreicht. Die eektive Rauschtemperatur am Eingang des Verstrkers bei beidseitiger Anpassung ist gegeben durch T = Su ( ) 1 1/Gmax 4kRn (2.108)
2.2.1
Reexionsverstrker mit Tunneldiode
Tunneldioden bestehen aus pn-bergngen mit hochdotierten p- und nHalbleitern (1019 1020 Atome/cm3 ). Das Kleinsignalersatzschaltbild fr eine Tunneldiode (Esaki, 1958), deren Arbeitspunkt A in den fallenden Teil der Kennlinie (Abb. 2.49) gelegt wird, zeigt Abb. 2.50. Der dynamische negative Widerstand Rn (Rn > 0) ist bis weit in den Mikrowellenbereich hinein unabhngig von der Frequenz. Das Betriebsverhalten wird
118
I 1: direktes Tunneln 2: indirektes Tunneln (ber Trapniveaus) 3: Shockleysche Flusskennlinie UH UB UT 1 2 3 U
Abb. 2.49: Kennlinie einer Tunneldiode mit Arbeitspunkt A. UH : Hckerspannung (ca. 60 mV fr Germanium und 100 mV fr GaAs). UT : Talspannung (ca. 250 bis 450 mV fr Germanium und 450 bis 650 mV fr GaAs, entspricht Knickspannung einer gewhnlichen Diode).
RB
Ls
RB
Ls Cs -Rns
Cj
-Rn
Cs = Cj 1 + (!1 )2
n Rns = 1+(R ! )2
= Rn Cj
Abb. 2.50: Kleinsignalersatzschaltbild einer Tunneldiode, rechts Serienersatzschaltung.
nach hheren Frequenzen hin durch die Sperrschichtkapazitt Cj und den Bahnwiderstand RB begrenzt. Ls stellt die innere Zuleitungsinduktivitt dar. Nach Abb. 2.50 erhlt man bei der Kreisfrequenz die Kleinsignalimpedanz der Tunneldiode nach Umrechnung in die Seriengren Rns und Cs mit = Rn Cj . Z ( ) = RB Rns + jLs + Z ( ) = RB 1 jCs (2.109) Rn Rn + j Ls 2 1 + ( ) 1 + ( )2
Wegen RB Rn ist bei tiefen Frequenzen Re(Z ) < 0. Damit der Realteil von Z ( ) negativ bleibt, muss die Frequenz kleiner sein als die Grenzfrequenz fc , bei der Re(Z ) = 0 wird: Rn RB 1 (2.110) fc = 2Rn Cj RB
119
Bei Mikrowellen-Tunneldioden lassen sich Grenzfrequenzen bis zu 100 GHz erreichen. Der Imaginrteil der Impedanz Z ( ) wird zu Null bei der Eigenresonanzfrequenz fr der Diode: fr = 1 2 Ls Cj 1 Ls 2 Cj Rn (2.111)
Wenn Ls /(Cj RB ) < Rn so ist fr > fc . Unterhalb ihrer Grenzfrequenz lassen sich mit Tunneldioden einfache Verstrker aufbauen. Hierin liegt der Hauptanwendungsbereich von Tunneldioden in der Mikrowellentechnik. Das Prinzipschaltbild eines Tunneldiodenverstrkers ist in Abb. 2.51a dargestellt.
a) Rs TD LZ b) Rs RB LS +LZ -Rn
Us0
CK
RL Us0
Cj
U2
RL
UB
Abb. 2.51: a) Prinzipschaltbild eines Tunneldiodenverstrkers in Serienschaltung. b) Kleinsignalersatzschaltbild des Tunneldiodenverstrkers.
Die Tunneldiode TD ist in Serie zum Signalgenerator mit der Leerlaufspannung Us0 und dem Innenwiderstand RS und zum Lastwiderstand RL geschaltet. Der Arbeitspunkt der Tunneldiode wird mit der Vorspannung UB eingestellt. Der Kondensator Ck soll bei den Betriebsfrequenzen einen Kurzschluss darstellen, an ihm liegt eine reine Gleichspannung. Mit Abb. 2.50 erhalten wir das in Abb. 2.51b dargestellte Kleinsignalersatzschaltbild des Tunneldiodenverstrkers. Die Erweiterung zum Reexionsverstrker zeigt Abb. 2.52: Nach Abb. 2.51 erhalten wir mit Gl. 2.109 den bertragungsleistungsgewinn GT = Rs + RL + RB 4Rs RL
Rn 1+( )2 2 2
(2.112)
+ (LZ + Ls )
Rn 1+( )2
Man erkennt, dass fr f < fr der Imaginrteil der Diodenimpedanz durch Lz z.B. fr die Bandmitte m des Verstrkers kompensiert werden kann. Um eine hohe Leistungsverstrkung zu erzielen, muss auch der Realteil der Impedanz im
120
Z0 Rsi Us0
1 2 2 3 4 1 4 3
RL
RB
Cj
Ls +Lz
Rn
Abb. 2.52: Kleinsignalersatzschaltbild des Tunneldiodenverstrkers mit Zirkulator.
Nenner kompensiert werden. Die Abgleichbedingung fr die Summe aus Bahn-, Last- und Generatorinnenwiderstand lautet: Rs + RL + RB Rn 1 + (m )2 (2.113)
Die Bandbreite des Verstrkers wird nach Gl. 2.112 und Gl. 2.113 im wesentlichen durch die Gre der Zeitkonstanten = Rn Cj bestimmt. Neben den Erfordernissen fr Verstrkung und Bandbreite sind die Stabilittsbedingungen zu beachten. Sie lauten fr einen Verstrker nach Abb. 2.51: Rs + RL + RB < Rn und LZ + Ls < Cj Rn (Rs + RL + RB ) (2.114)
Fr den Verstrker mit Zirkulator nach Abb. 2.52 erhalten wir entsprechend Gl. 2.107 den maximal verfgbaren Leistungsgewinn: Z0 RB + Z0 + RB
Rn 1+( )2 Rn 1+( )2 2 2
Gmax =
+ (LZ + LS ) + (LZ + LS )
Rn 1+( )2 Rn 1+( )2
2 2
(2.115)
Die Stabilittsbedingungen lauten hierfr: Z0 + RB < Rn und LZ + Ls < Cj Rn (Z0 + RB ) (2.116)
121
Als interne Rauschquellen sind bei der Tunneldiode das Schrotrauschen des Diodengleichstroms I0 im Arbeitspunkt und das thermische Rauschen des Bahnwiderstandes RB bei der Diodentemperatur TD zu bercksichtigen. Fr einen Verstrker nach Abb. 2.52 ergibt sich die minimale eektive Rauschtemperatur bei hoher Verstrkung (mit Rn und Rns nach Gl. 2.109) zu: Tmin TD RB eI0 Rn Rns + Rns RB 2k Rns RB (2.117)
Der minimale Wert des Produkts I0 Rn , auch Rauschkonstante der Tunneldiode genannt, betrgt je nach Halbleitermaterial I0 Rn 45 bis 75 mV. Fr die effektive Rauschtemperatur des Verstrkers mit Rn bzw. Rns erhalten wir damit eI0 Rn /2k = 250 K bis 450 K (Entspricht einer Rauschzahl NF = 2,7 dB bis 4 dB). Bei Mikrowellen-Tunneldioden ist Rn (5 bis 25) RB , so dass die Rauschtemperatur des Verstrkers hauptschlich durch das Schrotrauschen der Tunneldiode bestimmt wird. Bei Frequenzen um 1 GHz erhlt man eine Rauschtemperatur von 300 K (NF = 3 dB), bei 18 GHz etwa 1000 K (NF = 6,4 dB). Die Bandbreite eines Tunneldioden-Zirkulatorverstrkers wird im wesentlichen durch die Bandbreite der Stabilisierungs- und Entkopplungsnetzwerke bestimmt. Bei Frequenzen von einigen GHz wird eine Bandbreite von 1 GHz bei einer Ausgangsleistung von 10 mW und einer Verstrkung von 10 dB erreicht.
2.2.2
Reexionsverstrker mit Gunn-Elementen und Lawinenlaufzeitdioden
Die bei Tunneldioden erzielbare Ausgangsleistung ist relativ gering (< 1 bis 10 mW). Hhere Ausgangsleistungen lassen sich mit Gunn-Elementen oder Lawinenlaufzeitdioden als aktiven Zweipolen erreichen. Gunn-Elemente weisen bei unterkritischer Dotierung (ND w < 1012 cm2 bei GaAs; ND : Donatorendichte, w : Lnge der aktiven Zone) im Bereich negativer dierentieller Beweglichkeit bei bestimmten Frequenzen einen negativen dierentiellen Leitwert auf, ohne dass es zu bleibenden Domnen kommt. Dies kann zur Signalverstrkung genutzt werden. Die niedrigste Frequenz, bei der dies geschieht, entspricht etwa dem Kehrwert der Domnenlaufzeit t. Bei berkritischer Dotierung tritt dieser negative dierentielle Leitwert nur bei bestimmten Bereichen der Betriebsspannung am Gunn-Element auf. Hohe Ausgangsleistungen bei Pulsbetrieb, wie dies z.B. fr Radaranwendungen erforderlich ist, lassen sich mit Lawinenlaufzeitdioden (IMPATT-Dioden: Impact Avalance Transit Time) bzw. Lawinenlaufzeitdioden im TRAPATT-Mode (TRApped Plasma Avalanche Triggered Transit, fr niedrige Frequenzen) bei sehr hohen berspannungen in Sperrrichtung erreichen; die Leistungen entsprechen etwa den im Oszillatorbetrieb erreichbaren
122
Werten. TRAPATT-Dioden liefern 400 W (gepulst) bei 1 GHz mit 60% Wirkungsgrad. Das Prinzipschaltbild eines derartigen Verstrkers zeigt Abb. 2.53a.
a)
RL RSi Z0
Zirkulator
UB
TRAPATT Diode Transformator Netzwerk
b)
TRAPATT Diode
ZL , l1
c) TRAPATT Diode
ZL , l2
Zirkulator
/4 Zirkulator
Stichleitung
/4Koppler
Microstrip substrat
Abb. 2.53: a) Reexionsverstrker mit TRAPATT-Diode; b) Realisierung des Transformator-Netzwerkes mit Serienleitungen; c) Realisierung des Transformator-Netzwerkes mit /4-Koppler in Microstrip-Technik.
Das gegenber Abb. 2.52 zustzlich vorhandene Transformator-Netzwerk sorgt nicht nur bei der Signalfrequenz fr eine Anpassung der Diode an die Innenimpedanz Z0 , sondern auch bei Oberschwingungen der Signalfrequenz, um einen stabilen Verstrkerbetrieb zu ermglichen. Die Betriebsspannung UB wird entsprechend dem gewnschten Tastverhltnis des Ausgangssignals gepulst.
123
Die Abb. 2.53b und c zeigen zwei mgliche Ausfhrungen des TransformatorNetzwerkes (ohne Gleichspannungszufhrung). In Abb. 2.53b wird der gewnschte Impedanzverlauf ber die beiden in Reihe zur Diode geschalteten Leitungen erzielt, in Abb. 2.53c wird die Diode ber einen /4-Koppler an den Zirkulator angeschlossen. Die erreichbare Verstrkung derartiger Verstrker liegt bei ca. 5 bis 10 dB, es werden Bandbreiten von bis zu 10 bis 20% erzielt.
2.2.3
Parametrische (Reaktanz-) Verstrker
Allgemeines Bei einem Parametrischen Verstrker wird ein nichtlinearer Blindwiderstand oder ein Blindwiderstand, dessen Wert als Funktion der Zeit mit Hilfe eines geeigneten Hilfssignals verndert werden kann, angewendet. Die zeitliche nderung der Blindparameter kann zur Erzeugung einer Verstrkung ausgenutzt werden. Darin liegt der Ursprung fr den Begri Parametrischer Verstrker. Eine Abkrzung, die fr diese Klasse von Verstrkern verwendet wird ist MAVAR: Microwave Amplication by VAriable Reactance. Ein mechanisches Bild, das die grundlegende Funktionsweise eines Blindwiderstandes als Verstrker darstellt sei im folgenden beschrieben: Man stelle sich einen aus Spule und Kondensator bestehenden Schwingkreis vor, der auf eine bestimmte Frequenz abgestimmt ist. In diesem Schwingkreis bende sich ein schwaches Signal dieser Frequenz. Wenn man nun dafr sorgt, dass die Platten des Kondensators immer dann ein wenig voneinander entfernt werden, wenn das schwache Signal als Sinusschwingung durch ein Maximum geht, und immer dann aufeinander zu bewegt werden, wenn das Signal als Sinusschwingung durch Null geht, dann wird das Signal in den Maxima um kleine Betrge stetig verstrkt. Wenn das Signal die Frequenz fs hat, muss die Erregung, die die Platten bewegt, die Frequenz 2fs haben. Diese Frequenz liefert damit auch die Energie, die das Signal verstrkt. Es bedarf einiger Energie, die in den Maxima geladenen Kondensatorplatten voneinander zu entfernen, es wird aber keine Energie gewonnen, wenn die Platten bei den Nulldurchgngen wieder einander angenhert werden. Anstatt durch die Bewegung der Kondensatorplatten die Kapazitt des Kondensators zyklisch zu verndern, erhlt man ein hnliches Verhalten, wenn man die Induktivitt der Spule zyklisch ndert. Da man sich den oben beschriebenen Vorgang auch als umpumpen der Energie von einer Frequenzlage in eine andere vorstellen kann, wird die Frequenz 2fs auch oft als Pumpfrequenz fp bzw. Pumpleistung bezeichnet. Die Mglichkeit der parametrischen Verstrkung wurde bereits 1831 durch Lord Rayleigh gezeigt. Die erste Untersuchung der nichtlinearen Kapazitt wurde 1948 von van der Ziel durchgefhrt. Er wies darauf hin, dass dieses Bauelement zum
124
Aufbau eines rauscharmen Verstrkers verwendet werden kann, da es im wesentlichen ein Blindschaltelement ist, in dem kein thermisches Rauschen erzeugt wird. Die erste Realisierung eines Parametrischen Verstrkers im Mikrowellenbereich stammt von Weiss, der einem frheren Vorschlag von Suhl (1957) ber die Verwendung eines nichtlinearen Eektes in Ferriten folgte. In den folgenden Jahren wurde der Parametrische Verstrker mit Kapazitts-Varaktordioden entwickelt. Den Hhepunkt der technischen Entwicklung erlebte der Parametrische Verstrker in den sechziger und Anfang der siebziger Jahren, als er ber ein Jahrzehnt lang der empndlichste Verstrker im oberen Ultrakurzwellen- und Mikrowellenbereich war. Typische Anwendungen waren zum Beispiel empndliche HF-Verstrker in Empfngern von Radaranlagen oder in der Radioastronomie zur Messung der interstellaren Hintergrundstrahlung. Die Entwicklung moderner Halbleitertransistoren hat den Parametrischen Mikrowellen-Verstrker in der heutigen Zeit vollstndig verdrngt. Niedere Rauschzahlen, die bei Parametrischen Verstrkern nur mit hohen Pumpfrequenzen, genauem und kritischem Abgleich der Frequenzen und Amplituden und eventueller Khlung erreicht wurden, werden heutzutage mit Feldeekttransistoren realisiert. In der THz-Technik und Optik werden Parametrische Verstrker oft verwendet. Das oben beschriebene mechanische Bild beschreibt einen linearen Vorgang. Da die Vorgnge in reellen vernderbaren Reaktanzen nichtlinear sind, (zum Beispiel hat eine Kapazittsdiode eine nichtlineare Kapazitt, das heit eine nichtlineare Beziehung zwischen Spannung und Ladung) funktioniert das Umpumpen der Energie auch bei anderen, insbesondere hheren Frequenzen, als fp = 2fs . Eine genauere Analyse zeigt, dass sich mit hohem fp das Rauschverhalten verbessert. Technisch wurden daher Pump-Oszillatoren bis zu fp = 9fs verwendet. Nutzt man nur die Mglichkeit des Verstrkungseekts aus, so erhlt man einen Geradeausverstrker, bei dem Ein- und Ausgangsfrequenz gleich sind. Wenn die Pumpfrequenz dann genau 2fs ist, so nennt man diesen Verstrker auch degeneriert (entartet). Die Nichtlinearitt des Blindelementes eines Parametrischen Verstrkers kann man durch eine entsprechende uere Beschaltung und Wahl der Pumpfrequenz auch zustzlich zum Mischen verwenden. Damit knnen sehr rauscharme Aufwrts- oder Abwrtsmischer aufgebaut werden. Um 1960 erreichte man mit Parametrischen Verstrkern mit dem Diodentyp 1N660 auf einer Signalfrequenz von 145 MHz und einer Pumpfrequenz von 900 MHz ein Rauschma (Rauschzahl) von NF = 0,85 dB (F = 1,22). Heutige GaAs-Feldeekttransistor-Verstrker erreichen bei dieser Frequenz ein Rauschma (Rauschzahl) von NF = 0,2 dB 0,4 dB (F = 1,05 1,1) bei weitaus geringerem Aufwand.
2.2. EINTORVERSTRKER Reaktanz-Geradeausverstrker als Eintorverstrker
125
Die bei der Pumpfrequenz der Reaktanz zugefhrte Pumpleistung wird dabei sowohl bei der Signalfrequenz als verstrktes Signal als auch bei der durch Mischung entstehenden Zwischenfrequenz (sie wird hier als Hilfsfrequenz fh = fp fs bezeichnet) an die uere Beschaltung abgegeben.
a) Rsi RL Cs Ls Rs Rh Us0 Up UB Reaktanzschaltung Ch Ersatzschaltung C ( p t) Ch b) Rsi RL Cs Ls fs RB fh Lh Rs Rh
Lp Us0 D
Abb. 2.54: Reaktanz-Geradeausverstrker. a) Prinzipschaltbild; b) Kleinsignalersatzschaltbild.
Das Prinzipschaltbild eines Reaktanz-Geradeausverstrkers und sein Kleinsignalersatzschaltbild zeigt Abb. 2.54. Eine gepumpte Kapazittsdiode, dargestellt durch die periodisch zeitabhngige Sperrschichtkapazitt C (p t) und den konstanten Bahnwiderstand RB , dient als Mischelement. Die beiden Reihenschwingkreise seien unter Bercksichtigung der Arbeitspunktkapazitt C0 der Diode auf die Signalfrequenz fs und die Hilfsfrequenz fh = fp fs abgestimmt und von so hoher Gte, dass nur Strme der betreenden Frequenz ieen (Resonanzabstimmung). Die Widerstnde Rs und Rh bercksichtigen die Verluste von Signalund Hilfskreis. In Reihe zu Signalgenerator und Lastwiderstand RL liegt die negative reelle Eingangsimpedanz Re der Mischschaltung. Aus der Berechnung des Eingangswiderstandes bei Resonanzabstimmung erhlt man: Re = (Rs + RB ) 1 Q2 s
2 fs RB fh (Rh + RB )(Rs + RB )
(2.118)
Hierin ist Qs = s RB C1 die dynamische Gte der Kapazittsdiode bei der Signalfrequenz; C1 ist hierbei das lineare Entwicklungsglied von C (p t). Eine Verstrkung ist nur dann mglich, solange der Eingangswiderstand nach Gl. 2.118 negativ bleibt, d. h. fr Q2 s fs > fh 1+ Rh RB 1+ Rs RB (2.119)
Hieraus ergibt sich der zulssige Bereich der Signal- und Hilfsfrequenz, in dem ein Verstrker betrieben werden kann.
126
Reaktanz-Geradeausverstrker als Zweitorverstrker Bei den blichen bertragungssymmetrischen Eintorverstrkern wird ein unsymmetrisches Netzwerk (z.B. Zirkulator) zur Trennung von Ein- und Ausgang bentigt. Weil Parametrische Verstrker mit einer externen Pumpquelle fremdgesteuert werden, knnen mindestens zwei Reaktanzen gleichen Typs so miteinander verschaltet werden, dass sie ein Zweitor bilden. Dabei wird die Unsymmetrie der Frequenzumsetzung unter Ausnutzung bestimmter Phasenverhltnisse der beteiligten Signale fr die Entkopplung der Tore der einlaufenden und auslaufenden Signale bei gleicher Frequenz ausgenutzt. Das Prinzipschaltbild eines solchen Verstrkers zeigt Abb. 2.55. Die beiden Varaktoren C1 und C2 werden mit einer Phasendierenz von -90 gepumpt. Eingang und Ausgang des Verstrkers sind durch ein Netzwerk mit 90 Phasendrehung, z.B. eine /4-Leitung, verbunden. Eine Spannung am Eingang bewirkt ber die beiden zeitabhngigen Kapazitten phasengleiche Strme im Hilfskreis, whrend eine Spannung am Ausgang Strme entgegengesetzter Phase hervorruft, die sich zu Null addieren. Umgekehrt bewirkt eine Spannung am Hilfskreis phasengleiche Strme am Ausgang und Strme entgegengesetzter Phase am Eingang. Der fr den Verstrkungsvorgang notwendige Leistungsumsatz bei der Hilfsfrequenz kann somit nur vom Eingang her angeregt werden, die verstrkte Signalleistung wird allein am Ausgang bereitgestellt.
fh C1 ( p t) Rsi Us0 +/2 RL C2 ( p t /2)
fs
fs
Abb. 2.55: Nichtbertragungssymmetrischer Reaktanzverstrker mit zwei Varaktoren (Ersatzschaltbild).
Kapitel 3 Oszillatoren
Der Oszillator ist das Herzstck nahezu jeder komplexen Mikrowellenschaltung. In Empfngern dient er der selektiven Empfangsfrequenzwahl als Lokaloszillator (LO) und in Sendern zur Trger- bzw. Hilfstrgerfrequenzerzeugung. Bevor nun auf die verschiedenen Typen und die Problematik der Dimensionierung von Hochfrequenz- und Mikrowellenoszillatoren eingegangen wird, sollen einige Varianten von Niederfrequenz (NF)-Oszillatoren und ihre Funktionsweise aufgezeigt werden.
3.1
3.1.1
Niederfrequenzoszillatoren
Rechteckgeneratoren
Das Oszillationsprinzip kann bei Rechteckgeneratoren, die mit digitalen Gattern wie in Abb. 3.1 aufgebaut sind, sehr einfach nachvollzogen werden. Unterhalb einer bestimmten Eingangsspannung Up wechselt die Ausgangsspannung der Gatter N1 und N2 (beides Inverter) schlagartig von 0 V auf Umax . Oberhalb einer Spannung Un wechselt die Gatterausgangsspannung von Umax auf 0 V. Ausgehend von einem Grundzustand mit entladenem C1 und Ua1 = Umax wird zu Beginn am Eingang von Inverter N2 ebenfalls Umax anliegen, wenn angenommen wird, dass die Invertereingnge stromfrei sind. Damit hat Ua2 den Wert 0 V und C1 wird ber R1 langsam aufgeladen. Bei Erreichen der Kondensatorspannung Umax Up wechselt Inverter N2 schlagartig die Ausgangsspannung auf den Wert Umax , wodurch N1 seine Ausgangsspannung auf 0 V ndert. Der Kondensator wird nun wieder ber R1 entladen und entgegengesetzt aufgeladen, bis der Schwellenwert Un am Eingang von N2 erreicht wird usw. Am Ausgang von N2 kann eine Rechteckspannung abgegrien werden, deren Amplitude durch die Betriebsspannung und deren Frequenz durch R1 , C1 , Un und Up bestimmt wird. Eine weitere Schaltung nach diesem Prinzip zeigt Abb. 3.2: 127
128
KAPITEL 3. OSZILLATOREN
N1 Ua1 C1 N2 R1 Ua2
Abb. 3.1: Einfacher Rechteckgenerator (Multivibrator).
R1 +
C1 R2 + UD -
R3
invert. Integrator
Abb. 3.2: Dreieck-Rechteck-Generator.
UR SchmittTrigger
Es handelt sich dabei um einen Dreieck-Rechteck-Generator, wobei ein invertierender Integrator durch die Ausgangsspannung des nichtinvertierenden SchmittTriggers aufgeladen bzw. entladen wird. Dabei wechselt der Schmitt-Trigger das Vorzeichen der Ausgangsspannung immer gleichsinnig zur Eingangsspannung bei Erreichen eines gewissen Eingangsspannungswerts, wodurch der invertierende Integrator zur Umkehr des Ladungsprozesses gezwungen wird. Am Ausgang des Integrators entsteht dadurch eine Dreieckspannung, am Schmitt-Trigger kann R3 1 eine Rechteckspannung gleicher Frequenz f = mit der Amplitude R2 4R1 C1 R2 UR abgegrien werden. UD = R3 Beide Schaltungsarten geben oberschwingungshaltige Kurvenformen ab. In der Analogtechnik sind jedoch Sinusschwingungen meist vorteilhafter einsetzbar. Zur Erzeugung einer Sinusschwingung kann entweder eine Filterung der Ausgangsspannung oder ein Konzeptwechsel vorgenommen werden. Das Grundprinzip
3.1. NIEDERFREQUENZOSZILLATOREN
129
dabei ist stets, dass eine resonanzfhige Schaltung mit einem verstrkenden Bauelement (Ein- oder Zweitor) entdmpft wird.
3.1.2
Erzeugung von Sinusschwingungen
Die Erzeugung von Sinusschwingungen kann am einfachsten anhand eines LCOszillators gezeigt werden. Grundaufgabe ist es dabei, die Dmpfung im LCKreis (Serien- oder Parallelresonanzkreis) durch entsprechende Beschaltung mit einem Verstrker und Rckfhrung der verlorenen Energie zu verringern. Ein einfaches Blockschaltbild fr einen Rckkopplungsoszillator (Feedback Oscillator), das auch fr Hochfrequenzoszillatoren Gltigkeit hat, zeigt Abb. 3.3.
|A()| () U1 Verstrker U2
|K()| () Rckkoppler RE U3
Abb. 3.3: Blockschaltbild eines Rckkopplungsoszillators.
U1 wird durch den Verstrker um den bertragungsfaktor |A( )| angehoben, wobei eine Phasenverschiebung ( ) auftritt. Die Ausgangsspannung U2 wird dem frequenzselektiven Rckkopplungsnetzwerk (meist einem Resonanzkreis oder einem Phasenschieber) zugefhrt, welches einen bertragungsfaktor |K ( )| und eine Phasenverschiebung ( ) besitzt. Die Schwingbedingung kann durch Auftrennen der Rckkopplungsleitung untersucht werden. Dazu wird das Rckkopplungsnetzwerk, wovon der Schwingkreis ein Teil ist, ausgangsseitig mit einem dem Verstrkereingangswiderstand RE entsprechenden Abschluss belastet. Bei Speisung mit einer frequenzvariablen Spannung U1 kann diejenige Frequenz ermittelt werden, bei der U1 und U3 betrags- und phasenmig bereinstimmen. Hier ist der Oszillator schwingfhig, da gerade die Verlustenergie wieder eingespeist wird. Fr die komplexen bertragungsgren muss daher die Schwingbedingung U1 = U3 = K A U1 also K A = 1 (3.1) gelten, woraus sich zwei Bedingungen fr Betrag und Phase ergeben: |K | |A| = 1 + = 0, 2, 4, . . . Eine entsprechende Schaltung ist in Abb. 3.4 dargestellt. (3.2) (3.3)
130
i=0
+ (A-1) R1 U2 R1
iR iC iL
U1
Abb. 3.4: Einfacher LC-Oszillator mit Rckkopplung.
Um eine genauere Beschreibung der Schwingung zu erreichen, wird eine Analyse um Knoten 1 durchgefhrt. iR iC iL = 0 U2 U1 1 1 CU R L U1 dt = 0 (3.4) (3.5)
Nach einmaligem Ableiten, dividieren durch C und Umstellen folgt mit U2 = A U1 1 + 1 A U 1 + 1 U1 = 0 U (3.6) RC LC was der Dierentialgleichung (DGL) einer gedmpften Schwingung entspricht. Es werden nun die Abkrzungen = 1A 2RC und
2 0 =
1 LC
(3.7)
eingefhrt, womit sich aus Gl. 3.6 die vereinfachte Form in Gl. 3.8 ergibt. 1 + 2 U 1 + 2U1 = 0 U 0 Lsungen dieser DGL sind U1 (t) = U0 et sin wobei drei Flle zu unterscheiden sind: 1. > 0, d.h. A < 1 Die Amplitude der Ausgangswechselspannung nimmt exponentiell ab, die Schwingung ist gedmpft.
2 0 2 t
(3.8)
(3.9)
3.2. EINTOR-OSZILLATOREN
131
2. = 0, d.h. A = 1 Es ergibt sich eine Sinusschwingung konstanter Amplitude U0 mit der Frequenz 1 (3.10) 0 = LC 3. < 0, d.h. A > 1 Die Amplitude der Ausgangswechselspannung nimmt exponentiell zu. Aus dieser Fallunterscheidung ergibt sich, dass zwar frequenz- und amplitudenstabile Oszillationen mglich sind, jedoch ist damit nicht fr ein sicheres Anschwingen gesorgt. Um den Oszillationsprozess anzufachen muss vorab die Schleifenverstrkung grer 1 sein, damit aus Rauschen oder Einschaltspannungsspitzen eine brauchbare Ausgangsspannung entsteht. An dieser Stelle wird die Problematik des Oszillatorentwurfs oensichtlich: Einerseits soll durch mglichst lineare Verstrkung A das Oszillatorverhalten leicht berechenbar gemacht werden. Andererseits fordert die Anschwingbedingung fr den Oszillator A > 1, wodurch bei linearer Verstrkung eine exponentiell anwachsende Ausgangsspannung folgt. Aufgrund der endlichen Betriebsspannung ergbe sich daraus eine ungewnschte Rechteckoszillation. Daher ist es notwendig, gezielte Nichtlinearitten in den Oszillator einzubringen z.B. durch Einbau eines spannungsabhngigen Widerstandes in den Rckkopplungszweig von Abb. 3.4. Eine vollstndige Analyse des Schwingvorgangs zum Zweck der Schaltungsberechnung wird hierdurch erschwert, da die lineare Dierentialgleichung Gl. 3.8 in einen Satz von nichtlinearen, homogenen Dierentialgleichungen bergeht. Im Hochfrequenz- und Mikrowellenbereich tritt meist zustzlich die Schwierigkeit auf, dass die Nichtlinearitt nicht einfach auf ein in seiner Nichtlinearitt bekanntes Bauteil zurckgefhrt werden kann, sondern dass im Gegenteil das verstrkende Element mit seiner gekrmmten Kennlinie in die Berechnung eingeht.
3.2
Eintor-Oszillatoren
Eintor-Oszillatoren bestehen im Allgemeinen aus nur zwei Komponenten, einem bedmpften, frequenzbestimmenden Teil und einem negativen Widerstand zur Entdmpfung. Entsprechend der Kennlinie des aktiven Elementes unterscheidet man zwischen Eintor-Oszillatoren vom S- und N-Typus (Abb. 3.5). Whrend die S-Eintore nur Serienkreise stabil entdmpfen knnen (der Bereich negativen Widerstands ist durch einen Stromanstieg gekennzeichnet), sind N-Eintore ausschlielich zur Entdmpfung von Parallelkreisen geeignet (der Bereich negativen Widerstands ist durch einen Spannungsanstieg gekennzeichnet).
132
a) i b) i
du/di >0 =0 A du/di >0 u <0 =0
di/du <0 =0 >0 A
di/du>0 =0 u
Abb. 3.5: Beispiele fr Eintortypen: a) S-Eintore: Doppelbasisdiode und Vierschichtdiode/triode (Thyristor), Lichtbogen. b) N-Eintore: Tunneldiode, Gunn-Element, Dynatron (Tetrode mit Schirmgitterspannung > Anodenspannung).
3.2.1
Oszillatoren mit Tunneldioden
Tunneldioden bestehen, wie schon in Abschnitt 2.2.1 erwhnt, aus hochdotierten pn-Schichten, mit denen sich auch Oszillatorschaltungen bis ber 100 GHz hinaus verwirklichen lassen. Im Vergleich zu Transistoren sind sie viel niederohmiger, aufgrund des aber schon bei sehr kleinen Spannungen auftretenden negativen Widerstands lassen sich nur verhltnismig kleine Ausgangsleistungen erzeugen (ca. 120 mW). Den Kennlinienverlauf zeigt Abb. 3.6.
I
IH
I 1
R<Rn R>Rn A
2 U
IT
UH UB UT
Abb. 3.6: Kennlinie einer Tunneldiode (vgl. Abb. 2.49), wobei R = RB + RL ist.
Mit diesem Kennlinienverlauf ergibt sich fr f < fr ein Ersatzschaltbild nach Abb. 3.7, bestehend aus einem negativen Widerstand Rn und der durch den pn-bergang gebildeten Parallelkapazitt Cj . Als unerwnschte Elemente treten noch der Bahnwiderstand RB , sowie die Zuleitungsinduktivitt LS auf. Wird die Diode entsprechend Abb. 3.8 beschaltet, so kann das Schaltungsverhalten entsprechend Gln. 3.11a und 3.11b mittels der Kirchhoschen Regeln untersucht werden.
Tunneldiode
133
iL in u -Rn iC Cj
RB
Ls Lz RL
Abb. 3.7: Ersatzschaltbild einer Tunneldiode (vgl. Abb. 2.50).
UB Lz RL
CB TD
Abb. 3.8: uere Beschaltung.
Es gilt die Knotenregel (siehe Abb. 3.7): in + iC + iL = 0 also iL = und die Maschenregel diL dt Dabei werden folgende Abkrzungen eingesetzt: u = R iL + L L = LS + LZ und R = RB + RL (3.12) u du Cj Rn dt (3.11a)
(3.11b)
Damit ergibt sich durch Einsetzen von 3.11b in Gl. 3.12 die Dierentialgleichung LCj d2 u L + RCj 2 dt Rn du R + 1 dt Rn u=0 (3.13a)
134
die nach einer Laplace-Transformation mit dem Lsungsansatz u = U0 est in die Stammgleichung F (s) = s2 LCj + s RCj L Rn +1 R =0 Rn (3.13b)
bergeht. Lsungen fr s ergeben sich dann zu s1,2 = 0 j0 = 1 2 1 R Cj Rn L j 1

R Rn
LCj
1 4
1 R Cj Rn L
(3.14)
Dabei sind periodische Schwingungen nur mglich, wenn der Radikant von Gl. 3.14 positiv wird, also fr RB + RL < Rn . Diese Beziehung wird auch als Stabilittsbeziehung bezeichnet. Im Fall RB + RL > Rn ist der Arbeitspunkt A instabil und kann zwischen den Punkten 1 und 2 in Abb. 3.6 variieren, die ihrerseits stabil sind. Damit kann die Diode als Schalter eingesetzt werden, bzw. es knnen sich amplitudenbegrenzte Rechteckschwingungen aufbauen. Um eine Schwingung durch das Eigenrauschen anzuregen, muss der Realteil der komplexen Frequenz positiv sein, d.h. RB + RL < LS + LZ Rn Cj (3.15)
Diese Beziehung wird auch als Anschwingbedingung bezeichnet. Fr hhere Frequenzen nimmt die abgebbare Leistung infolge des Bahnwiderstands RB und der Sperrschichtkapazitt Cj ab und wird bei der Grenzfrequenz fc (Gl. 2.110) der Diode zu Null. Der Bereich der Spannungsaussteuerung ist abhngig vom Halbleitermaterial (fr Germanium ca. U = 250 mV, fr GaAs ca. U = 350 mV). Die Stromaussteuerung I bewegt sich zwischen 1 und 20 mA. Die Maximalleistung ist fr f fc nherungsweise durch 3 U I/16 gegeben. Der Wirkungsgrad betrgt bei Ausgangsleistungen von ca. 2 mW im X-Band (812 GHz) ungefhr 2 %. blicherweise werden Tunneldioden, wie auch andere Eintorbauelemente direkt in einen Resonator eingebaut, wobei von auen lediglich die Betriebsspannung zugefhrt und die HF-Leistung abgefhrt werden. Anmerkung: Soll die Schwingfrequenz f0 eines Tunneldiodenoszillators oberhalb der Eigenresonanzfrequenz liegen, d.h. soll fr < f0 < fc gelten, so ist statt der induktiven Beschaltung mit Lz eine kapazitive Beschaltung mit einer Zusatzkapazitt Cz vorzunehmen.
3.2.2
Oszillatoren mit Gunn-Element
Gunn-Elemente werden in Oszillatoren mit Leistungen im Bereich bis ca. 100 mW fr Frequenzen zwischen 1 GHz und 100 GHz verwendet. Als Halbleitermaterial
135
wird bevorzugt GaAs oder InP benutzt. Eine epitaktisch auf das n+ -Substrat aufgebrachte n-Schicht bildet die aktive Zone. berschreitet die Spannung am Gunn-Element einen gewissen Grenzwert, dann entstehen in der aktiven Zone Raumladungspakete, sogenannte Domnen. Diese Domnen durchlaufen die aktive Zone und erzeugen einen hochfrequenten Strom in der ueren Beschaltung. Abb. 3.9 zeigt den Einbau eines Gunn-Elementes in einen Hohlraumresonator. Die Abstimmung erfolgt ber den ebenfalls in dem Resonator eingebrachten Varaktor. Die mechanische Abstimmung ber einen Kurzschlussschieber ist auch blich. Das Oszillatorsignal wird ber eine Lochblende ausgekoppelt.
Abb. 3.9: Aufbaubeispiel fr einen abstimmbaren Oszillator (Voltage Controlled Oscillator: VCO) mit Hohlraumresonator, Gunn-Element und Abstimmvaraktor.
Mit Gunn-Elementen aus InP wurde eine Oszillator-Ausgangsleistung von etwa 100 mW bei 100 GHz erreicht, Elemente aus GaAs erreichen etwa die halbe Leistung.
3.2.3
Oszillatoren mit IMPATT-Dioden
IMPATT-Dioden werden bis zur Durchbruchspannung in den Sperrbereich vorgespannt. Whrend einer halben Periode der HF-Wechselspannung entstehen durch Stoionisation Paare von Ladungstrgern. Die Elektronen durchlaufen eine nur schwach dotierte Driftzone und erzeugen einen phasenverschobenen Strom in der ueren Beschaltung. Im Gegensatz zur sogenannten Double-Drift-Diode durchlaufen die entstehenden Lcher bei der Single-Drift-Diode keine Driftzone und tragen somit nicht zur HF-Erzeugung bei. Bei geeigneter Phasenverschiebung (180) zwischen dem Strom durch die Driftzone und der HF-Wechselspannung kann Entdmpfung der ueren Beschaltung erreicht werden. Die IMPATT-Diode wird analog zum Gunn-Element in einen Hohlraumresonator eingebaut. Der Arbeitspunkt kann mit Hilfe einer Gleichstromquelle mit hohem Innenwiderstand eingestellt werden.
136
Oszillatoren mit IMPATT-Dioden erreichen hhere Ausgangsleistungen als solche mit Gunn-Elementen. Fr Frequenzen bis zu 50 GHz werden einige Watt im Dauerstrichbetrieb (CW-Betrieb) erreicht. Bei 100 GHz erhlt man mit SiIMPATT-Dioden bis zu 1 W und mit GaAs-IMPATT-Dioden bis zu 100 mW Ausgangsleistung. Im Pulsbetrieb knnen diese Leistungen noch um den Faktor 10 bis 20 erhht werden.
3.3
3.3.1
Zweitor-Oszillatoren
Instabile Zweitore
Um einen Zweitor-Oszillator aufbauen zu knnen, ist ein instabiles Zweitor notwendig. Hierbei ist es nicht mageblich, ob die Instabilitt gezielt durch eine geeignete uere Beschaltung eines nur bedingt stabilen Zweitores herbeigefhrt wird, ob ein unbedingt stabiles Zweitor durch Mitkopplung zum instabilen Zweitor wird oder ob bereits ein instabiles Zweitor vorliegt.
ZS
[S]
r S r ein r aus r L
ZL
Abb. 3.10: Begrisdenitionen am Zweitor.
Die Stabilittsbedingungen fr ein Zweitor wurden in Kapitel 2 mit den Gleichungen Gl. 2.20 und Gl. 2.21 angegeben. Instabile Zweitore sind zum Beispiel Transistoren, die speziell fr den Einsatz in Oszillatorschaltungen entwickelt wurden; hier stellt die Dimensionierung keine greren Anforderungen an den Entwickler. Es wird entsprechend Abschnitt 3.3.2 auf maximale Instabilitt hin optimiert, jegliche Beschaltung ist schwingfhig (unbedingt instabil). Fr den allgemeinen Fall eines bedingt stabilen Zweitores muss entsprechend Abschnitt 2.1.3 eine geeignete Lastimpedanz ZL mit dem Lastreexionsfaktor r L gefunden werden, fr die bei der gewnschten Oszillationsfrequenz die Anschwingbedingung (3.16) |rS r ein | > 1
3.3. ZWEITOR-OSZILLATOREN
137
Ein geeigneter Lastreexionsfaktor r L kann mit dem Verfahren der maximalen Instabilitt gefunden werden.
erfllt ist. Im stationren Zustand, also bei konstanter Schwingungsamplitude, gilt dann (Zs = Zein ): |rS r ein | = 1 (3.17)
3.3.2
Maximale Instabilitt
Maximale Instabilitt wird dort erreicht, wo mglichst groes |rein | vorliegt. Damit liegt eine Entwurfsbedingung vor: es muss die Funktion |rein | = K = f ([S ],r L ) (3.18)
gesucht werden. Daraus kann dann fr gegebenes K (Bemerkung: K hat nichts mit dem Rollettschen Stabilittsfaktor k in Abschnitt 2.1.3 zu tun) die Beziehung (3.19) r L = g ([S ],K ) ermittelt werden. Sie ergibt sich aus Gl. 2.34 |rein | = S11 + S12 S21 r L ! =K 1 S22 r L K |S21 S12 | |S22 |2 |s |2
K 2 S22 S11 s 2 2 K |S22 | |s |2
(3.20)
zu einem Kreis, auf dem alle entsprechenden Werte rL liegen. Radius: RL (K ) = K2 (3.21)
Mittelpunkt: mit s = S11 S22 S12 S21
M L (K ) =
(3.22)
Es kann gezeigt werden, dass alle Kreismittelpunkte fr variable K auf einer Geraden liegen. Fr den Wert K liegt der nun zu einem Punkt entartete Kreis (Gl. 3.22) bei 1 (3.23) r L (K ) = S22
woraus sofort wegen |r ein | aus Gl. 3.17 r s (K ) = 0 (3.24)
folgt. Damit muss lediglich ein Abschluss mit dem Bezugswellenwiderstand Z0 am Oszillator angelegt werden. In Abb. 3.11 sind die rL -Kreise fr verschiedene Werte K aufgetragen.
138
Im{r }
L
r (K
L
)=
1 S22
K K1 K2
K3
1 Re{r }
L
Abb. 3.11: Ausschnitt der Reexionsfaktorebene mit den Funktionen r L (K ) (r L Kreise) fr |S22 | > 1. Es handelt sich um eine Darstellung des ersten Quadranten des Einheitskreises der r L -Ebene.
Fr passive Lastimpedanzen ist nur |r L | 1 mglich. Der Kreis in der rL Ebene um M L mit dem Radius RL muss daher den Einheitskreis berhren. Der Berhrpunkt ist der gesuchte Lastreexionsfaktor rL . Diese Forderung entspricht einem speziellen Wert |r ein | = Kt . Abb. 3.12 zeigt den Einheitskreis in der r L -Ebene (Smith-Diagramm), die Kreise fr |rein | = 1, |rein | = Kt , den Grenzwert 1/S22 , sowie die Gerade, auf der die Mittelpunkte M L liegen, fr ein Zweitor mit |S22 | < 1. Man erhlt Kt aus der Bedingung |M L (Kt )| = RL (Kt ) + 1
Die Beziehungen Gl. 3.23 und Gl. 3.24 sind jedoch nicht allgemein aussagekrftig, sondern nur im Fall |S22 | 1. Ansonsten liegt r L (K ) auerhalb des Einheitskreises, Oszillation ist also fr K nur mit einem aktiven Abschlusswiderstand |rL | > 1 mglich. In diesem Fall wird wie folgt vorgegangen:
(3.25)
Nach (langen) Umformungen ergibt sich aus den Gln. 3.25, 3.20, 3.21 und 3.22 die Beziehung Kt = |S12 ||S21 | + |S12 |2 |S21 |2 (1 |S22 |2 )(|s |2 |S11 |2 ) 1 |S22 |2 (3.26)
Mit diesem Kt kann aus Gl. 3.22 der Winkel von M L (Kt ) ermittelt werden. Der gesuchte Lastreexionsfaktor r L (Kt ) muss denitionsgem auf der Verbindungsgeraden zwischen dem Anpasspunkt r = 0 und M L liegen. Er ist bestimmt durch
3.3. ZWEITOR-OSZILLATOREN
139
arg(r L (Kt )) = arg(M L (Kt ))
| r L ( Kt ) | = 1
(3.27) (3.28)
Auch hier ist eine Fallunterscheidung notwendig: falls der Betrag der Determinante S grer als S22 wird, also dann, wenn der Anpasspunkt vom Stabilittskreis K = 1 eingeschlossen wird, bendet sich r L (Kt ) auf der entfernten Seite des Einheitskreises entsprechend Abb. 3.13. Einen in Streifenleitungstechnik aufgebauten Oszillator entsprechend den beschriebenen Entwurfsrichtlinien zeigt Abb. 3.14. Der Kondensator mit 1,2 pF dient dazu, den Transistor, dessen S-Parameter unbedingte Stabilitt bewirken, in ein bedingt stabiles Zweitor umzuwandeln. Die Streifenleitung an der Basis wird mit einer Luftleitung hergestellt, da der hohe Wellenwiderstand von 209 auf einem Substrat mittels tztechniken schwer zu realisieren ist. Der Oszillator liefert am Kollektor ca. 10 mW an eine 50 -Last bei einer Frequenz von 1,9 GHz. Bemerkungen:
Im{r }
L
|rein | = 1 r (Kt )
L
|rein | = Kt
K
8
Kt
1 |S22 | RL (Kt ) Re{r }

L
Abb. 3.12: rL -Ebene mit Kreisen fr konstantes K fr |S | < |S22 | < 1.
140
K2 Kt K1
r (Kt )
L
K2 Kt K1 Re{r }
L
Abb. 3.13: rL (K )-Kreise fr |S22 | < |S |.
1. Silizium-Bipolar-Transistoren haben tiefere Transitfrequenzen f als GaAsMESFETs und HEMTs. Dafr ist aber das 1/f -Rauschen niedriger. f sollte doppelt so hoch wie die Arbeitsfrequenz gewhlt werden. 2. Das Modell des Zweitor-Oszillators kann durch verwenden der Transistorersatzschaltung mit Steilheit gm auf das Eintor-Oszillator-Modell mit negativem Wirkwiderstand zurckgefhrt werden.
3.4
LC-Oszillatoren
Fr den Frequenzbereich bis ca. 500 MHz ist es mglich, Oszillatoren aus konzentrierten Bauelementen herzustellen. Bei LC-Oszillatoren besteht das frequenzselektive Rckkopplungszweitor K ( ) (s. Abschnitt 3.3) aus konzentrierten Spulen
3.4. LC-OSZILLATOREN
141
1,2 pF 209 (air) 50 128
26
26
Abb. 3.14: 1,9 GHz-Oszillator.
und Kondensatoren. Fasst man die Ersatzschaltbilder fr Verstrkungs- und Rckkopplungszweitor zusammen, dann erhlt man das in Abb. 3.15 gezeigte Ersatzschaltbild.
Basis
I1 =0
I jX 2
I2 gm . U1
Kollektor
U1
jX 1
jX 3 I3
G IG
Emitter
U2
I1 =0
Abb. 3.15: Oszillatorzweitor (NF-Ersatzschaltung).
(G + gm )X1 + GX2 = 0 und daraus |X2 | > |X1 |, da G und gm positiv und reell sind. Nach weiterer Analyse erhlt man eine weitere Gleichung: X1 + X2 + X3 = 0. Zusammenfassend kommt man zu folgendem Ergebnis:
Setzt man positive Induktivitten L und Kapazitten C voraus (XL = L, XC = 1 ), dann ergibt sich fr die Blindelemente X1 , X2 , X3 : C
X1 und X2 mssen vom entgegengesetzten Reaktanztyp sein, dabei ist der Reaktanztyp von X2 gleich dem von X1 + X2 . X3 und die Serienschaltung von X1 und X2 sind von entgegengesetztem Reaktanztyp, d. h. der Reaktanztyp von X3 ist gleich dem von X1 . Im Laufe der Zeit haben sich empirisch und von der Theorie ausgehend die in Abb. 3.16 dargestellten Beschaltungsvarianten entwickelt. In Abb. 3.17 sind die aus Abb. 3.16 bekannten Oszillatortypen fr die drei Grundschaltungen
142
zusammengestellt. Da nur der Typ der Reaktanzen festliegt, existieren weitere Schaltungen. So tritt zum Beispiel Selbsterregung nach Huth-Khn auch bei Verstrkern auf, bei denen anstelle von L1 und L3 Parallelschwingkreise vorhanden sind. Da X1 und X3 induktiv sein mssen, liegt die Schwingfrequenz dann unterhalb der Resonanzfrequenz dieser Schwingkreise. Fr die Kapazitt C2 ist oft die Kollektor-Basis-Kapazitt des Bipolartransistors bzw. die Drain-Gate-Kapazitt des MESFETS ausreichend. Meiner-Schaltung Die lteste Schaltung ist die Transformator-Rckkopplungsschaltung nach Meiner (1913). Sie lsst sich in das Schema nach Abb. 3.16 einordnen, indem man die beiden gekoppelten Spulen durch das Kopplungsersatzschaltbild des Transformators ersetzt und anschlieend eine Stern-Dreieck-Transformation durchfhrt. Auf diese Weise erhlt man fr alle drei Grundschaltungen des MeinerOszillators eine induktive Dreipunktschaltung, bei der X1 nach Abb. 3.16 durch eine Induktivitt dargestellt wird. Die Realisierung von X2 und X3 ist je nach Grundschaltung verschieden. Bei der Basis- und Kollektorgrundschaltung nach Abb. 3.17 wird X3 ebenso wie X1 durch eine Induktivitt dargestellt und X2 durch einen Parallelschwingkreis, dessen Resonanzfrequenz unterhalb der Schwingfrequenz des Oszillators liegt und dessen Widerstand bei der Schwingfrequenz daher kapazitiv ist. Im Fall der Emittergrundschaltung des Meiner-Oszillators wird die Reaktanz X2 durch eine negative Induktivitt hergestellt (X2 = L2 ), die im Ersatzschaltbild des Transformators dadurch entsteht, dass die beiden Wicklungen wirksam hintereinander (gegensinnige Wicklung) geschaltet sind. Da bei der Diskussion der Schwingbedingungen nur positive Schaltelemente zugelassen waren, enthalten die Schwingkreise in Abb. 3.16 stets Induktivitten und Kapazitten gleichzeitig. Lsst man jedoch auch negative Schaltelemente zu, so kann die Schwingbedingung durch Blindwiderstnde nur einer Art erfllt werden. Die induktive Resistanz X3 wird durch einen Parallelschwingkreis dargestellt, dessen Resonanzfrequenz oberhalb der Schwingfrequenz des Oszillators liegt. Die Primrwicklung, zusammen mit dem Kondensator, stellt den frequenzbestimmenden Parallelschwingkreis dar. Die Punkte im Schaltbild bezeichnen die Wicklungsanschlsse gleicher Polaritt.
3.4. LC-OSZILLATOREN
143
X1
-1/ C1
L1
X2
L2
L2 -1/ C2 >0
-1/ C2
L2 -1/ C2 <0
induktiv X1 + X2 induktiv X3
kapazitiv
kapazitiv
-1/ C3 C C3 L2 L2 E C1 B ("Colpitts") C X3 ("Clapp") C2 C C3 E C2 C1 B oder
L3 C L3 E L1 B oder C C2 C L2 C2 C L3 E L1 B
X2 X1
C2
E L2
B Schwingkreis ("Hartley") oder
B oder C C2 L3 B C2 L1 E ("Huth-Khn")
E B
("Lampkin")
Bezeichnung
kapazitive Dreipunktschaltung "Colpitts" "Clapp"
induktive Dreipunktschaltung "Hartley" "Huth-Khn" "Lampkin"
Abb. 3.16: Systematik der LC-Oszillatoren (verschiedene Kombinationen der Blindwiderstnde X1 , X2 und X3 ).
144

+ + + + +
Dr Dr Dr + + + + + + Abart: "Lampkin"
Cr Dr Cr Cr + + + + Dr L2 C2 C1 C3 Dr Abart: "Clapp"
Abb. 3.17: LC-Oszillatoren nach Abb. 3.16 in den drei Grundschaltungen.
3.4. LC-OSZILLATOREN Hartley-Schaltung
145
Eine induktive Dreipunktschaltung kann im Prinzip nach Abb. 3.16 durch zwei getrennte, das heit vollstndig entkoppelte Spulen gebildet werden. Meistens nimmt man jedoch eine Spule mit Anzapfung, einen sogenannten Spartransformator, und erhlt dann die Hartley-Schaltung. Bei der Berechnung ist zu beachten, dass sich bei einem Spartransformator, also magnetisch gekoppelten Spulen, die Teilspannungen annhernd wie die entsprechenden Windungszahlen verhalten, bei zwei entkoppelten Spulen dagegen wie die Quadrate der Windungszahlen. Ersetzt man den Spartransformator durch zwei gekoppelte Spulen, so erhlt man (gegebenenfalls nach Transformation von C2 ) wieder die Meiner-Schaltung. Es bestehen also keine prinzipiellen Unterschiede zwischen einer Meiner-, einer Hartley und einer induktiven Spannungsteiler-Rckkopplungsschaltung. Colpitts-Schaltung Wird die Teilerschaltung X1 , X3 nicht induktiv, sondern kapazitiv ausgefhrt, so ergibt sich die Colpitts-Schaltung. Der Rckkopplungsgrad kann durch Cr eingestellt werden. Dadurch wird es mglich, C1 und C3 gleich gro zu whlen und einen Doppeldrehkondensator fr sie zu verwenden. Ersetzt man die Spule (Induktivitt X2 ) des Colpitts-Oszillators durch einen Quarz, so erhlt man den Pierce-Oszillator. Clapp-Schaltung Eine Variante des Colpitts-Oszillators in Kollektorgrundschaltung ist der ClappOszillator. Whlt man C1 und C3 sehr viel grer als die arbeitspunktabhngigen Transistorkapazitten CBE und CCE , so bleiben deren Schwankungen nahezu ohne Einuss auf die Schwingfrequenz. Da jedoch X2 = (X1 + X3 ) dann eine sehr kleine Induktivitt verlangt, die unter Umstnden schwer zu realisieren ist, schaltet man eine Kapazitt C2 in Serie, so dass L2 1/C2 > 0 erfllt ist. Auf diese Weise kann man L2 ausreichend gro whlen, da die wirksame Induktivitt Le nach der Gleichung Le = L2 1 kleiner ist als L2 . Dem Vorteil der hohen Frequenzkonstanz des Clapp-Oszillators steht der Nachteil gegenber, dass bei Frequenzvariation mittels C2 die Schwingamplitude stark frequenzabhngig ist. 1
2L C r 2 2
(3.29)
146 Frequenz- und Lastbedingung
Bei gegebenen Reaktanzen X1 , X2 und X3 ist die Schwingfrequenz eines Oszillators durch die Gleichung X1 + X2 + X3 = 0 bestimmt, die daher auch als Frequenzbedingung bezeichnet werden kann. Die Lastbedingung bestimmt den zum Anschwingen maximal zulssigen Lastleitwert G. Er errechnet sich zu G = gm X1 /X3 . Fr den Colpitts-Oszillator wird G = gm C3 /C1 . In der Praxis ist der Lastleitwert G nicht leicht zu ermitteln, da er sich aus den Leitwerten des Verbrauchers und den Verlusten der Oszillatorschaltung zusammensetzt. Man muss daher durch Verndern der Steilheit gm oder des Kapazittsverhltnisses C3 /C1 (Rckkopplungsverhltnis) erreichen, dass der Oszillator gerade sicher anschwingt, aber die abgegebene Spannung noch nicht zu stark begrenzt wird. Im Zustand der Begrenzung sind die Schwingbedingungen nicht mehr gltig, da der Kleinsignalbetrieb verlassen wird. Die bislang beschriebenen Oszillatorschaltungen beziehen ihre Frequenzstabilitt einzig aus der Gte der externen, passiven Bauelemente (Spulen, Kondensatoren und Leitungsbauteile). Damit lassen sich je nach Gte der Bauteile Frequenzstabilitten bis ca. 5 105 erzeugen. Oft reicht das nicht aus, so dass stabilere Elemente notwendig werden.
3.5
Quarzoszillatoren
Die Wirkungsweise des Quarzes als Resonator beruht auf dem piezoelektrischen Eekt. Wird auf eine unter geeignetem Winkel aus dem Quarzkristall herausgeschnittene Platte mechanischer Druck oder Zug ausgebt, so fhrt das zum Entstehen elektrischer Ladung. Der Eekt ist umkehrbar. Daraus lsst sich ableiten, dass der Quarz im Prinzip ein mechanischer Oszillator ist. Im folgenden werden kurz die verschiedenen Quarzformen und ihre Resonanzersatzschaltbilder sowie der Temperaturgang und einige Schaltungsbeispiele behandelt.
3.5.1
Quarztypen
NF-Quarze Im Nieder-Frequenzbereich (NF) bis 1 MHz werden Biege-, Dehnungs- (XLngsschwinger) und Flchenscherungsschwinger mit Eigenschaften entsprechend Abb. 3.18 eingesetzt. Die in dieser und in den folgenden Tabellen angegebenen Werte fr die Elemente des Ersatzschaltbildes beziehen sich auf Abb. 3.19.
3.5. QUARZOSZILLATOREN

BimetallPrinzip
147

f~ b l2
x +
f~
b l2
auch dreipolig
f~
b l2
Lngsdehnung
z x
f~
1 l
z x
z y
f~
1 l
SL: rechteckig
Abb. 3.18: bersicht ber die gebruchlichsten NF-Quarze im Bereich < 1 MHz.
Schaltsymbol: Q
Ersatzschaltbild: mech. Resonanz C1 L1 C0 Dmpfung R1
Elektrodenkapazitt
Abb. 3.19: Schaltsymbol und dynamisches Ersatzschaltbild eines Schwingquarzes.
Der Temperaturgang der Resonanzfrequenz wird durch die Parabel f = a(T TUKP )2 f (3.30)
beschrieben. Die Steilheit a variiert dabei je nach Typ zwischen 2 108 K2 und 5 108K2 . Die Umkehrtemperatur TUKP kann fr die meisten Schwingungstypen angegeben werden. Eine Ausnahme vom Temperaturverlauf nach Gl. 3.30 macht der H-Biegeschwinger, bei dem ein linearer Frequenzgang zu verzeichnen ist.
148 AT-Grundwellenschwinger
Fr den hohen Frequenzbereich werden Quarze mit dem AT-Schnitt eingesetzt. AT-Quarze sind Dickenscherungsschwinger mit einem Grundwelleneinsatzbereich blicherweise zwischen ca. 750 kHz und 25 MHz. Die Abhngigkeit der relativen Frequenznderung von der Temperatur wird in guter Nherung durch eine kubische Parabel f = a1 (T TINV ) + a3 (T TINV )3 f (3.31)
beschrieben. Fr die Koezienten gilt: a1 = 84 109 Winkelminuten K1 und 10 3 a3 = 10 K . ist die Abweichung vom sogenannten Nullwinkel, das ist derjenige Schnittwinkel , fr den die Wendetangente in der Temperaturabhngigkeit waagerecht verluft (Kurve (1) in Abb. 3.20). TINV ist die Temperatur am Wendepunkt. Abb. 3.20 zeigt qualitativ die relative Frequenznderung als Funktion der Temperatur fr zwei verschiedene Schnittwinkel.
20 10 0
2
= 0
f/(f10E-6)
-10
1
= 6 TINV -20 0 20 40 T / C 60 T1 80 100
-20 -60
-40
Abb. 3.20: Relative Frequenznderung von AT-Quarzen (qualitativ) mit verschiedenen Schnittwinkeln gegen die kristallographischen Achsen.
Die Kurve (2) zeigt den typischen Verlauf. Thermostatbetrieb ist im hervorgehobenen Kurvenstck um den oberen Umkehrpunkt bei der Temperatur T1 blich. Als Ersatzdaten fr AT-Quarze sind die Werte in Tabelle 3.1 aus der Literatur bekannt. Modernste tztechniken der Mikromechanik (inverted mesa) erlauben die Herstellung von AT-Grundtonquarzen mit Schwingfrequenzen bis zu 250 MHz.
Frequenzbereich (MHz) fr Gehusefamilie HC-6/U HC-25/U HC-35/HC-45 0,75 1,5 1,5 3 27 7 20 (30) 2,7 5,2 4,5 10,5 10,5 20 (30) 10 13 13 20 (30) typische Ersatzdaten C0 3 7 pF 4 7 pF 5 7 pF C1 8 fF 10 fF 20 fF [10 fF] Q > 100000 > 100000 > 50000
149
Quarzform bikonvex plankonvex plan mit Facette plan
R1 100 500 < 200 10 100
Tabelle 3.1: Ersatzdaten von AT-Grundtonquarzen.
AT-Obertonquarze Wird ein Dickenscherschwinger in einem Oberton angeregt, so schwingt die Quarzscheibe in mehreren Unterscheiben gegenphasig zueinander. Es knnen dabei nur ungeradzahlige Obertne angeregt werden, da bei den geradzahligen Oberschwingungen die Elektroden gleiche Polaritt besitzen wrden. Abb. 3.21 zeigt schematisch die Anregung des Grundtons bzw. des dritten Obertones.
Knotenebene Elektroden + + Knotenebenen
Ruhezustand
Grundton
3. Oberton
Abb. 3.21: Dickenscherschwinger im Grundton und im dritten Oberton (schematisch).
Die Grundfrequenz eines AT-Quarzes ist umgekehrt proportional zur Scheibendicke. So ist beispielsweise ein 30 MHz Grundtonquarz ca. 55 m dick. Regt man ihn auf dem dritten Oberton, also bei 90 MHz an, dann ist die elektrisch wirksame Unterscheibchen-Dicke ein Drittel davon, das sind ca. 18 m. Allerdings ist die Obertonfrequenz nicht genau die n-fache Grundfrequenz, jedoch wird diese sogenannte Anharmonie mit wachsendem Oberton geringer. Daher ist es relativ einfach mglich, Quarzoszillatoren auch noch bei etwa 300 MHz zu betreiben, obwohl die bliche obere Frequenzgrenze bei 200 MHz (9. Oberton) liegt: Man betreibt den Quarz im 11. oder 13. Oberton, der ziemlich genau das 11/9- bzw. 13/9-fache des 9. Obertones ist. Allerdings sollte dafr ein Quarz mit mglichst hoher Grundtonfrequenz gewhlt werden (2030 MHz), damit die Obertonmoden weit auseinander liegen. Die typischen Ersatzdaten sind in Tabelle 3.2 zusammengestellt.
150
Frequenzbereich (MHz) fr Gehusefamilie HC-6/U HC-25/U HC-35/HC-45 18 60 (80) 40 115 (130) 70 150 150 200 20 60 (90) 40 115 (150) 70 150 150 200 27 60 (90) 50 125 70 175 150 200
typische Ersatzdaten C0 C1 2 fF [1 fF] 5 7 pF [2 4 pF] 0,6 0,8 fF [0,4 fF] 0,3 0,4 fF [0,2 fF] 0,2 0,3 fF [0,1 fF] > > Q
4106 f /MHz 5106 f /MHz
Oberton 3 5 7 9
R1 20 [40 ] 40 [80 ] 100 [150 ] 150 [200 ]
Tabelle 3.2: Ersatzdaten von AT-Obertonquarzen.
Die dynamische Kapazitt C1 geht im Quadrat des Obertons n zurck: C1 ,typ 1 n2 (3.32)
Die Werte von R1 steigen an. Sie liegen typisch zwischen 20 und 200 . Daher sinkt die erreichbare Gte mit wachsender Frequenz. Mit steigender Frequenz stellt die statische Kapazitt C0 einen immer strkeren Nebenschluss fr den Quarz dar. Daher sollte die statische Kapazitt ab einer bestimmten Grenze grundstzlich durch eine Parallelspule mit der Induktivitt Lp = 1
2C 4 2 fs 0
(3.33)
kompensiert werden (fs siehe Gl. 3.35). Als Faustregel fr die Grenze gilt: C0 Kompensation, wenn |XC0 | < 5R1 , oder allgemein oberhalb von etwa 70 MHz.
3.5.2
Elektrische Eigenschaften
Ausgehend vom Ersatzschaltbild eines Schwingquarzes (Abb. 3.19) lsst sich die Resonanzfrequenz herleiten. C1 und L1 beschreiben die mechanische Resonanz, R1 die Dmpfung. Die Quarzankopplung durch zwei beidseitig der Quarzplatte aufgedampfte Metallchen verursacht eine nicht zu vernachlssigende Kapazitt, die durch C0 verkrpert wird. Wird R1 vernachlssigt, so ergibt sich die Impedanz Zq = 2 L1 C1 1 j C0 + C1 2 L1 C1 C0 (3.34)
wodurch eine Serien- und eine Parallelresonanz deniert werden knnen. Die Serienresonanzfrequenz ergibt sich durch Nullsetzen des Zhlers (Z q = 0): fs = 1 2 L1 C1 (3.35)
Fr den AT-Dickenschwinger ergibt sich so: fs = 1,67 MHz d/mm
151
Die Parallelresonanzfrequenz wird durch Nullsetzen des Nenners ermittelt (Z q = ): C1 C1 1 = fs 1 + (3.36) 1+ fp = C0 C0 2 L1 C1 Die Serienresonanz hngt nur von dem denierten Produkt L1 C1 ab, bei der Parallelresonanz geht dagegen die wesentlich schlechter denierte Elektrodenkapazitt C0 mit ein. Gleichzeitig liegt die Serienresonanzfrequenz unter der Parallelresonanzfrequenz. Soll die Resonanzfrequenz geringfgig gendert werden (ziehen), so kann das bei der Serienresonanz durch Serienschaltung einer Kapazitt Cs wie in Abb. 3.22 erfolgen, wodurch sich die neue Impedanz Z q ergibt: Z q = C1 + C0 + Cs 2 L1 C1 (C0 + Cs ) 1 jCs C0 + C1 2 L1 C1 C0 (3.37)
Cs
Abb. 3.22: Abgleich der Resonanzfrequenz mit einer Serienkapazitt.

Durch Umformen erhlt man daraus die neue Serienresonanzfrequenz fs zu
fs = fs
1+
C1 C0 + Cs
(3.38)
und unter der Voraussetzung C1 C0 + Cs mit einer Reihenentwicklung die vereinfachte Form
fs = fs 1 +
C1 2(C0 + Cs )
wobei fs fs fp
ist.
(3.39)
Damit ergibt sich die relative Frequenznderung bei Serienresonanz zu fs C1 = fs 2(C0 + Cs ) (3.40)
und die gezogene Serienresonanz rckt fr sehr kleine Werte Cs in die Nhe der Parallelresonanz. Cs erlaubt eine przise Einstellung der Schwingfrequenz. Die Parallelresonanz wird dabei nicht verndert.
152
3.5.3
Oszillatorschaltungen
Da fr die verschiedenen speziellen Anwendungsflle eine groe Zahl von Schaltungen existiert, wrde eine systematische Behandlung den Rahmen dieses Kapitels sprengen. Daher werden im folgenden nur drei typische Beispiele vorgestellt.
NF-Quarzoszillator
+20V 27k 10k
10mH
20kHz BC108 4k7 4k7 1
4n7
47n
Abb. 3.23: 20 kHz-Quarzoszillator (H-Biegeschwinger) mit Impedanztransformation.
Bei groen Werten von R1 im Ersatzschaltbild des Quarzes (Abb. 3.19) muss die Verstrkerstufe einen hohen Eingangswiderstand aufweisen. Dies kann beispielsweise wie in Abb. 3.23 durch Impedanztransformation geschehen.
Grundwellen-AT-Quarzoszillatoren (Parallelresonanz) Als Beispiel eines Colpitts-Oszillators ist in Abb. 3.24 eine Schaltung mit einer Darlingtonstufe gezeigt. Durch den hohen Eingangswiderstand knnen die Teilerkondensatoren C1 und C2 sehr hohe Kapazittswerte bekommen. Damit ist die Rckwirkung der Transistorstufe auf die Oszillatorfrequenz sehr klein. Die eektive Last- (Brde-) Kapazitt des Quarzes wird durch die Serienschaltung von C1 und C2 dargestellt. Um auf vernnftige Standardwerte (ca. 30 pF, typischer Bereich 1050 pF) zu kommen, wird in der Praxis eine Kapazitt dieser Grenordnung zum Abgleich der Oszillatorfrequenz in Reihe zum Quarz geschaltet.
153
+10V 68k 2N914 C1 100k C2 10k 1k 0,6Vss Frequenz C1 C2 470 pF 220 pF 100 pF 56
2N914
36 MHz 560 pF 615 MHz 560 pF 1530 MHz 220 pF
Abb. 3.24: Colpitts-Oszillator mit Darlingtonstufe fr AT-Grundtonquarze.
Oberton-AT-Quarzoszillatoren (Serienresonanz) Vorteilhaft ist eine Serienresonanzschaltung wie in Abb. 3.25 gezeigt. Die Dimensionierung von C1 und C2 erfolgt so, dass sich eine ausreichende Schleifenverstrkung ergibt. Diese wird auer durch den Quotienten C1 /C2 noch durch die Spannungsteilung aus Quarzwiderstand und Eingangsimpedanz am Emitter reduziert.
1n +12V IC R1 1n 2N918 2N2222 C1 11p R2 LP C2 LP = 1 2 s C0 RL L C1 (pF) C2 (pF) IC (mA) RE ( ) RL ( ) LP (H) 75 MHz 120 MHz 150 MHz 200 MHz 8 100 25 510 470 0,25 8 50 25 390 300 0,10 5 25 5 1,1 k 600 0,08 3 20 5 1,1 k 600 0,05
RE
Abb. 3.25: AT-Oberton-Quarzoszillator bis 200 MHz (Colpitts-Oszillator in Basisschaltung).
Bei der Auswahl der Transistoren gilt als Faustregel, dass die Transitfrequenz mindestens den zehnfachen Wert der Oszillatorfrequenz erreichen soll. Zu empfehlen sind darber hinaus Transistoren mit hoher Gleichstromverstrkung bei kleinem Basiswiderstand. Die Schwingfrequenz des Pierce-Oszillators liegt oberhalb von fs , da im Frequenzbereich fs < fr < fp der Quarz einen induktiven Blindwiderstand hat. Um unerwnschten Obertonschwingungen vorzubeugen, verwendet man die Pierce-Miller-Schaltung, die man erhlt, wenn man L1 der induktiven Dreipunktschaltung durch einen Quarz ersetzt.
154
3.6
Oszillatoren mit dielektrischem Resonator
Als Analogon zum Hohlraumresonator werden in den letzten Jahren vermehrt dielektrische Resonatoren eingesetzt. Es sind dies zylinderfrmige Scheiben aus einem hochpermittiven Material wie Bariumoxid-Titanoxid oder -Zirkonat mit r -Werten zwischen 5 und 150. blicherweise wird ein Material mit r 39 verwendet. Die unbelastete Gte liegt bei 7000 bis 10000 und ist damit etwa zehnmal kleiner als die Gte von Schwingquarzen. Abb. 3.26 zeigt das TE01 Feld (H01 ) eines dielektrischen Resonators. Der longitudinale Modenindex ( < 1) weist auf die Tatsache hin, dass das Feld auch in den Auenraum reicht.
Dipole Probe
TE10 Waveguide
Loop Probe
Magnetic Field
Resonator Microstrip Lines Dielectric Substrate

Abb. 3.26: Dielektrischer Resonator, Modell der elektrischen und magnetischen Felder der TE01 -Resonanz eines dielektrischen Resonators.
Ground Plane
3.6. OSZILLATOREN MIT DIELEKTRISCHEM RESONATOR
155
Die Ankopplung an den dielektrischen Resonator erfolgt im Allgemeinen magnetisch, wobei hier verschiedene Varianten bekannt sind.
3.6.1
a)
Einseitige Streifenleitungskopplung
Metallische Berandung z
b) Rr
Cr
Lr M Li
Tor1
Substrat Mikrostreifenleitung DR
Ci
Ri
Tor2
Abb. 3.27: Einseitige Ankopplung eines dielektrischen Resonators an eine Mikrostreifenleitung. a) Aufbau; b) Ersatzschaltbild.
Die Kopplung erfolgt durch das Magnetfeld der Mikrostreifenleitung. Das Ersatzschaltbild nach Abb. 3.27 kann in der Nhe der Resonanzfrequenz vereinfacht werden, so dass sich nur noch eine Kettenschaltung aus zwei gleich langen Leitungsstcken mit einer Phasenverschiebung und einer Resonanzersatzimpedanz ZT ergibt (Abb. 3.28).
ZT Tor 1 Tor 2
Abb. 3.28: Ersatzschaltbild in der Nhe der Resonanzfrequenz.
In der Nhe der Resonanzfrequenz 0 berechnet sich ZT zu: ZT = Q0 M2 1 , x = 2Q0 Lr 1 + jx Lr 0 1 mit Q0 = , 0 = Rr Lr Cr und M = Gegeninduktivitt
(3.41)
156 Bei der Resonanzfrequenz gilt mit x = 0: ZT = R = 0 Q0
M2 Lr
(3.42)
Die Leerlaufgte Q0 erfasst nur die Verluste im dielektrischen Resonator selbst. Deniert man bei der Resonanzfrequenz den Koppelfaktor = ZT ( = 0)/2Z0 , dann erhlt man fr die belastete Gte Qe = Q0 / Qe = 2Z0 Lr 0 M 2 (3.43)
Das Verhltnis Lr /M 2 kann mit Hilfe der sogenannten H/I -Methode bestimmt werden. Bei Verwendung dieser Methode wird zur Vereinfachung folgendes angenommen: Magnetfelder H resultieren ausschlielich aus dem Strom auf der Streifenleitung (Breite w , Dicke vernachlssigt) und dem Strom auf der Masseche, der ber der Breite 3w als konstant angenommen wird. Man erhlt schlielich: M2 2 = 2 0A Lr mit H I
2
(3.44) (3.45)
Hierbei bezeichnen hS die Substrathhe, d den Abstand zwischen Streifenleitung und Resonatormitte, L die Resonatorhhe und A diejenige Flche, innerhalb derer die magnetischen und elektrischen Felder als konstant angesehen werden knnen. Sie ergibt sich entweder durch Feldberechnung oder durch Abschtzung. Mit den berechneten Gren kann anschlieend die bertragungsfunktion des Zweitors (siehe Abb. 3.28) ermittelt werden: S11 = ZT /Z0 e2j 2 + ZT /Z0 2 e2j 2 + ZT /Z0 (3.46) (3.47)
H (d + w/2)2 + (L/2)2 1 (d + 3w/2)2 + (hS + L/2)2 = ln ln I (d w/2)2 + (L/2)2 3 (d 3w/2)2 + (hS + L/2)2
S21 =
Z0 ist der Wellenwiderstand der Streifenleitung.
3.6.2
DR-Bandpass-Filter in Microstrip
Zwei ber einen dielektrischen Resonator (DR) gekoppelte Mikrostreifenleitungen bilden ein Bandpasslter, dessen Mittenfrequenz mit der Resonanzfrequenz des Resonators bereinstimmt. Bei Verwendung mehrerer DR erhlt man mehrpolige DR-Filter.

Cr Rr
157
a)
Streifenleitung
Resonator
b) Lr
Lr
M1
M2
Abb. 3.29: Filter in Microstrip mit einem dielektrischen Resonator a) Aufbau; b) Ersatzschaltbild.
3.6.3
Resonanzfrequenz und Verstimmung
Die Resonanzfrequenz des dielektrischen Resonators ist eine Funktion des Verhltnisses seiner Hhe L zum Durchmesser D . Abb. 3.30 zeigt die Resonanzfrequenz fr Zylinder mit D = 16,5 mm und r = 83 als Funktion der Hhe L fr verschiedene Schwingungsmoden.
fr / MHz 5500 TM01 TM11 TE11 TE01
ein aus TMAnregung
4500
ein
aus TEAnregung
3500
Entartung mit HEM
TM11 TE11
2500
1500 0,2 5
0,4
0,6 10
0,8 15
1,0
1,2 20
1,4 25
1,6 L / D L / mm
Abb. 3.30: Resonanzfrequenzen eines dielektrischen Zylinders mit D = 16,5 mm und r = 83.
Vereinfacht gesagt ist die Resonanzfrequenz eine Funktion des elektrischen Durchmessers, wobei die Wellenlnge der Resonanzfrequenz etwa dem elektrischen Durchmesser gleichkommt. Eine exakte Analyse lsst sich nur durch rigorose Anwendung der Feldtheorie durchfhren, wobei Verlufe zum Beispiel wie in Abb. 3.30 zustandekommen. Gleichzeitig ist zur Resonanzfrequenzermittlung
158
die Umgebung zu bercksichtigen. Die Resonanzfrequenz ist abhngig vom Abstand des Resonators zur metallischen Berandung. Dieser Eekt kann auch zur gezielten Verstimmung der Resonanzfrequenz ausgenutzt werden. Dazu wird eine metallische oder dielektrische Schraube dem dielektrischen Resonator von oben genhert, wodurch sich Frequenzanhebungen oder -absenkungen ergeben.
9.5 f (GHz) 9.0 Qc 10000 Qc 8000
6000 L2 8.5 DR 4000 Substrat 2000 f 7.5 0 0 6
8.0
4 5 L2 (mm)
Abb. 3.31: nderung von Gte und Resonanzfrequenz des TE01 Modus durch einen metallischen Stempel im Abstand L2 .
Abb. 3.31 zeigt die Gte und Resonanzfrequenz des TE01 Modus eines Zylinders mit D = 8,3 mm, L = 3,41 mm und r = 38 als Funktion des Abstandes L2 eines metallischen Abstimmstempels. Beim Kauf dielektrischer Resonatoren muss darauf geachtet werden, dass die Resonanzfrequenz etwas niedriger gewhlt wird, da im Allgemeinen das Messverfahren des Herstellers in dieser Weise vom realen Fall abweicht. Als Richtwert kann etwa 15 % angenommen werden.
3.6.4
Oszillatorschaltungen mit dielektrischen Resonatoren
Der dielektrische Resonator kann grundstzlich auf zwei Arten zur Stabilisierung eingesetzt werden. Entweder liegt er am Eingang, d.h. im Rckkopplungszweig, und ist damit direkt frequenzbestimmend. In diesem Fall schwingt der Oszillator nicht ohne den Resonator. Ein Beispiel hierzu zeigt Abb. 3.32. Oder der
159
Resonator liegt am Ausgang und erzeugt durch seine bei Abweichung von der Resonanzfrequenz merkliche Serienimpedanz eine starke Reexion in den Oszillator (Abb. 3.33). Dieses Verfahren hat nur bei stark lastabhngigen Schaltungen Erfolg (Load-Pulling). Der Oszillator schwingt hier im Allgemeinen auch ohne Resonator. Die Abb. 3.32 und Abb. 3.33 zeigen mgliche Oszillatortypen fr beide Varianten.
L UD
DR
RL
Abb. 3.32: Oszillator mit dielektrischem Resonator am Eingang.
DR
Ausgang
GateVorspannung
Betriebsspannung
Abb. 3.33: Oszillator mit dielektrischem Resonator am Ausgang.
Kapitel 4 Frequenzvervielfacher
Frequenzvervielfacher werden zur Erzeugung hoher, stabiler Frequenzen von Quarzoszillatoren und zur Vergrerung von Phasen- und Frequenzhub in Senderschaltungen eingesetzt. Prinzipiell knnen alle nichtlinearen Bauelemente zur Vervielfachung verwendet werden. Nichtlineare Wirkwiderstnde (z.B. Schottky-Dioden) sind jedoch wegen ihres geringen Wirkungsgrades weniger gut geeignet als nichtlineare Reaktanzen. Nichtlineare Reaktanzen zum Beispiel Kapazittsdioden (Sperrschicht- oder Speichervaraktoren) erlauben im theoretischen Idealfall eine Umsetzung der gesamten bei der Grundschwingung zugefhrten Leistung in die Leistung einer bestimmten Oberschwingung. Nichtlineare Reaktanzen sind zum Beispiel Kapazittsdioden (Sperrschicht- oder Speichervaraktoren). Im Betrieb als Sperrschichtvaraktor wird der nichtlineare Verlauf der Sperrschichtkapazitt ausgenutzt, beim Speichervaraktor nutzt man die beim bergang vom Sperrbereich zum Flussbereich auftretende starke Nichtlinearitt. Der Speichervaraktor ist eine spezielle PINDiode und ist auch unter der englischen Bezeichnung step-recovery diode (SRD) oder snap-o diode bekannt. Fr Frequenzen bis etwa 50 GHz lassen sich auch im C-Betrieb nichtlinear arbeitende Transistorverstrker als Vervielfacher einsetzen. Bis 1 GHz werden dafr Si-Transistoren, bis 30 GHz GaAs- und darber HEMT-Transistoren verwendet. Die nachstehende Tabelle 4.1 fasst die wichtigsten Eigenschaften der hauptschlich verwendeten Vervielfachertypen zusammen. Am Beispiel eines idealisierten Speichervaraktors soll gezeigt werden, wie die Eigenschaften eines Frequenzvervielfachers theoretisch berechnet werden knnen. Abb. 4.1 zeigt die Kennlinie eines idealen Speichervaraktors. Der ideale Speichervaraktor mit Diusionsspannung UD = 0 hat die Kennlinie: 160
Tabelle 4.1: Eigenschaften hauptschlich verwendeter Frequenzvervielfachertypen.
Vervielfachungsfaktor n Speichervaraktor
Eingangsleistung P
Frequenzbereich nf0 f0 1/p nf0 20 GHz
Bemerkung
Nichlinearit at
Modellierung
n>4
P >1W
Untere Grenze: Lebensdauer der Minorit atstr ager.1) Obere Grenze: Abklingkonstante des bei Sperrspannung anliegenden Diusionsstroms.2) Die Eingangsleistung wird durch die Durchbruchsspannung begrenzt. geringe Durchbruchsspannung, kein Speicherbetrieb m oglich Arbeitspunkt im Sperrbereich (C-Betrieb), kurze Ausgangsimpulse
Umschalten Sperr-/ Flubereich
Blindwiderst ande Manly, Rowe: P (nf0 ) = P (f0 )
Sperrschichtvaraktor Schottkydiode Transistorverst arker

1)
n4 n<4
P <1W
nf0 > 10 GHz nf0 > 25 GHz nf0 < 50 GHz
Sperrschichtkapazit at
P < 0,1 W
Kennlinie
Wirkwiderst ande Page, Pantell: P (nf0 ) = P (f0 ) n2
n<4
P < 0,1 W
2)
Kennlinie
Rekombinationsverluste
Hystereseverluste
161
162
KAPITEL 4. FREQUENZVERVIELFACHER
q
q0 u t
u 1
C(u)
Cmin 2 t u
Kapazitt beim idealen Speichervaraktor
Abb. 4.1: Idealer Speichervaraktor mit Stromaussteuerung.
q = Cmin u u = 0
fu r fu r
u<0 q>0
(C = const.) (C = )
(4.1)
Die im Varaktor gespeicherte Ladung ist q (t). q (t) = q0 + 2q1 cos t + 2qn cos(nt + ) (4.2)
163 Wegen i = dq/dt iet kein Gleichstrom (i0 = 0). Fr den Vervielfacherbetrieb ist ein Stromgenerator mit der Kreisfrequenz vorzusehen. Das den Varaktor umgebende lineare Netzwerk muss folgende Eigenschaften aufweisen (hierbei wurde sin t = (ejt ejt )/2j verwendet):
i0k i0 =0
i0k = Y0 u0
Y0 u0
(4.3)
Biasgleichstrom (Diodenvorstrom)
i1k
i1
Y1
u1
i1k = j q1 + Y1 u1 Grundwelle
(4.4)
in
Yn
un
0 = j n qn + Yn un (4.5) n-te Oberwelle
im = 0
im = 0
um m=n
(4.6)
Leerlauf fr alle anderen Frequenzen Die Spannungen bei den verschiedenen Frequenzen werden aus der FourierEntwicklung von u(t) = u(q (t)) bestimmt. 1 uk = 2Cmin
2
[q0 + 2q1 cos t + 2qn cos(nt + )] ejkt d(t)

1
(4.7)
164
Der Stromusswinkel = 2 1 ist deniert durch die Nulldurchgnge von q (t): 0 = q0 + 2q1 cos t + 2qn cos(nt + ) (4.8)
Damit sind alle Gren in den Gleichungen Gl. 4.3 bis Gl. 4.6 bekannt. Der Wirkungsgrad des Vervielfachers = Pn /P1 mit 1 P1 = |i1 |2 /Re{Y1 }, 2 kann angegeben werden. Fr eine fundierte Betrachtung ist die in Abb. 4.1 angenommene Kennlinie zu einfach. Beim Speichervaraktor treten Verluste durch den Bahnwiderstand auf. Die endliche Lebensdauer p der whrend der Flussphase in das Bahngebiet injizierten Minorittstrger fhrt zu Rekombinationsverlusten. Diese bewirken einen Gleichstrom i0 durch die Diode. Um die Verluste gering zu halten, muss die Periodendauer des HF-Signals klein gegen p sein, also f0 1/p . Bei der Herstellung von Speichervaraktoren ist man bemht, eine mglichst groe Lebensdauer zu erreichen: Man verwendet Silizium mit 0,1 s < p < 1 s. GaAs ist wegen p 1 ns nicht geeignet. Der Spannungsabfall des Rekombinations-Gleichstroms an einem Widerstand kann zur Einstellung des Arbeitspunktes q0 bzw. des Stromusswinkels verwendet werden. Zum Zeitpunkt des Umschaltens der Diode in den Sperrbereich ist die Minorittstrgerladung noch nicht voll abgebaut. Daher iet bei anliegender Sperrspannung ein Diusionsstrom, der mit einer Zeitkonstanten D abklingt und zu sogenannten Hystereseverlusten fhrt. Um den Einuss dieser Verluste gering zu halten, muss die HF-Periode gro gegen D sein, also f0 1/D . Werden bei der Berechnung des Vervielfachers statt Gl. 4.1 kompliziertere Funktionen, die die genannten Verlustmechanismen bercksichtigen, verwendet, dann muss das Fourierintegral Gl. 4.7 im allgemeinen numerisch gelst werden. Es zeigt sich auch, dass der Wirkungsgrad erhht werden kann, wenn Strme nicht nur auf der Grundfrequenz und deren gewnschten Vielfachen n, sondern auch auf anderen Vielfachen l zugelassen werden. In der Praxis wird dies durch Serienschwingkreise (sogenannte Idler-Kreise, Hilfskreise) erreicht. Das Gleichungssystem Gl. 4.3 Gl. 4.7 muss also um
il
1 Pn = |in |2 /Re{Yn } 2
(4.9)
Yl
ul
l=n
0 = j l ql + Yl ul l-te Oberwelle
(4.10)
165 erweitert werden, wobei ul wieder analog Gl. 4.7 aus dem Fourierintegral berechnet wird. Idler-Kreise sind insbesondere wichtig fr Vervielfacher mit Sperrschichtvaraktoren, deren Sperrschichtkapazitt den Verlauf C (u) = C0 /(1 + u/UD )1/2 aufweist. Ohne Idler-Kreise wre mit diesen Bauteilen nur Verdopplung mglich. Theoretische Untersuchungen haben auch gezeigt, dass der Wirkungsgrad vom Stromusswinkel abhngt. In der Literatur (Schnemann und Schiek, 1968) ndet man Angaben ber die bentigte Anzahl der Idler-Kreise, gnstigen Stromusswinkel und den erreichbaren Wirkungsgrad. Die in Abb. 4.2 dargestellte Schaltung zeigt ein typisches Beispiel fr einen praktischen Vervielfacher (n = 6).
C4 Eingangsanpassung C1 C2 C3 L2 L1 Eingang 1n Diodenvorstrom (Bias) 50k Speichervaraktor

Abb. 4.2: Prinzipschaltbild eines Vervielfachers (n = 6) mit 2 Idler-Kreisen und Speichervaraktor.
IdlerKreis 1 L3 L5 L4 IdlerKreis 2 C5 Filter
Ausgang
10k
C1 , C2 , C3 und L1 , L2 passen den Generator mit 50 Innenwiderstand an den Varaktor an. C4 , L3 und C5 , L4 bilden Idler-Kreise. Das Bandpasslter unterdrckt unerwnschte Vielfache (n = 6). Der Arbeitspunkt und damit der Stromusswinkel wird mit dem 50 k Trimmer eingestellt. Durch geeignete Abschirmmanahmen sind alle Induktivitten voneinander entkoppelt. Beim Hintereinanderschalten von mehreren Vervielfachern ist auf Entkopplung zwischen den einzelnen Stufen zu achten. Dies kann z.B. durch Richtungsleitungen erreicht werden.
166
Mit Schottkydioden als Sperrschichtvaraktor lassen sich Ausgangsfrequenzen von ber 100 GHz erreichen. Die Eingangsleistung ist wegen der geringen Durchbruchspannung begrenzt. Obwohl prinzipiell kein Speicherbetrieb mglich ist (der Minorittstrgerstrom verschwindet im Durchlassbetrieb), wird die Schottkydiode bei praktischen Anwendungen in den Durchlassbereich ausgesteuert. Abb. 4.3 zeigt schematisch den Aufbau eines Verdopplers. Mit dieser Konstruktion wurde bei einer Ausgangsfrequenz zwischen 80 und 120 GHz mit einer Steuerleistung von 70 mW im Bereich von 40 bis 60 GHz ein Wirkungsgrad von 10 % erreicht. Die gezeigte Konstruktion wird als crossed waveguide Verdoppler bezeichnet, da die Rechteckhohlleiter fr das Eingangssignal (in Abb. 4.3 als Pumpsignal bezeichnet, WR-15: 3.76 x 1.88 mm2 ) und fr das Ausgangssignal (WR-8: 3.01 x 1.55 mm2 ) rechtwinklig zueinander angeordnet sind. Die Hhe des Ausgangshohlleiters ist im Kopplungsbereich verringert. Beide Hohlleiter sind an ihren Enden mit Kurzschluss-Schiebern versehen. Der Tiefpass in Streifenleitungstechnik auf Quarzsubstrat verhindert, dass Signalanteile mit der doppelten Frequenz in den Eingangshohlleiter gelangen. Die Diodenvorspannung wird ber einen Bonddraht, der mit einem Durchfhrungskondensator und einer /4-Leitung gegen HF abgeblockt ist, dem Tiefpasslter und schlielich der Diode zugefhrt.
167
Abb. 4.3: Oben: Isometrische Zeichnung eines crossed waveguide Verdopplers mit Schottky-Varactor-Diode fr Ausgangsfrequenzen zwischen 80 und 120 GHz. Unten: Details des Tiefpasslters in Streifenleitungstechnik, der Diodenkontaktierung und der Vorspannungszufhrung (Bias). Alle Mae sind in mm angegeben.
Kapitel 5 Mischer
5.1 Allgemeines
Unter Mischung versteht man im Allgemeinen das Verschieben eines Signals oder einer Nachricht auf der Frequenzachse unter Zuhilfenahme eines sogenannten Lokaloszillatorsignals (LO-Signal). Hierfr wird grundstzlich ein nichtlineares Bauelement bentigt. Beim Mischprozess treten Signale in drei verschiedenen Frequenzbereichen auf: Der Frequenzbereich des auf der Frequenzachse zu verschiebenden Signals fe , des LO-Signals fLO und derjenige des sich ergebenden Mischproduktes fZF (ZF = Zwischenfrequenz, engl. IF = Intermediate Frequency). In der Literatur wird das LO-Signal oft als Pumpsignal bezeichnet, da es das nichtlineare Mischbauelement aussteuert. (Siehe auch Kap. 2.2.3, Parametrischer Verstrker.) Abb. 5.1 zeigt zwei Schaltzeichen, die fr Mischer verwendet werden. Links ist das Zeichen zu sehen, wie es in der Norm DIN EN 60617-10 enthalten ist. In der Literatur ndet man aber berwiegend das aus dem angelschsischen Sprachraum kommende Symbol auf der rechten Seite.
nach DIN EN 6061710: vorwiegend im engl. Sprachraum:
fe
fZF
fe
fZF
fLO
Abb. 5.1: Schaltzeichen fr Mischer.
fLO
168
5.1. ALLGEMEINES
169
5.1.1
Unterscheidung der Mischer nach der Frequenzlage

Mischung in Gleichlage fZF = fe Mischung in Kehrlage fZF = fe P
Abwrtsmischung fZF < fe
fZF fZF = fe nfLO P
nfLO
fe
fZF fZF = nfLO fe P
fe
nfLO
Aufwrtsmischung fZF > fe
fe fZF = fe + nfLO
nfLO fZF
fe fZF = nfLO fe
fZF nfLO
Abb. 5.2: Unterscheidung der Mischer nach der Frequenzlage.
Abb. 5.2 zeigt die mglichen Kombinationen der bei der Mischung beteiligten Frequenzen nach der Frequenzlage unterschieden. Anstatt einer einzelnen Frequenz fe ist ein Spektrum um fe gezeichnet, in dem die niederen Spektralanteile kleine und die hohen Spektralanteile groe Leistungsanteile haben. Bei dieser Darstellung kann die Umkehrung des Spektrums bei der Mischung in Kehrlage in der resultierenden ZF-Ebene einfach gezeigt werden. Um auch bei sehr hohen Frequenzen das Prinzip der Mischung anwenden zu knnen, wird die Nichtlinearitt des Mischelements zustzlich zur Vervielfachung des LO-Signals verwendet. Der Vervielfachungsfaktor n ist ganzzahlig: n = 1, 2, 3, . . . Gilt n = 1, dann spricht man von Grundwellenmischung; bei n > 1 von Oberwellenmischung, der hierzu verwendete Mischer wird als Oberwellenmischer bezeichnet (engl. Lit.: harmonic mixer). Oberwellenmischer werden zu diesem Zweck bei der Fertigung auf einen bestimmtem Vervielfachungsfaktor hin optimiert. Aufwrtsmischung verwendet man meistens um aufwndig modulierte niederfrequente Signale in einen hherfrequenten Bereich zu verschieben (z.B. in Steuersendern) und in Spektralanalysatoren bis ca. 2 GHz.
170
KAPITEL 5. MISCHER
Abwrtsmischung wird in berlagerungsempfngern (SuperheterodynEmpfnger) benutzt, um z.B. komplizierte Filterungs- und Signalverarbeitungsverfahren bei besser handhabbaren Frequenzen durchfhren zu knnen.
5.1.2
Weitere Unterscheidungskriterien
Nach dem verwendeten nichtlinearen Element: Zum Mischen knnen nichtlineare Wirkwiderstnde oder nichtlineare Blindwiderstnde verwendet werden. In den praktischen Konstruktionen liegt zwar im Allgemeinen eine Kombination von beiden vor, jedoch ist immer entweder der Wirk- oder der Blindanteil dominierend. Mischung mit Wirkwiderstnden liegt vor, wenn Dioden oder Transistoren in den nichtlinearen Bereich ihrer Kennlinie ausgesteuert werden. Nichtlineare Aussteuerung von Varaktoren bedeutet Mischung an einem Blindwiderstand. Nach der Steuerung: Hierbei wird wiederum unterschieden zwischen der Erzeugung des LOSignals: Selbstschwingende Mischstufe: Ein und dasselbe Bauteil wird gleichzeitig zur Erzeugung des LO-Signals und zur Mischung benutzt. Fremdgesteuerte Mischstufe: Das LO-Signal wird von einer (externen) Baugruppe erzeugt und dem Mischer zugefhrt. Und der Zusammenfhrung der Eingangssignale: Multiplikative Mischung: Eingangssignal und LO-Signal liegen an verschiedenen Klemmenpaaren desselben Bauteils an (z.B.: DoppelgateMOSFET). Additive Mischung: Eingangs- und LO-Signal liegen am selben Klemmenpaar des nichtlinearen Bauteils an. Nach Art des Mischelements: Aktive Mischer: Werden verstrkend wirkende Bauteile, wie z.B. Transistoren als Mischelemente verwendet, so kann diese Eigenschaft neben der Mischung ausgenutzt werden. Mischer die das Ausgangssignal gleichzeitig noch verstrken bezeichnet man daher als aktive Mischer. Aktive Mischer bentigen zustzlich eine Versorgungsspannung. Passive Mischer: Passive Mischer wirken nicht verstrkend auf das Ausgangssignal. Typische Vertreter sind Dioden- und Varaktor-Mischer. Dieser Typ Mischer bentigt keine Versorgungsspannung. Eine Vorspannung (Bias-Spannung) kann den Mischer in einem optimalen Teil
5.1. ALLGEMEINES
171
der nichtlinearen Kennlinie betreiben; diese Spannung ist keine Versorgungsspannung in diesem Sinn.
5.1.3
Kombinationsfrequenzen
Im allgemeinen Fall entstehen bei Aussteuerung eines nichtlinearen Bauelementes mit Signalen unterschiedlicher Frequenz kompliziertere Spektren als in Abschnitt 5.1.1 dargestellt. Die Kennlinie eines zum Mischen verwendeten Bauelementes, z.B. ein nichtlinearer Wirkleitwert, kann in eine Taylorreihe entwickelt werden: i(u) = Gk u k
k =0
(5.1)
Am Ausgangstor erhlt man allgemein Signale mit den Frequenzen: fZF = | mfe nfLO | m, n = 0, 1, 2, . . . (5.2)
Die Anzahl der mglichen Frequenzen ist nur dann beschrnkt, wenn die hchste Potenz der Reihe (Gl. 5.1) beschrnkt ist. Verzerrungsfreies verschieben eines Signals auf der Frequenzachse ist nur fr m = 1 mglich (Linearittsbedingung). In praktisch ausgefhrten Mischern werden Hoch-, Tief- und Bandpsse kombiniert, um das Spektrum der Kombinationsfrequenzen aus Gl. 5.2 einzuschrnken. Man erhlt als Ergebnis die in Abschnitt 5.1.1 dargestellten Verhltnisse.
5.1.4
Leistungsbeziehungen von Manley und Rowe
An einer verlustlosen hysteresefreien Kapazitt (Varaktor) wird die gesamte umgesetzte Wirkleistung zu Null. Wird eine solche Kapazitt von zwei Signalen mit verschiedenen Frequenzen ausgesteuert, entstehen Kombinationsfrequenzen nach Gl. 5.2 mit den jeweiligen Teilleistungen Pm,n bei den Kreisfrequenzen m,n = me + nLO . Es gilt: P =

Pm,n = 0
(5.3) (5.4)
m= n=
1 Pm,n = Re im,n u m,n 2
Pm,n = Pm,n
An einer Kapazitt gilt P00 = 0 (kein Gleichstrom). Umformen von Gl. 5.3 ergibt die Manley-Rowe Beziehungen:

m= n=0
nPm,n =0 , me + nLO
mPm,n =0 me + nLO m=0 n=
(5.5)
172
KAPITEL 5. MISCHER
Unter der Voraussetzung, dass Strme mit der Frequenz |e LO | nicht durch die nichtlineare Kapazitt ieen knnen (diese Bedingung kann durch Schaltungsmanahmen sicher gestellt werden), gilt fr einen Aufwrtsmischer in Gleichlage: P0,1 P1,1 + =0 , LO e + LO P1,0 P1,1 + =0 e e + LO (5.6)
Mit den Bezeichnungen aus Abschnitt 5.1.1 gilt: P0,1 = PLO ist die Leistung des LO-Signals, P1,1 = PZF ist die Leistung des bei der Zwischenfrequenz entnommenen Signals e + LO = ZF und P1,0 = Pe ist die Leistung des Eingangssignals. Entspricht Pe der verfgbaren Leistung des Eingangssignals, dann kann die maximal verfgbare Leistungsverstrkung Gmax des Aufwrtsmischers deniert werden; fr die mit der rechten Gl. 5.6 folgt: Gmax = PZF fZF = >1 Pe fe fZF PZF = <1 Pe fe (5.7)
Eine entsprechende Betrachtung fr den Abwrtsmischer in Gleichlage ergibt: Gmax = (5.8)
Whrend ein Aufwrtsmischer in Gleichlage unter den eingangs genannten Voraussetzungen Verstrkung ermglicht (siehe Kapitel 2.2.3, Parametrischer Verstrker), ergibt sich beim Abwrtsmischer ein Leistungsverlust. Wird z.B. m = 0 gesetzt, dann knnen die Manley-Rowe Leistungbeziehungen auch auf Vervielfacher des LO-Signals mit verlustlosen hysteresefreien Reaktanzen angewendet werden. Mittels der linken Gl. 5.6 erhlt man: P (n ) = P ( ) (5.9)
5.1.5
Leistungsbeziehungen von Page und Pantell
Voraussetzung: Es wird ein nichtlinearer Wirkleitwert betrachtet. Dieser ist durch eine eindeutige Funktion beschreibbar. Der dierentielle Leitwert ist nicht negativ. Fr die an diesem Bauteil bei den Kreisfrequenzen m,n = me + nLO umgesetzten Wirkleistungen Pm,n gelten folgende Beziehungen:

Page:
m= n=
Pm,n (me + nLO )2 0
(5.10)
Pantell:
m=0 n=
m2 Pm,n 0 n2 Pm,n 0
(5.11)
(5.12)
m= n=0
5.2. MISCHER MIT GESTEUERTEM WIRKLEITWERT
173
Fr den Fall, dass bei den Frequenzen e und LO Leistung zugefhrt und nur bei einer Kombinationsfrequenz ZF = m1 e + n1 LO die Leistung PZF entnommen wird, erhlt man fr den maximalen Wirkungsgrad: max = PZF 1 = P1,0 + P0,1 (|m1 | + |n1 |)2 (5.13)
(siehe hierzu: Zinke, Brunswig, Lehrbuch der HF-Technik, Band 2, Kap. 11) Fr Frequenzvervielfacher (m = 0) mit nichtlinearem Wirkwiderstand folgt daraus P (n ) P ( )/n2 (5.14)
5.2
Mischer mit gesteuertem Wirkleitwert
Es wird ein Bauteil mit der Kennlinie i = f (u), z.B. eine Diode, betrachtet. Dieses Bauteil ist auf folgende Weise in ein lineares zeitinvariantes Netzwerk eingebettet:
i(t) lineares zeitinvariantes Netzwerk u(t)
Abb. 5.3: Einbettung der Mischdiode im linearen Netzwerk.
Das lineare Netzwerk enthlt Generatoren bei den Kreisfrequenzen = 0 (Bias), = e und = LO , sowie einen Verbraucher bei = ZF . Ein Netzwerk mit diesen Eigenschaften kann im Prinzip durch eine Serienschaltung von Parallelschwingkreisen erreicht werden (Abb. 5.4). Es wird vorausgesetzt: PLO Pe und PLO PZF . Dies bedeutet, dass bei der Aussteuerung durch das LO-Signal uLO (t) die volle Nichtlinearitt bercksichtigt werden muss. Dagegen kann die Kennlinie fr die Kleinsignalaussteuerung bei den Kreisfrequenzen e und ZF mit einer Taylor-Reihenentwicklung linearisiert werden. Als Ergebnis erhlt man eine Kleinsignalentwicklung mit zeitabhngigem Arbeitspunkt (so genannter parametrischer Ansatz, bzw. Kleinsignal-GrosignalNherung):
jLO t i(t) = i (u (t)) = i u0 + uLO ejLO t + u + LO e j e t jZF t + G(t) ue eje t + u + uZF ejZF t + u ee ZF e
(5.15)
174
u0 =0
KAPITEL 5. MISCHER
i(t)
=e iek Ge ue
=
u(t) uLO uZF
G0 GZF =LO =ZF
Abb. 5.4: Prinzipschaltbild einer Diodenmischstufe.
mit dem Momentanleitwert G(t) = G (uLO (t)) = wobei Gn 1 = 2
di du
u0 +2Re{uLO ejLO t } =
n=
Gn ejnLO t (5.16)
di du
G n = G n
u0 +2Re{uLO ejLO t }
ejnLO t d (LO t)
(5.17) (5.18)
da G(t) reell
Die Schaltung in Abb. 5.4 lsst nur Strme bei den Kreisfrequenzen = 0, = e , = LO und = ZF zu. Die Summe in Gl. 5.16 hat daher nur eine beschrnkte Anzahl von Gliedern. Im folgenden werden die Strme bei = e mit e = ZF n1 LO und = ZF mit ZF = e + n1 LO betrachtet (n1 fest gewhlt). Dies entspricht einem Mischer in Gleichlage.
j e t ie eje t = G0 ue eje t + G n1 uZF e jZF t jZF t iZF e = G0 uZF e + Gn1 ue ejZF t
(5.19)
Dies fhrt auf die Konversionsmatrix in Gl. 5.20 und auf das in Abb. 5.5 gezeigte Ersatzschaltbild. ie iZF = G0 G n1 Gn 1 G0 ue uZF (5.20)
5.2. MISCHER MIT GESTEUERTEM WIRKLEITWERT

ie iek Ge ue G0
abgestimmt auf e
175
iZF
uZF G* n uZF
1
Gn 1 ue
G0
abgestimmt auf ZF
GZF
Abb. 5.5: Kleinsignalersatzschaltbild fr den Mischer in Gleichlage.
Fr einen Mischer in Kehrlage erhlt man: ie i ZF = G0 Gn 1 G G0 n1 ue u ZF (5.21)
Die Amplitude der Pumpschwingung (uLO ) tritt nicht explizit in Erscheinung. Sie bestimmt jedoch die Gre der Matrixelemente Gn . Unter dem bertragungsgewinn GT (Betriebsleistungsverstrkung) eines Mischers versteht man das Verhltnis aus der an den Lastleitwert abgegebenen Leistung PZF = GZF |uZF |2 /2 zur verfgbaren Leistung der Signalquelle Pev = |iek |2 /(8Ge ). GT = PZF uZF = 4Ge GZF Pev iek
2
(5.22)
Aus dem Kleinsignalersatzschaltbild entnimmt man: ie = iek ue Ge iZF = uZF GZF (5.23)
Einsetzen von Gl. 5.23 in die Konversionsmatrix Gl. 5.20 ergibt fr den bertragungsgewinn des Mischers in Gleichlage: GT = 4Ge GZF |Gn1 |2 [(G0 + Ge )(G0 + GZF ) |Gn1 |2 ]2 (5.24)
Fr Leistungsanpassung muss GZF gleich dem ausgangsseitigen Innenleitwert GZFi der Schaltung in Abb. 5.5 sein, also GZF = GZFi = G0 | Gn 1 | 2 G0 + Ge (5.25)
176
KAPITEL 5. MISCHER
Aus Gl. 5.24 erhlt man damit den verfgbaren Leistungsgewinn: GA = Ge | Gn 1 | 2 (G0 + Ge ) [G0 (G0 + Ge ) |Gn1 |2 ] (5.26)
Der Misch- oder Konversionsverlust L ergibt sich aus L = 1/GA und ist unabhngig vom Lastleitwert GZF . Analog kann Leistungsanpassung am Eingang gefordert und der maximal verfgbare Leistungsgewinn Gmax = 1/Lmin berechnet werden. Gmax lsst sich im Allgemeinen nur errechnen, wenn fr den Mischer die Stabilittsbedingungen G0 0 2 G2 | G 0 n1 | 0 (5.27)
erfllt sind. Sind die Bedingungen Gl. 5.27 erfllt, ist der Mischer fr beliebige Abschlsse auf der ZF- oder Eingangsfrequenz stabil. Gl. 5.27 ist immer erfllt, wenn die Steigung der Kennlinie i = f (u) im Bereich der Aussteuerung positiv ist. GT ist dann kleiner als 1. Dies ist bei den blichen Mischdioden immer der Fall, nicht jedoch bei Tunneldioden (vgl. Kapitel 3.2.1).
5.3
Verallgemeinerte Konversionsmatrix
In Wirklichkeit entstehen bei Mischprozessen viel mehr Kombinationsfrequenzen, als im vorherigen Abschnitt 5.2 angenommen wurde. Man muss davon ausgehen, dass jedes neu erzeugte Mischprodukt sogleich wieder am Mischprozess teilnimmt. Darber hinaus wird jeder spektrale Anteil im nichtlinearen Element auch noch vervielfacht, sofern dessen Amplitude gro genug ist. Aus einem Frequenzpaar f1 und fLO knnen somit theoretisch unendlich viele Frequenzen erzeugt werden: mf1 + nfLO , wobei n und m positive und negative ganze Zahlen inklusive null sind. Nimmt man an, dass die Leistungsanteile bei f1 so klein sind, dass sie keine Harmonischen erzeugen und dass die Lokaloszillatorquelle ein groes sinusfrmiges Signal mit der Frequenz fLO einprgt, dann sind die Mischfrequenzen f = f1 + nfLO . Das Spektrum der Signale ist in Abb. 5.6 gezeigt. Dick ausgezogen ist die Zweitonaussteuerung, dnn ausgezogen das beabsichtigte Mischprodukt f0 und gestrichelt die zustzlich auftretenden Mischprodukte. Positive und negative Frequenzanteile sind jeweils konjugiert komplexe Paare, so dass es gengt nur einen Anteil davon zu berechnen. Dieser Umstand vereinfacht die mathematische Formulierung erheblich. Das Spektrum der Kleinsignalanteile kann nun folgenderweise formuliert werden: fn = f0 + nfLO , n = 0, 1, 2, . . . , N (5.28)
5.3. VERALLGEMEINERTE KONVERSIONSMATRIX

U(f) I(f)
177
-2fLO
-fLO
-f0 0 f0
fLO f1
2fLO
Abb. 5.6: Spektrum der am nichtlinearen Element anliegenden Frequenzen.
Mit dem Spektrum der Grosignalanteile nfLO erhlt man die in Abb. 5.7 dargestellten Verhltnisse:
U(f) I(f)
(5.29)
2fLO f2
fLO f1
0 f0
fLO f1
2fLO f2
Abb. 5.7: Spektrum der Mischfrequenzen nach der Notation von Gl. 5.28 und Gl. 5.29.
Die Kleinleistungsanteile der einzelnen Frequenzen hngen sehr stark von den Eigenschaften des nichtlinearen Elements ab. Um diese Abhngigkeiten mathematisch formulieren zu knnen, fhrt man die so genannte verallgemeinerte Konversionsmatrix ein. Eine Skizze ihrer Herleitung soll im folgenden dargelegt werden: Die Kleinsignalspannungen und -strme knnen in der Frequenznotation aus Gl. 5.28 so dargestellt werden: u (t) =
m=
Um ej2fm t Ik ej2fk t
(5.30) (5.31)
i (t) =
k =
Die gestrichenen Gren u (t) und i (t) sollen andeuten, dass es sich hierbei um die Summe von positiven (fr > 0) und negativen (fr < 0) komplexen
178
KAPITEL 5. MISCHER
Amplituden handelt. D. h. es handelt sich nicht um eine Fourierzerlegung auch wenn es der Form danach aussieht. Der zeitabhngige Wirkleitwert des nichtlinearen Elements, welches von der LOQuelle ausgesteuert wird, kann durch seine Fourierzerlegung dargestellt werden (Gl. 5.16): G(t) =
n=
Gn ejn2fLO t
(5.32)
Die Spannungen und Strme in dem nichtlinearen Element folgen dem Ohmschen Gesetz: i (t) = G(t)u (t) (5.33) Setzt man die Gleichungen 5.30 bis 5.32 in Gl. 5.33 ein, erhlt man:
k =
Ik e
j2fk t
Gn Um ej2fm+n t
(5.34)
Rechnet man diese Gleichung aus, erhlt man Terme die sich in Matrizenschreibweise bersichtlicher schreiben lassen: UN G0 G 1 G2 G2N IN IN +1 G1 G0 G1 G2N +1 UN +1 IN +2 G2 G G G 1 0 2N +2 UN +2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I1 = GN 1 GN 2 GN 3 GN 1 U1 (5.35) GN 1 GN 2 GN U0 I0 GN GN GN 1 GN +1 U1 I1 GN +1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . UN G2N G2N 1 G2N 2 G0 IN Die seltsam anmutende Nummerierung der Matrizenelemente (U und I jeweils von N bis N und G von 2N bis 2N ) ergibt sich aus der Tatsache, dass man nur eine beschrnkte Anzahl von unendlich vielen erzeugten Frequenzen betrachtet.
n= m=
Um eine vollstndige Analyse durchfhren zu knnen, mssen zustzlich die Blindanteile des nichtlinearen Elements bercksichtigt werden. Analog zu Gl. 5.34 kann fr aussteuerungsabhngige Kapazitten ber den Zusammenhang der Ladungsnderung im Kondensator zum Stromuss, folgende Summe hergeleitet werden:
k =
Ik e
j2fk t
j2fm+n Cn Um ej2fm+n t
(5.36)
n= m=
Die Matrizendarstellung zeigt, dass nur die Hauptdiagonale besetzt ist.
5.4. SCHALTUNGSTECHNIK VON MISCHERN
179
Addiert man die Matrizen der Wirk- und Blindleitwerte erhlt man die gesamte Konversionsmatrix: IN . . . I0 . . . IN
0 B B B B B B B B B B B B B B B B @
8 0 C > > C > B C > > B > C > B > C > B C > > > B C > < B C C= B B C > B C > B > C > B C > > B C > > B > C > > @ C > > A :
Y N 0 0 YN +1 0
0 Y N 1 YN
1 0 C B C B C B C B C B C B C B C+ B C B C B C B C B C B A @
G0 G2N G2N G0
9 1 0 > > > > C B > > C B > C > B > C > B > C > B > = C B C B C B C B > > C B > > C B > > C B > > C B > > > A @ > > ;
UN UN
1 C C C C C C C C C C C C C A
(5.37)
oder kurz: Nach U aufgelst erhlt man I = {Y + G}U (5.38)
U = {Y + G}1 I = Z I
(5.39)
5.4
Schaltungstechnik von Mischern
Abhngig von der Anwendung gibt es verschiedene Mglichkeiten der schaltungstechnischen Realisierung von Mischern. Dieses kann sich einerseits in der Art der Verschaltung der Mischelemente uern. Andererseits hngt aber die uere Beschaltung vom Einsatzfrequenzgebiet ab. Bei niedrigen Frequenzen bis in den unteren GHz-Bereich werden oft Spulen-bertrager eingesetzt. Zu hheren Frequenzen hin ndet man zunehmend Streifenleiterschaltungen mit Kopplern anstatt bertragern. Im mm-Wellenbereich herrschen nach wie vor Mischer in Hohlleiter- und Flossenleitertechnik vor. Der folgende Abschnitt stellt einige wichtige Vertreter von Mischerschaltungen vor. Es wird jeweils immer mindestens eine Schaltungsrealisierung in bertragertechnik und in Streifenleitertechnik gezeigt. Am Ende wird ein Realisierungsbeispiel eines mm-Wellenmischers dargestellt.
5.4.1
Eintaktmischer
Eintaktmischer (auch Ein-Dioden-Mischer, engl. single-diode-mixer, unbalanced mixer) sind sehr einfach aufgebaut und knnen oft mit einfachen Laborkomponenten improvisiert werden. Neben der oft unzureichenden Entkopplung zwischen LO- und Signaleingang, fhrt das Amplituden- und Seitenbandrauschen des LOSignals zu unerwnschten Mischprodukten in der Nhe der Zwischenfrequenz (Siehe hierzu die Vorlesung ber Mikrowellen-Messtechnik). Ein weiterer Nachteil der Eintaktmischer ist, dass sie die von den Eingngen gelieferte Leistung
180
KAPITEL 5. MISCHER
nicht voll ausntzen. Abhilfe schaen hier Mischer, die im Gegentakt betrieben werden. Die Schaltung eines einfachen Eintaktmischers fr tiefe Frequenzen ist in Abb. 5.8 gezeigt. Die Eingangs- und LO-Signale werden ber Bandlter der Mischdiode zugefhrt. Ebenso wird die im Mischer erzeugte Zwischenfrequenz ber ein Bandlter entnommen. Die Entkopplung der Signale untereinander kann nach dieser Methode breitbandig so gut wie gar nicht und schmalbandig nur sehr schlecht gewhrleistet werden. Da das LO-Signal mit relativ hohem Pegel am Mischer anliegt ist ein bersprechen an den Ein- und Ausgang und damit unter Umstnden in andere Teile der Schaltung zu erwarten.
Eingangskreis ZFKreis
iek
Ge
GZF
GLO iLO
Abb. 5.8: Schaltung eines einfachen Eintaktmischers.
LOKreis
Ein Prinzipschaltbild fr den Mikrowellenbereich zeigt Abb. 5.9. Eingangssignal und LO-Signal werden mit Hilfe eines Kopplers zusammengefhrt, wobei es auf die spezielle Art des Kopplers nicht ankommt. Die Bandbreite des Mischers entspricht im wesentlichen der des verwendeten Kopplers.
5.4.2
Gegentaktmischer
Gegentaktmischer, auch Zwei-Dioden Mischer (engl. single balanced mixer, twodiode mixer) vermeiden einige der beim Eintaktmischer genannten Probleme. Mit einer geschickten Verschaltung zweier Dioden und entsprechender Ansteuerung kann eine Entkopplung des LO- und des ZF-Ausgang-Tores erreicht werden. Die Dioden werden dabei einmal von der Summe und einmal von der Dierenz der beiden Eingangssignale angesteuert. Abb. 5.10 zeigt das Schaltungsprinzip. Diese Art der Zusammenschaltung nennt man Dierentialbertrager. Die Ein-

LO
181
Ausgangs signal, ZF Eingangs signal Hoch pass Tief pass
Diode
Abb. 5.9: Prinzipschaltbild eines einfachen Eintaktabwrtsmischers.
D1 uLO +ue uLO ue uLO ue D2

Abb. 5.10: Dierentialbertrager im Gegentaktmischer.
GZF
iZF
gangssignale fe und fLO werden mit einem bertrager so verteilt, dass an Diode D1 die Spannung uLO + ue und an Diode D2 die Spannung uLO ue abfllt (unter Bercksichtigung der eingezeichneten Zhlpfeile). Durch den ZF-Leitwert GZF iet dann der Strom iZF = GZF (uD2 uD1 ) = GZF (uLO ue ) GZF (uLO + ue ) = 2GZF ue (5.40) Jeder Strom der vom Lokaloszillator alleine herrhrt wird unterdrckt, dadurch wirken sich auch Amplitudenschwankungen des Lokaloszillators nicht auf den Mischprozess aus. Der Eingang fr das LO-Signal ist damit von dem ZF-Kreis entkoppelt. Zustzlich iet ohne Eingangssignal ue im ZF-Kreis berhaupt kein Strom. Das Ma der Entkopplung und damit die Funktion des Gegentaktmischers hngt sehr stark von der Symmetrie der Schaltung ab. Dies bedeutet, dass die Dioden so gut es nur geht gleiche Daten aufweisen mssen und der Aufbau (Platzierung der Bauteile, Wicklung des bertragers) sehr genau erfolgen muss. Dem Dierentialbertrager entspricht in Streifenleitungstechnik einem 180-3 dBKoppler (z.B. Rat-Race-Koppler). Abb. 5.11 zeigt die Schaltung eines Diodengegentaktmischers mit Bandltern. Die Einspeisung des LO-Signals erfolgt symmetrisch in der Mitte der Schwingkreisinduktivitten. Falls die Schaltung genau symmetrisch aufgebaut ist, sind
182
KAPITEL 5. MISCHER
Ein- und ZF-Ausgang frei von der LO-Spannung. Die beiden Dioden werden von dem LO-Signal im Gleichtakt ausgesteuert. Das Eingangssignal ue liegt dazu im Gegentakt an den Dioden an. Wegen der verwendeten Schwingkreise eignet sich dieses Konzept nur fr schmalbandige Anwendungen. Fr breitbandige Versionen wrde man die Schwingkreise gegen bertrager austauschen.
uLO iek Ge GZF
GLO iLO
Abb. 5.11: Schaltung eines Gegentaktmischers mit Bandltern.
Abb. 5.12 zeigt einen aktiven Gegentakt-Mischer mit Feldeekttransistoren als Mischelementen. Das Eingangssignal wird ber einen bertrager dem Drainstrom hinzu addiert. Der Lokaloszillator steuert die Feldeekttransistoren ber die Gateleitungen. An den Sourceanschlssen kann das Mischprodukt ber einen bertrager abgenommen werden. Dieser Mischer besitzt einen Gleichstromanschluss um den Drainstrom ber die Mittelanzapfung des Eingangsbertragers zufhren zu knnen. Der Verstrkungsfaktor liegt in der Grenordnung von 610 dB. Fr den hheren Frequenzbereich wird man anstatt bertragern, wie zuvor schon erwhnt, Koppler einsetzen. Der Eintaktmischer aus Abb. 5.9 kann gem Abb. 5.13 leicht zu einem Gegentaktmischer erweitert werden. Ring-Hybrid (Rat-Race)-Mischer Gegentaktmischer dieser Bauweise werden heute fr Frequenzen oberhalb von 20 GHz eingesetzt. Fr tiefere Frequenzen lassen sich Doppelgegentaktmischer mit besseren Entkopplungseigenschaften konstruieren (siehe Abschnitt 5.4.3). Die in Abb. 5.14 gezeigte Schaltung wurde fr eine LO-Frequenz von 26,5 GHz und eine ZF von 3,5 GHz ausgelegt. Die Eingangsfrequenz betrgt 30 GHz. Die Bandbreite wird mit 1 GHz angegeben.
183
Versorgungsspannung D Eingang S Ausgang S

Tief pass Ausgangs signal, ZF Tief pass Diode 2
Abb. 5.13: Prinzipschaltbild eines einfachen Gegentaktabwrtsmischers.
G G
Lokaloszillator
Abb. 5.12: Aktiver Gegentakt-Mischer mit Feldeekttransistoren.
LO
90, 180 3dBKoppler Hoch Diode 1 pass
Eingangs signal
Hoch pass
5.4.3
Doppelgegentaktmischer
Noch bessere Entkopplung der Tore untereinander, als beim Gegentaktmischer, kann durch eine doppelt balancierte Anordnung erreicht werden. Die Schaltung des Gegentaktmischers wird durch einfgen zweier weiterer Dioden zu einem Doppelgegentaktmischer (engl. double balanced mixer, four-diode mixer) erweitert. Damit sind, bei symmetrischem Aufbau und ausgesuchten Dioden, alle Einund Ausgnge voneinander entkoppelt. Einen Doppelgegentaktmischer, der aus Abb. 5.11 hervorgeht ist in Abb. 5.15 gezeigt.
184
KAPITEL 5. MISCHER
Vorspannung
20pF 20pF
ZFTiefpass Signaleingang 30GHz
1pF ZFAusgang
DCTrennung
LOEingang
Abb. 5.14: Sonderform eines Ring-Hybrid-Mischers mit fnf Anschlssen.
iek
Ge
GZF
GLO iLO
Abb. 5.15: Schaltung eines Doppelgegentaktmischers.
Ringmodulator Die vier Dioden bilden einen Diodenring der sehr oft in Schaltbildern auch als Ring gezeichnet wird. Daher, und weil dieser Mischertyp in der Nachrichtentechnik oft zur Modulation verwendet wird, bezeichnet man ihn auch als Ringmodulator. Abb. 5.16a und b zeigen zwei solche Ringmodulatoren. Oft ist eine symmetrische und damit massefreie Ansteuerung der Dioden vorteilhaft. Dieses fhrt
185
zu einer erhhten Isolation der Ein- und Ausgnge, um z.B. Brummschleifen zu vermeiden. Abb. 5.16b zeigt den gegenber Abb. 5.16a deutlich vergrerten Aufwand beim bertragernetzwerk, bei voll symmetrischer Ansteuerung der Dioden.
a) T1 T2 ZF Ausgang
Eingang
LO
b) T1 T2
Eingang
ZF Ausgang
LO
Abb. 5.16: Ringmodulator a) mit und b) ohne DC-Kopplung des Diodenringes.
Die fr die Schaltungen in den Abb. 5.16a und b verwendeten Spulen-bertrager lassen sich mit den heute erhltlichen Kernmaterialien fr Frequenzen bis etwa 5 GHz verwenden. Fr hhere Frequenzen mssen Streifenleitungen eingesetzt werden. Die Skizze in Abb. 5.17 zeigt das prinzipielle Layout eines Doppelgegentaktmischers mit Symmetriergliedern aus Streifenleitungselementen. Die Frequenzen von Eingangs- und LO-Signal knnen zwischen 2 und 18 GHz variieren. Die bertrager von Eingangs- und LO-Signal sind durch stetige bergnge von Microstripauf Koplanar-Leitung realisiert (sogenannte Marchand -Tapered-Balun). Auf beiden Seiten des Substrats bendet sich in der ZF-Auskopplung eine Induktivitt (L1 , L2 ) um einen Kurzschluss des LO-Signals zu verhindern. Dadurch ist die ZF prinzipiell bandbegrenzt und kann hchstens einige hundert MHz betragen. Die 4 Mischdioden sind meist monolithisch auf dem selben Substrat integriert. Auch mit Streifenleitungen kann eine vollstndig symmetrische Ansteuerung des Diodenringes erreicht werden. Die in Abb. 5.18 eingesetzte Anordnung von
186
/2
KAPITEL 5. MISCHER
LO Eingang
11111111111 00000000000 00000000000 11111111111 00000000000 11111111111 00000000000 11111111111 00000000000 11111111111 00000000000 11111111111 00000000000 11111111111 00000000000 11111111111 00000000000 11111111111
integrierter Diodenring
L1
1111111111 0000000000 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111
L2
Unterseite Oberseite Signal eingang
ZFAusgang
Durchkontaktierung auf beiden Seiten des Substrats
Abb. 5.17: Prinzip-Layout eines breitbandigen Marchand-Tapered-Balun.
Doppelgegentaktmischers
mit
Streifenleitungsbaluns (gleichzeitig Koppler und Symmetrierglied) ergibt eine so gute Entkopplung der Tore voneinander, dass sich die einzelnen Frequenzbnder der HF-, LO- und ZF-Signale sogar berlappen drfen.
/4 HF /4 LO
/4
ZF
Abb. 5.18: Balun-bertrager mit Leitungsbauelementen.
5.4. SCHALTUNGSTECHNIK VON MISCHERN Sternmischer
187
Der Sternmischer (star mixer) ist ein doppelt balancierter Mischer, bei dem die Dioden gem Abb. 5.19 geschaltet sind. In der Mikrowellenversion erfolgt die Einkopplung der Signale durch zwei ber Kreuz geschaltete Marchand hnliche Baluns. Wegen deren zueinander rechtwinkligen Anordnung ergibt sich somit eine sehr gute Entkopplung zwischen dem RF- und LO-Eingangssignal. Das Zwischenfrequenzsignal wird in der Mitte des Diodenkreuzes abgenommen. Durch den vollkommen symmetischen Aufbau der Koppelstruktur ist der Zwischenfrequenzanschluss sowohl vom RF- also auch vom LO-Eingang entkoppelt. Dieser Mischer kann ber mehrere Oktaven Bandbreite eingesetzt werden und zeichnet sich durch eine ebenfalls breitbandige gute Anpassung im Zwischenfrequenzbereich aus. Ein groer Nachteil des Sternmischers ist, dass die Eingangssignale, bedingt durch den eingesetzten Koppler, das gleiche Frequenzband abdecken mssen. Im Gegensatz dazu knnen beim Ringmischer die Baluns fr verschiedene Frequenzbereiche ausgelegt werden.
Brcke RF LO Masse der Mikro streifenleitung
/2 ZF
Abb. 5.19: Sternmischer mit gekreuzten Marchand-Baluns.
188
KAPITEL 5. MISCHER
5.4.4
Konstruktionsbeispiel eines mm-Wellen-Mischers
Eintaktmischer mit Schottky-Diode fr 200270 GHz Ein Mischer aus der Radioastronomie fr den Frequenzbereich 200270 GHz wird als Beispiel fr die praktische Ausfhrung eines Ein-Dioden-Mischers in Hohlleitertechnik betrachtet. Bei diesen hohen Frequenzen ist es nicht mglich, die Mischdiode in einem Gehuse unterzubringen. Vielmehr wird der MetallHalbleiter-bergang mit einem Whisker-Kontakt versehen. Darunter ist eine haarfrmig getzte Metallspitze (z.B. Wolfram), die von einem speziellen Gehuseteil gefhrt wird zu verstehen. Die zur Kontaktierung von Schottky-Dioden verwendeten Whisker sind etwa 12 m dick und 0,1 mm lang. Abb. 5.20 zeigt den Querschnitt durch eine typische Schottky-Diode mit Whisker-Kontakt.
Gold und Platin (oder Titan)
1111 0000 0000 1111 SiO 2 Isolation 0000 1111 0000 1111 0000 1111 0000 1111
0,4 m nGaAs (0,10,2) m
Whisker
n+GaAs
100 m
ohmscher Kontakt
Abb. 5.20: Querschnitt durch eine typische Schottky-Diode mit Whisker-Kontakt.
In Abb. 5.21 sind zwei Querschnitte durch den gesamten Mischer dargestellt, aus denen die Anordnung der Schottky-Diode im Hohlleiter hervorgeht. Das Schaltbild des Mischers ist in Abb. 5.22 gezeigt. Eingangs- und LO-Signal gelangen zusammen ber ein Rillenhorn an den Eingang eines Rechteckhohlleiters, dessen Hhe stufenweise stark reduziert wird. Dies verringert die Eingangsimpedanz des Mischers fr Eingangs- und LO-Signal. Der Kontakt-Whisker bendet sich am Ort der grten elektrischen Feldstrke und ist parallel zu den elektrische Feldlinien orientiert. Der ohmsche Kontakt der Schottky-Diode ist mit einem Tiefpass in Streifenleitungstechnik verbunden. In Abb. 5.22 wird fr die Schottky-Diode ein einfaches Ersatzschaltbild angenommen. Hier entspricht LW der Whiskerinduktivitt, RB ist der Bahnwiderstand und CRL ist die Kapazitt der Raumladungszone. Typische Werte sind etwa RB = 12 und CRL = 7 fF. Die Gre und Lnge des Whisker-Kontaktes werden so gewhlt, dass die Serienresonanz von LW und CRL ber der grten vorgesehenen Eingangsfrequenz liegt. Bei der Berechnung und Konstruktion des Tiefpasslters ist folgende Forderung zu beachten: Das Tiefpasslter darf fr Frequenzen zwischen 200 und 270 GHz
189
Single Ended Mixer

A Corrugated Feed Section Diode Mount Section Microstrip Choke Channel Schottky Diode
IF Backshort Section Diode Bonded To Gold Foil

0.04 mm 0.2 mm
111 000 000 111 000 111 000 111 000 111 000 111 000 111 000 111 000 111 000 111 000 111 000 111 000 111 000 111 000 111 000 111 000 111 000 111
RF+LO
Circularto /4Height Rectangular Waveguide Transition A
1111111111 0000000000 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111 0000000000 1111111111
Microstrip Choke Diode Chip

0.12 mm
Pressure Plate Backshort Plate
11 00 00 11
Waveguide
1 0
Waveguide Depth Adjustable By Plate Selection Pressure Screw Whisker Pin
Whisker Pin
0.975 mm
Contact Whisker
Section AA
Abb. 5.21: Querschnitte durch einen 200270 GHz Eintaktmischer.

rA
ZL 200 ZF 45 /4 lang (in ZFBandmitte)
HF+ LO
CRL
RB LW
Tiefpass aus Leitungsstcken Mikrostreifenleitung, Quarzsubstrat 200
100 pF
Vorstrom RV
28
CRL = Kapazitt der Raumladungszone LW = Induktivitt des Whiskers
Serienresonanz >> 270 GHz
Abb. 5.22: Eintaktmischer mit Schottky-Diode fr 200270 GHz (ZF: 1,21,8 GHz).
nur eine kleine Kapazitt darstellen, wenn der ZF-Ausgang mit 50 abgeschlossen ist. Das dem Tiefpass folgende Netzwerk transformiert die Impedanz der Diode bei der ZF von etwa 300 auf den Bezugswiderstand von 50 . Vor dem ZF-Ausgang wird durch eine leer laufende Serienstichleitung eine DC-Trennung bewirkt (in Abb. 5.22 als Kondensator dargestellt). ber die am Ende kapazitiv kurzgeschlossene Parallelverzweigung kann der Arbeitspunkt der Mischdiode eingestellt werden. Dies geschieht entweder ber den in Abb. 5.22 eingezeich-
190
KAPITEL 5. MISCHER
neten Vorwiderstand RV (self biasing) oder durch eine externe Stromquelle. Die resonanten Leitungskreise werden auf die Mitte des vorgesehenen ZF-Bereiches von 1,21,8 GHz abgestimmt.
5.4.5
uere Beschaltung
Das Leistungsverhalten eines Mischers ist stark abhngig von seiner ueren Beschaltung. Durch eine Fehlbeschaltung wird die Funktion eines Mischers in der Regel eingeschrnkt. Die uere Beschaltung muss innerhalb des jeweiligen Betriebsfrequenzbereiches mindestens folgende Punkte gewhrleisten: Anpassung der Impedanzen des Mischelements an die Signalzufhrungen. Aufrechterhaltung des Gegentaktbetriebs und der Symmetrierung bei Gegentaktbetrieb. Filterung des Betriebsfrequenzbereichs zur Unterdrckung von strenden Mischprodukten (z.B. Spiegelfrequenzunterdrckung). Die Strme der verschiedenen Frequenzlagen mssen ungehindert von der jeweiligen Quelle zur Senke ieen knnen. Der letzte Punkt soll nochmals nher beleuchtet werden, da er bei Nichtbeachtung zum totalen Versagen eines Mischers fhren kann. In Abb. 5.23 ist nochmals der Eintaktmischer aus Abb. 5.9 mit den jeweiligen Strompfaden der verschiedenen Frequenzlagen gezeichnet. Der Koppler wurde in der Darstellung leicht verndert, damit der Stromverlauf einfacher nach zu vollziehen ist. Das Mischelement wurde so integriert, dass es direkt Kontakt zur Schaltungsmasse hat. Es handelt sich um einen Abwrtsmischer, d.h. die Frequenzen fe und fLO liegen oberhalb von fZF . Die Trennung der Frequenzlagen kann hier einfach mit einem Hoch- und einem Tiefpass erreicht werden. Die Strme von fe und fLO werden im Koppler zusammengefhrt, passieren den Hochpass, durchstrmen danach das Mischelement und knnen ber dieses nach Masse abieen. Der Tiefpass sperrt diese Signale, so dass nur der Masseweg ber die Diode bleibt. Die erzeugten niederfrequenten Mischsignale fZF werden von dem Hochpass gesperrt und ieen daher ber den Tiefpass in den ZF-Teil (im Bild durch einen Widerstand dargestellt), wo sie nach Masse abieen knnen. Bemerkenswert ist, dass die Beschaltung um das Mischelement in diesem Fall keine direkte Verbindung nach Masse bentigt. In der folgenden Abb. 5.24 ist der Eintaktmischer so modiziert worden, dass das Mischelement nun in Serie zum Signaluss liegt und daher keine direkte Masseverbindung mehr hat. Der Signaluss bleibt prinzipiell wie zuvor beschrieben,
191
fLO Koppler Hoch fe pass Tief pass Diode

Abb. 5.23: Signaluss im Eintaktabwrtsmischer mit uerer Beschaltung. Massewege ber das Mischelement.
fZF
nur dass die Strme nun nicht mehr ber das Mischelement nach Masse abieen knnen. In diesem Fall sind in der Beschaltung um das Mischelement die Masseverbindungen zwingend notwendig, damit die Stromkreise der entsprechenden Frequenzlagen geschlossen werden knnen.
fLO Koppler Hoch fe pass Diode Tief pass fZF
Abb. 5.24: Signaluss im Eintaktabwrtsmischer mit uerer Beschaltung. Massewege ber die uere Beschaltung.

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Universitt Karlsruhe (TH) Institut fr Hchstfrequenztechnik und Elektronik

Skriptum zur Vorlesung

Hoch und Hchstfrequenz Halbleiterschaltungen

Bevor es los geht. . .

bergnge und Testfassungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

4 1.6.2 1.6.3 1.6.4 1.6.5 1.6.6 2 Verstrker 2.1

Eintorverstrker . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116 2.2.1 2.2.2 2.2.3

Oszillatoren mit dielektrischem Resonator . . . . . . . . . . . . . 154 3.6.1 3.6.2 3.6.3 3.6.4

8 Speziell zum 5. Kapitel:

Nicht mehr in Druck.

1.1. BAUFORMEN PLANARER WELLENLEITER

1.2. WELLENTYPEN UND FELDVERTEILUNG

Wellentypen und Feldverteilung der Mikrostreifenleitung

Abb. 1.4: Mikrostreifenleitung (Microstrip).

14 gilt vereinfacht fg1

1.2. WELLENTYPEN UND FELDVERTEILUNG

Abb. 1.7: H-Feld einer Mikrostreifenleitung.

Abb. 1.8: 3-D Darstellung der H- und E-Feldlinien einer Mikrostreifenleitung.

1.2. WELLENTYPEN UND FELDVERTEILUNG

Grenzfrequenz der n-ten Oberwelle: fgn

Abb. 1.9: Modenschema der Mikrostreifenleitung vp v .

Abb. 1.11: Feldbild der TM0 -Oberchenwelle.

1.3. WELLENWIDERSTAND UND PERMITTIVITT

Wellenwiderstand und Permittivitt

Der Wellenwiderstand ergibt sich somit aus Gl. 1.12 zu ZL = (1.15)

1.3. WELLENWIDERSTAND UND PERMITTIVITT und mit ZF 0 = widerstand

1 + 1/r exp 0,81

r,e r Grenze der statischen Rechnung

1.3. WELLENWIDERSTAND UND PERMITTIVITT

effektive Permittivitt r,eff t=0 w r

1,0 2,1 2,3 2,5

9,8 11,9 12,9 16,0 5,67

normierte Leiterbreite w/h

10,0 9,8 9,6

1 2 2,5 3 3,5 4 4,5 5

1.3. WELLENWIDERSTAND UND PERMITTIVITT

ZL,dyn = ZL,stat (R13/R14)R17 , r,e ,dyn = r

r r,e ,stat 1+P5

R4 = 0,016 + (0,0514 r )4,524 R5 = (hf /28,843)12,0 R6 = 22,2 (w/h)1,92

R3 = 4,766 exp 3,228 (w/h)0,641

R7 = 1,206 0,3144 exp (R1) {1 exp (R2 )} R9 = 5,086 R4

,674 R8 = 1+1,275 1 exp 0,004625 R3 1 (hf /18,365)2,745 r

,136 R10 = 0,00044 2 + 0,0184 r

(hf /19,47)6 1+0,0962(hf /19,47)6 1 1+0,00245(w/h)2

R17 = R7 1 1,1241 (R12/R16) exp 0,026 (hf )1,15656 R15

P4 = 1 + 2,751 1 exp (r /15,916)8 mit

Einuss der endlichen Leiterdicke auf ZL und r,e

1.4. DMPFUNG DER MIKROSTREIFENLEITUNG

Dmpfung der Mikrostreifenleitung

Leiterstreifen Haftschicht Dielektrikum Haftschicht

Leitfhigkeit Leitfhigkeit Ableitung, Umladung

0,16 < w/h < 2 : A =

2 < w/h < :

/(h) eq,0 /(2h)

1.4. DMPFUNG DER MIKROSTREIFENLEITUNG

r,e (f /GHz) h/mm

(/cm) 1,72 106

Einuss der Haftschicht