Punktkontaktdiode
En punktkontaktdiode fungerer på samme måde som de i dag mere udbredte mikrochip-baserede dioder, men punktkontaktdioders opbygning er simplere. En brik af n-type halvleder laves (n-doteret germanium), og en elektrisk ledende skarp punktkontakt laves med et hovedgruppe-3 metal, som placeres i kontakt med halvlederbrikken. Noget metal migreres ind i halvlederen for at lave et lille område af p-type halvleder nær kontakten, ved hjælp af en kort elektrisk impuls (eng. electroforming).[1]
Der findes mange punktkontaktdioder – for at nævne nogle: 1N60, 1N34, OA81, OA79, AA119, AA143. [2] [3] [4] [5] Det karakteristiske for dem er, at de har en lille parasitisk kondensatorvirkning over sig – og kan kun tåle en lav strøm gennem sig.[6]
Den lille kondensatorvirkning gør dem egnet til højfrekvensdetektorer – og det er også af samme årsag man finder dem i ældre udstyr helt op til 1980'erne i radiomodtagere både i FM- og AM-detektorer. Af samme grund anvendes de også i analoge multimetre, som kan måle vekselspænding og vekselstrøm.
Nogle punktkontaktdioder er egnet til høje frekvenser på f.eks. 10GHz (radar) og disse punktkontaktdioder blev anvendt i hvert fald til 1970'erne.
Kilder/referencer
[redigér | rediger kildetekst]- ^ Web archive backup: dictionaryofelectronics.com: point-contact junction
- ^ radiomuseum.org: 1N34
- ^ radiomuseum.org: 1N60
- ^ radiomuseum.org: OA90
- ^ radiomuseum.org: AA143
- ^ learnabout-electronics.org: Germanium Diodes backup Citat: "...The point contact diode illustrated in Fig 3.1 has another useful advantage over the silicon rectifier; the area of junction is very small. This also means that the junction capacitance will be very small, much smaller than that of a Silicon junction diode..."
Eksterne henvisninger
[redigér | rediger kildetekst]- artikel på Engelsk Wikipedia (engelsk)
