photogateとは 意味・読み方・使い方

The region of the second principal surface facing the region immediately below the photogate electrode PG is optically exposed.例文帳に追加

第２主面におけるフォトゲート電極ＰＧ直下の領域に対向する領域は、光学的に露出している。 - 特許庁

Third semiconductor regions SR1 are arranged on both sides of the photogate electrode PG in the opposite direction of the first and second short sides SS1 and SS2 so as to be opposed to each other.例文帳に追加

第３半導体領域ＳＲ１は、第１及び第２短辺ＳＳ１，ＳＳ２の対向方向でフォトゲート電極ＰＧを挟んで対向して配置されている。 - 特許庁

First and second semiconductor regions FD1 and FD2 are arranged on both sides of the photogate electrode PG in the opposite direction of the first and second long sides LS1 and LS2 so as to be opposed to each other.例文帳に追加

第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２は、第１及び第２長辺ＬＳ１，ＬＳ２の対向方向でフォトゲート電極ＰＧを挟んで対向して配置されている。 - 特許庁

A photogate electrode PG has first and second long sides LS1 and LS2 which are opposed to each other, and first and second short sides SS1 and SS2 opposed to each other, and has a rectangular planar shape.例文帳に追加

フォトゲート電極ＰＧは、平面形状が互いに対向する第１及び第２長辺ＬＳ１，ＬＳ２と互いに対向する第１及び第２短辺ＳＳ１，ＳＳ２とを有する長方形状である。 - 特許庁

The semiconductor substrate 2 has a high-concentration layer 21 on the second principal surface side, and irregular unevenness 22 is formed at least on a region of the second principal surface facing the region immediately below the photogate electrode PG.例文帳に追加

半導体基板２は、第２主面側に高濃度層２１を有し、第２主面における少なくともフォトゲート電極ＰＧ直下の領域に対向する領域には、不規則な凹凸２２が形成されている。 - 特許庁

In a CMOS image sensor, having a photoelectric conversion section (photogate section) 30 for each pixel, constituting a two-dimensional pixel array, is provided with a signal-detecting section 20 consisting of a floating gate (FG).例文帳に追加

２次元画素アレイを構成する各画素に光電変換部（フォトゲート部）３０を有するＣＭＯＳイメージセンサにおいて、フローティングゲート（ＦＧ）による信号検出部２０を設ける。 - 特許庁

In the third semiconductor regions SR1, a potential on the first and second short sides SS1 and SS2 side is set to be higher than a potential in a region located between the first and second semiconductor regions FD1 and FD2 in a region immediately under the photogate electrode PG.例文帳に追加

第３半導体領域ＳＲ１は、第１及び第２短辺ＳＳ１，ＳＳ２側でのポテンシャルをフォトゲート電極ＰＧの直下の領域における第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２の間に位置する領域でのポテンシャルよりも高めている。 - 特許庁