IBM, GlobalFoundries, Samsung to go FinFET, 3D Transistor with 14nm Process （Bright Side Of News）
Common Platform confirms no FinFET til 14nm（bit-tech.net）
Common Platform Transitions to Adopt FinFET 3D Transistor with 14 nm Fab Process（techPowerUp!）
IBM、GlobalFoundries、SamsungからなるCommon PlatformはサンタクララでCommon Platform Technology Forum 2012を開催し、現行のPlanar transistorから“3D transistor”とも呼ばれるFinFETへの切り替えは14nmプロセスからになると明らかにした。
Common Platform confirms no FinFET til 14nm（bit-tech.net）
Common Platform Transitions to Adopt FinFET 3D Transistor with 14 nm Fab Process（techPowerUp!）
IBM、GlobalFoundries、SamsungからなるCommon PlatformはサンタクララでCommon Platform Technology Forum 2012を開催し、現行のPlanar transistorから“3D transistor”とも呼ばれるFinFETへの切り替えは14nmプロセスからになると明らかにした。
Common platformではFinFETを14nmプロセスから全ての顧客に提供するとしている。そしてこの14nm FinFETは完全空乏型SOI（Fully Deplated Silicon-On-Insulator / FD-SOI）とともに使用されることでトランジスタ密度を劇的に高める一方、低消費電力化を実現するとした。
現行の部分空乏型SOI（PD-SOI）の問題としては歪みシリコンを使用したときのイールドの低下があり、この問題を解決することが強く求められている。Common Platform Manufacturing Alianceが28nmや20nmプロセスで脱SOIをすすめBulkへと転換する方向性を打ち出したのはSOIでのイールド低下が一因でもある。
FinFETを使用した14nmプロセスの登場は2014～2015年であるとされています。Intelはまもなく登場する22nmプロセスで同様の技術を採用しますが、ここから2～3年ほど遅れてIBMやGlobalFoundriesがFinFETを採用することになるようです。
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