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PanasonicのReRAMが量産に乗ってきました。PanaのReRAM構造は下部TiN、抵抗変化層TaO(表面のみTa2O5)、上部がIr。このイリジウムがFeRAMからの使いまわしで、それが文中のFeRAM混載マイコン技術を流用になっております。
hati50 のブックマーク 2013/07/31 16:03
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xtech.nikkei.com2013/07/30
パナソニックは2013年7月30日、ReRAM（抵抗変化型メモリ）を混載したマイコンを、業界に先駆けて2013年8月から量産すると発表した（関連記事）。ReRAMは、ストレージ・クラス・メモリ（SCM）やNANDフラッシュ・メ...
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PanasonicのReRAMが量産に乗ってきました。PanaのReRAM構造は下部TiN、抵抗変化層TaO(表面のみTa2O5)、上部がIr。このイリジウムがFeRAMからの使いまわしで、それが文中のFeRAM混載マイコン技術を流用になっております。
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