ã€ãƒ¬ãƒãƒ¼ãƒˆã€‘Intel 22nm「Tri-Gateã€ãƒˆãƒ©ãƒ³ã‚¸ã‚¹ã‚¿ã«é–¢ã™ã‚‹è‹¥å¹²ã®Update | パソコン | マイコミジャーナル
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2011å¹´5月4æ—¥ã€Intelã¯æ¬¡ä¸–代ã®22nmプãƒã‚»ã‚¹ã§ã¯ãƒˆãƒ©ã‚¤ã‚²ãƒ¼ãƒˆ(Tri-gate)トランジスタを採用ã™ã‚‹ã¨ç™ºè¡¨ã—ãŸã€‚åŒTri-gateトランジスタã®ãƒ—レゼン資料ã¯Intelã®Webサイト(注:リンク先ã¯PDF)ã«å…¬é–‹ã•ã‚Œã¦ã„る。 ã“ã‚Œã¾ã§ã®ä¸€èˆ¬çš„ãªMOSトランジスタã¯ã€å›³1ã®ã‚ˆã†ã«ã‚·ãƒªã‚³ãƒ³åŸºæ¿(Silicon Substrate)上ã«è–„ã„ゲート酸化膜(Gate Oxide)を挟んã§ã‚²ãƒ¼ãƒˆé›»æ¥µã‚’è¨ã‘ã‚‹ã¨ã„ã†å¹³é¢æ§‹é€ ã§ã‚ã£ãŸãŒã€ä»Šå›žã®Tri-gateトランジスタã§ã¯å›³2ã®ã‚ˆã†ã«3æ¬¡å…ƒæ§‹é€ ã«å¤‰ã‚る。 図1 従æ¥ã®ãƒ—レナートランジスタ 図2 Intelã®ãƒˆãƒ©ã‚¤ã‚²ãƒ¼ãƒˆãƒˆãƒ©ãƒ³ã‚¸ã‚¹ã‚¿ Tri-gateトランジスタã§ã¯ç´™é¢å¥¥è¡Œæ–¹å‘ã«å»¶ã³ã¦ã„るシリコンã®è–„ã„æ¿(フィン)ãŒã‚ã‚Šã€ãã‚Œã«ç›´è¡Œã™ã‚‹ã‚ˆã†ã«å°‘ã—厚ã‚ã®ã‚²ãƒ¼ãƒˆã¨æ›¸ã‹ã‚ŒãŸæ¿çŠ¶ã®é›»æ¥µãŒè¨ã‘られã¦ã„る。ãã—ã¦ã€ã‚²ãƒ¼ãƒˆã¨ã‚·ãƒªã‚³ãƒ³ãƒ•ã‚£ãƒ³ã®é–“ã«ã¯é»„色ã§æ›¸ã‹
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Microsoft PowerPoint - 100416 阪大 ナノテク特論
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